一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置的制作方法

1.本实用新型涉及单晶硅刻蚀技术领域，尤其是涉及一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置。


背景技术：

2.传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理，现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀。
3.如公开号为cn204825135u的专利公开了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，该装置使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善，但由于上述装置对单晶硅进行固定时，单晶硅和装置接触的位置会被装置遮挡，无法有效的和等离子体接触，导致单晶硅的刻蚀出现死角，降低了刻蚀效果，为此我们提出一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置。


技术实现要素：

4.为了解决现有固定装置易对单晶硅造成遮挡，导致刻蚀不完全的问题，本实用新型提供了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，通过周向分布在箱体内的水平传输夹持组件对单晶硅进行水平支撑，无遮挡，有效提升刻蚀效果。
5.本实用新型提供一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，包括蚀刻箱，蚀刻箱内设有周向分布的三组用于固定单晶硅的水平传输夹持组件，三组水平传输夹持组件通过伸缩调节臂与蚀刻箱连接。水平传输夹持组件不仅能实现对单晶硅的水平支撑，而且不妨碍单晶硅的转动，避免死角，可使单晶硅完全刻蚀。
6.进一步地，水平传输夹持组件包括驱动电机、传动皮带和两个传动轮，两个传动轮通过传动皮带传动连接，其中一个传动轮和驱动电机的输出轴传动连接。通过传动皮带实现单晶硅的夹持和转动。
7.进一步地，传动轮中部设有向内凹陷的凹陷部，传动皮带与传动轮的凹陷部相适配。使单晶硅置于凹陷部，防止单晶硅掉落。
8.进一步地，水平传输夹持组件还包括有底架，两个传动轮转动设置在底架上方，驱动电机固定设置在底架下方。便于夹持组件安装的同时，防止单晶硅掉落。
9.进一步地，传动皮带的材质为弹性材质。可紧密贴合单晶硅外表面，增大接触面积，稳定带动单晶硅进行转动。
10.进一步地，伸缩调节臂包括固定设置在蚀刻箱内壁的导轨，导轨上滑动设置有撑杆，撑杆与底架相连。滑动撑杆即可调节底架的位置，完成对单晶硅的夹持。
11.进一步地，蚀刻箱内部还设有与导轨相连的同步调节组件。实现对三根撑杆的同步调节。
12.进一步地，同步调节组件包括转动设置在蚀刻箱内部的环形盘，环形盘上开设有
呈螺旋状的螺旋轨，撑杆上固定设置有与螺旋轨滑动连接的推杆。通过转动环形盘即可通过螺旋轨对三根推杆进行同步推动。
13.本实用新型的有益效果在于：
14.本实用新型提供了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，通过周向分布在蚀刻箱内的三组水平传输夹持组件实现对单晶硅的稳定支撑，支撑的同时不妨碍单晶硅沿水平传输夹持组件的接触位置旋转，从而杜绝对单晶硅的遮挡，有效提升刻蚀效果。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是片架定位装置的结构示意图；
17.图2是蚀刻箱内部结构示意图；
18.图3是伸缩调节臂的结构示意图；
19.图4是水平传输夹持组件的结构示意图
20.图中1.蚀刻箱；2.推杆；3.导轨；4.撑杆；5.底架；6.传动轮；7.传动皮带；8.驱动电机；9.环形盘；10.螺旋轨。
具体实施方式
21.下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚.完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
22.如图1所示，一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，包括蚀刻箱1，蚀刻箱1上设置有箱盖，蚀刻箱1和箱盖之间可形成一个密封的刻蚀空间，蚀刻箱1内设有刻蚀机构，用于对单晶硅进行刻蚀。
23.如图1-2所示，蚀刻箱1内设有周向分布的三组用于固定单晶硅的水平传输夹持组件，三组水平传输夹持组件通过伸缩调节臂与蚀刻箱1连接。将待刻蚀单晶硅置于三组水平传输夹持组件之间，然后启动伸缩调节臂，同步带动三组水平传输夹持组件进行移动，使水平传输夹持组件和单晶硅相抵，即可对单晶硅进行夹持支撑，通过单晶硅的转动，使蚀刻箱1内部的等离子体和单晶硅均匀接触，避免死角，有效提升刻蚀效果，同时，通过单晶硅的转动使单晶硅和水平传输夹持组件的接触位置连续变换，从而能够使单晶硅的所有位置裸露在外，与等离子体完全接触，从而有效提升其刻蚀效果。
24.如图3-4所示，水平传输夹持组件包括驱动电机8、传动皮带7和两个传动轮6，两个传动轮6通过传动皮带7传动连接，其中一个传动轮6和驱动电机8的输出轴传动连接，通过传动皮带7对单晶硅进行夹持，启动传动轮6即可带动传动皮带7进行转动，通过传动皮带7带动单晶硅进行转动。
25.如图3-4所示，为了避免单晶硅从三组水平传输夹持组件的传动皮带7之间掉落，一方面，可以在传动轮6中部设置向内凹陷的凹陷部，使传动皮带7与传动轮6的凹陷部相适配，传动皮带7的截面呈v形，利用v形开口即可对单晶硅进行限位。另一方面，水平传输夹持
组件还包括有底架5，两个传动轮6转动设置在底架5上方，驱动电机8固定设置在底架5下方，通过底架5的设置，能够有效的避免单晶硅从底架5上脱落。
26.为了确保传动皮带7与单晶硅紧密贴合，传动皮带7采用具有弹性的材质，例如橡胶，当单晶硅和传动皮带7相抵时，会将传动皮带7挤压呈弧形，如图4所示，使传动皮带7和单晶硅保持足够的接触面积，从而使传动皮带7能够有效的带动单晶硅进行转动。
27.如图1-3所示，伸缩调节臂包括固定设置在蚀刻箱1内壁的导轨3，导轨3上滑动设置有撑杆4，撑杆4与底架5相连，通过滑动撑杆4即可调节底架5的位置，完成对单晶硅的夹持。
28.如图1-2所示，为了能够同步对三根撑杆4进行调节，蚀刻箱1内部还设有与导轨3相连的同步调节组件，同步调节组件包括转动设置在蚀刻箱1内部的环形盘9，环形盘9上开设有呈螺旋状的螺旋轨10，撑杆4上固定设置有与螺旋轨10滑动连接的推杆11，环形盘9上安装有锁定螺钉，用于对环形盘9进行定位，通过转动环形盘9即可通过螺旋轨10对三根推杆2进行同步推动，利用推杆2对撑杆4的位置进行调节，从而实现同步调节的目的。
29.使用时，将单晶硅置于三组传动皮带7之间，然后转动环形盘9即可通过螺旋轨10对三根推杆2进行同步推动，让推杆2对撑杆4的位置进行调节，撑杆4滑动时会带动传动皮带7一起进行移动，直至传动皮带7和单晶硅相抵，将单晶硅夹持在三组传动皮带7之间，然后启动刻蚀机构释放等离子体对单晶硅进行刻蚀处理。
30.启动驱动电机8，驱动电机8带动传动轮6转动，传动轮6带动传动皮带7进行转动，通过传动皮带7带动单晶硅进行转动，即可使单晶硅在三组水平传输夹持组件之间进行转动，通过单晶硅的转动，使蚀刻箱1内部的等离子体和单晶硅完全接触，提升刻蚀效果，同时，通过单晶硅的转动使单晶硅和水平传输夹持组件的接触位置连续变换，杜绝单晶硅刻蚀时出现死角的情况，从而有效提升刻蚀效果。
31.以上说明对本实用新型而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可做出许多修改.变化或等效，但都将落入本实用新型的保护范围内。