本发明属于陶瓷材料，尤其涉及一种dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法、氧化锆陶瓷材料。
背景技术：
1、氧化锆是最常用的金属氧化物材料之一，由于其具有高硬度、高强度、良好的生物相容性、抗腐蚀等特点，在结构陶瓷、功能陶瓷、生物材料方面都有诸多应用。传统加工工艺难以加工出具有通孔、薄壁、高长径比的氧化锆陶瓷材料，而具有以上结构特点的氧化锆陶瓷材料能在连接件、生物植入体等多方面发挥重要作用。
2、dlp技术是基于光固化原理的一种3d打印技术，可以根据电脑模型快速制备特定形状的模型，通过脱脂烧结去除树脂成分得到氧化锆瓷牙。相比于sla和下沉式dlp技术，提拉式dlp所需浆料较少，打印速度快，设备成本低，但是由于提拉造成的层间应力，其制备薄壁材料容易产生裂纹，对于制备高长径比、通孔薄壁材料的成品率低。
技术实现思路
1、本发明实施例提供一种dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，旨在解决现有的dlp技术制备薄壁材料容易产生裂纹，对于制备高长径比、通孔薄壁材料的成品率低的问题。
2、本发明实施例是这样实现的，一种dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，包括：
3、将低聚物、稀释剂以及光引发剂混合后经充分搅拌反应，得光敏树脂；
4、以无水乙醇为介质，将氧化锆和分散剂进行球磨处理，得改性氧化锆；
5、在所述改性氧化锆加入所述光敏树脂、石蜡和消泡剂进行继续球磨处理，得光固化浆料；
6、使用dlp技术将所述光固化浆料打印得到零件坯体，将所述零件坯体经清洗后置于脱脂溶剂中进行浸泡处理，再经干燥处理，备用；
7、将所述干燥后的零件坯体置于脱脂炉进行热脱脂处理，在100～500℃中使用0.1～0.5℃/min的升温速率，脱脂后升温到950～1000℃进行保温处理，脱脂完成后置于1450～1500℃下烧结2～4h，得氧化锆陶瓷材料。
8、本发明实施例还提供一种氧化锆陶瓷材料，所述氧化锆陶瓷材料是由所述dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法制备得到的氧化锆陶瓷材料。
9、本发明实施例通过优化体系成分以及改进脱脂工艺，提高了dlp技术制备高长径比、通孔薄壁材料的成品率，所得氧化锆陶瓷材料成品的长径比高达20:1，且壁厚可低至直径的1/15，并使成品保持较好的力学性能，满足连接件、生物植入体等应用需求。
1.一种dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，所述改性氧化锆、光敏树脂以及石蜡的质量比为(15～17):(3～5):0.1。
3.如权利要求1或2所述的dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，所述低聚物是由环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯按照质量比(1～3)：1混合而成。
4.如权利要求1或2所述的dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，所述稀释剂为丙烯酸羟乙酯、己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯的一种或多种。
5.如权利要求1或2所述的dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，所述光引发剂为三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、三甲基苯甲酰基膦酸乙酯、羟基环已基苯基酮、苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦的一种或多种。
6.如权利要求1所述的dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，所述使用dlp技术将所述光固化浆料打印得到零件坯体，将所述零件坯体经清洗后置于脱脂溶剂中进行浸泡处理，再经干燥处理的步骤，包括：
7.如权利要求1或2所述的dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，所述分散剂为高分子超分散剂。
8.如权利要求1或2所述的dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法，其特征在于，所述脱脂溶剂是由二氯甲烷和煤油按体积比1:9混合得到。
9.一种氧化锆陶瓷材料，其特征在于，所述氧化锆陶瓷材料是由权利要求1-8任一所述dlp技术制备氧化锆陶瓷材料的方法制备得到的氧化锆陶瓷材料。
10.如权利要求9所述的氧化锆陶瓷材料，其特征在于，所述氧化锆陶瓷材料为长径比高达20:1，壁厚低至直径的1/15的通孔薄壁陶瓷零件。