一种羟胺插层氧基氯化铁材料及其制备方法与应用

文档序号:36881367发布日期:2024-02-02 20:59阅读:31来源:国知局
一种羟胺插层氧基氯化铁材料及其制备方法与应用

本发明属于插层氧基氯化铁领域,具体的说,涉及一种羟胺插层氧基氯化铁材料及其制备方法与应用。


背景技术:

1、高级氧化技术能够产生具有强氧化能力的活性自由基(如·oh和so4–),常被用于处理水中难降解的有机污染物,过硫酸根离子具有一定的氧化性,其氧化还原电位为2.1v,但经活化后产生的硫酸根自由基具有更高的氧化还原电位(2.5~3.1v),对难降解有机污染物有更好的去除效果。且与羟基自由基相比,硫酸根自由基氧化能力更强,能够更快、更彻底地降解有机污染物,因此过硫酸盐常用于氧化处理污水。

2、氧基氯化铁是一种高效的fenton催化剂,表现出比其它铁基催化剂更好的性能,但在温和条件(中性溶液、自然光和室温)下使用时,feocl催化剂仍然远远不能令人满意。在非均相fenton反应中,以氧基氯化铁化合物为催化剂,过一硫酸盐为氧化剂,对有机物的降解效率低下,且只能在酸性条件下对有机物起到有效分解。


技术实现思路

1、针对背景技术中存在的问题,本发明提供了一种羟胺插层氧基氯化铁材料及其制备方法与应用,所提供的羟胺插层氧基氯化铁材料可在较宽的ph值范围内,有效降解水中有机污染物,在非均相fenton反应中,能降低过一硫酸盐的使用浓度。

2、为实现上述目的,本发明是通过如下技术方案实现的:

3、所述的羟胺插层氧基氯化铁材料,氯氧化铁的层间插有羟胺,该材料相比于氯氧化铁,层间距增大,主衍射峰前移。

4、所述的羟胺插层氧基氯化铁材料的制备方法,包括以下步骤:

5、(1)配置羟胺溶液;

6、(2)向羟胺溶液中加入氯氧化铁密闭反应;

7、(3)过滤;

8、(4)洗涤干燥,得到羟胺插层氯氧化铁。

9、进一步的,氯氧化铁与羟胺的摩尔比为1:4-1:8。

10、进一步的,步骤(1)的羟胺溶液为羟胺的甲醇溶液,浓度为0.30-0.60mol/l。

11、进一步的,步骤(2)的反应时间,4h~2d,优选4h。

12、进一步的,步骤(4)所述的洗涤是指用乙醇洗涤。

13、所述的羟胺插层氧基氯化铁材料在污水处理中的应用。

14、所述的羟胺插层氧基氯化铁材料在降解污水中有机物的应用

15、进一步的,所述的有机物为双酚a。

16、进一步的,含双酚a污水的ph值为3-10。

17、进一步的,在降解双酚a时,向污水中加入过一硫酸盐。

18、进一步的,在降解双酚a时,羟胺插层氯氧化铁和过一硫酸盐的摩尔比为1:5~1:100,羟胺插层氯氧化铁投加量为0.1~0.5g/l。

19、本发明的有益效果:

20、本发明所提供的羟胺插层氧基氯化铁材料,在降解污水时,能适应于较宽ph值范围,在ph值3.0-10.0范围内均起到降解效果。

21、本发明在非均相fenton反应中,以羟胺插层氧基氯化铁为催化剂、过一硫酸盐为氧化剂时,可有效提高有机物降解效率,且降解时所需的过一硫酸盐浓度低,降低二次污染。

22、本发明的制备方法所得的羟胺插层氧基氯化铁材料,氧基氯化铁的层间距扩大,主衍射峰前移,羟胺有效插入至氧基氯化铁的层间,在应用于污水处理时,使氧基氯化铁的催化能力增强。



技术特征:

1.一种羟胺插层氧基氯化铁材料,其特征在于,所述的羟胺插层氧基氯化铁材料为层间插有羟胺的氯氧化铁。

2.一种羟胺插层氧基氯化铁材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,氯氧化铁与羟胺的摩尔比为1:4-8。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)的羟胺溶液为羟胺的甲醇溶液,浓度为0.30-0.60mol/l 。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述的洗涤是指用乙醇洗涤。

6.如权利要求1至5任一项所述的羟胺插层氧基氯化铁材料在污水处理中的应用。

7.如权利要求1至5任一项所述羟胺插层氧基氯化铁材料在降解污水中有机物的应用。

8.如权利要求7所述的应用,其特征在于,所述的有机物为双酚a。

9.如权利要求8所述应的用,其特征在于,含双酚a污水的ph值为3-10。

10.如权利要求7或8所述的应用,其特征在于,在降解双酚a时,向污水中加入过一硫酸盐。


技术总结
本发明涉及一种羟胺插层氧基氯化铁材料及其制备方法与应用,属于插层氧基氯化铁领域,本发明的制备方法所制得羟胺插层氧基氯化铁材料,羟胺有效插层至氧基氯化铁的层间,氧基氯化铁材料层间距有效扩大,主衍射峰前移;所得的羟胺插层氧基氯化铁材料,可有效提高氧基氯化铁中二价铁含量,提高氧基氯化铁催化活性,实现对双酚A的高效降解,且可在较宽pH范围内均可以起到降解作用,同时还可以降解废水时所需过一硫酸盐浓度低,不会产生二次污染。

技术研发人员:徐西蒙,张舒静,王御豪,杨盈
受保护的技术使用者:昆明理工大学
技术研发日:
技术公布日:2024/2/1
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