一种纳米硅产品制备方法与流程

文档序号:36837047发布日期:2024-01-26 16:55阅读:48来源:国知局
一种纳米硅产品制备方法与流程

本发明涉及硅产品制备,尤其涉及一种纳米硅产品制备方法。


背景技术:

1、锂离子电池以其比能量大、工作电压高、循环使用寿命长、体积小、重量轻、绿色环保等优势广泛应用于各种便携式电子设备和电动汽车中。目前商业化的锂离子电池负极材料负极材料主要为石墨,包括天然石墨、人造石墨等,但其理论比容量仅为372mah/g,已难以满足锂离子电池应用领域对高能量密度电源的需求。因此,开发新型高比容量的锂离子电池负极材料已成为迫切的课题。

2、纳米硅,是指大小为纳米级别的硅颗粒。纳米硅粉具有纯度高,粒径小,分布均匀等特点,具有表面积大,高表面活性,松装密度低的特点,且无毒,无味。在非碳负极材料中,硅基材料由于具有最高的理论嵌锂容量4200mah/g,远高于其它所有负极材料的理论嵌锂容量,且硅的储量丰富(地壳元素含量中排第二位),由于纳米硅对于锂电池的高吸收率,将纳米硅用于锂电池,替代纳米碳粉或石墨,作为锂电池负极材料,因此,纳米硅已成为新一代锂离子电池的负极材料。

3、目前,纳米硅材料的制备方法有两大类,干法和湿法。干法包括气相法和电弧法,湿法包括溶胶凝胶法,沉淀法,微乳液法等。干法制备的纳米硅材料性能比较好,且纯度高,但是用这种方法制备成本高,并且在生产过程中能耗大。因此,国内一般采用湿法工艺制备纳米硅材料。

4、在湿法工艺制作纳米硅材料的过程中,使用水对硅材料进行球磨,但硅颗粒尺寸磨到一定程度就无法进一步降低,硅材料易被氧化,且存在安全隐患。

5、为了进一步降低硅产品颗粒尺寸,防止硅产品被氧化,提高纳米硅产品存储的稳定性和安全性,本发明提出了一种纳米硅产品制备方法。


技术实现思路

1、本发明公开了一种纳米硅产品制备方法,解决了现有技术中硅产品颗粒尺寸磨到一定程度就无法进一步降低,硅材料易被氧化,且存在安全隐的问题。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

3、一种纳米硅产品制备方法,包括以下步骤:

4、步骤1)将颗粒硅原料放入具有保温功能的分散罐中,加入液氮,液面没过颗粒硅原料,冷冻时间为0.5~3h;

5、步骤2)液氮全部挥发后,在分散罐中加入水,分散处理得到浆料1;

6、步骤3)采用氧化锆球对浆料1进行球磨处理,研磨过程中加入腐蚀剂,继续研磨得到浆料2;

7、步骤4)对浆料2进行压滤、水洗、压滤得到超细纳米硅粉体;

8、步骤5)在回转炉中建立氮气或氩气氛围,将超细纳米硅粉体放入回转炉中低温烘干,然后通入碳源气体,在高温下对超细纳米硅粉体进行碳包覆;

9、步骤6)粉碎碳包覆的超细纳米硅粉体,获得纳米硅产品。

10、优选的,步骤1)中,所述的颗粒硅原料为晶体硅,平均粒径为1~20μm,氧含量0.1~5%。

11、优选的,步骤1)中,所述液氮温度-190~-100℃。

12、优选的,步骤2)中,所述浆料1的固含量为10~40%,所述固含量定义为:固体不溶质重量/浆料1的总重量。

13、优选的,步骤3)中,球磨时间为2~10h,氧化锆球大小尺寸为0.03~0.5mm,所述腐蚀剂为氢氟酸,所述浆料1与氢氟酸的质量比例为100:(1~10),氢氟酸可分1~3次加入。

14、优选的,步骤5)中,所述低温烘干温度为150~300℃,烘干时间0.5~3小时,所述碳包覆温度为500~1200℃,保温0.5~5h,所述碳源气体为甲烷、乙烯、乙炔中的1种或其中2种的组合。

15、与现有技术相比,本发明的有益效果为:

16、(1)本发明的一种纳米硅产品制备方法,将颗粒硅原料放入具有保温功能的分散罐中,加入-190~-100℃的液氮,液氮的液面没过颗粒硅原料,冷冻0.5~3h,待液氮全部挥发后,加入水,进行分散处理,然后加入氧化锆球进行研磨,在研磨过程中可多次加入腐蚀剂,研磨结束后,对得到的浆料进行压滤、水洗、压滤得到超细纳米硅粉体,将超细纳米硅粉体放入有氮气或氩气氛围的回转炉中低温烘干,然后通入碳源气体,在高温下对超细纳米硅粉体进行碳包覆,最后进行粉碎获得纳米硅产品。本发明通过颗粒硅原料低温处理方式,降低了颗粒硅原料的硬度,同时使用腐蚀剂加速硅颗粒的破碎,从而制备出超细纳米硅材料,对制备的超细纳米硅进行碳包覆,提高了纳米硅存储的稳定性和安全性。

17、(2)本发明的一种纳米硅产品制备方法,工艺过程中使用液氮对颗粒硅原料进行冷冻,使用热胀冷缩原理增加了颗粒硅原料的脆性,加入的腐蚀剂对颗粒硅原料进行腐蚀,使得颗粒硅原料的直径进一步缩小,提高了硅产品的品质。

18、(3)本发明的一种纳米硅产品制备方法,具有易操作,工艺过程简单,生产效率高,安全性好的优点。



技术特征:

1.一种纳米硅产品制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种纳米硅产品制备方法,其特征在于:步骤1)中,所述的颗粒硅原料为晶体硅,平均粒径为1~20μm,氧含量0.1~5%。

3.根据权利要求1所述的一种纳米硅产品制备方法,其特征在于:步骤1)中,所述液氮温度-190~-100℃。

4.根据权利要求1所述的一种纳米硅产品制备方法,其特征在于:步骤2)中,所述浆料1的固含量为10~40%,所述固含量定义为:固体不溶质重量/浆料1的总重量。

5.根据权利要求1所述的一种纳米硅产品制备方法,其特征在于:步骤3)中,球磨时间为2~10h,氧化锆球大小尺寸为0.03~0.5mm,所述腐蚀剂为氢氟酸,所述浆料1与氢氟酸的质量比例为100:(1~10),氢氟酸可分1~3次加入。

6.根据权利要求1所述的一种纳米硅产品制备方法,其特征在于:步骤5)中,所述低温烘干温度为150~300℃,烘干时间0.5~3小时,所述碳包覆温度为500~1200℃,保温0.5~5h,所述碳源气体为甲烷、乙烯、乙炔中的1种或其中2种的组合。


技术总结
本发明公开了一种纳米硅产品制备方法,将颗粒硅原料放入具有保温功能的分散罐中,加入‑190~‑100℃的液氮,冷冻0.5~3h,待液氮全部挥发后,加入水,进行分散处理,然后使用氧化锆球进行研磨,在研磨过程中可多次加入腐蚀剂,研磨结束后,对得到的浆料进行压滤、水洗、压滤得到超细纳米硅粉体,将超细纳米硅粉体放入有氮气或氩气氛围的回转炉中低温烘干,然后通入碳源气体,在高温下对超细纳米硅粉体进行碳包覆,最后进行粉碎获得纳米硅产品。本发明使用液氮对颗粒硅原料进行冷冻,使用热胀冷缩原理增加了颗粒硅原料的脆性,加入的腐蚀剂对颗粒硅原料进行腐蚀,使得颗粒硅原料的直径进一步缩小,提高了硅产品的品质。

技术研发人员:吴辉,张东亮
受保护的技术使用者:恒言(无锡)新材料有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/25
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