本发明属于纳米材料的制备,具体涉及一种选择性筛分单壁碳纳米管、同时制备可分散金属性单壁碳纳米管的方法。
背景技术:
1、单壁碳纳米管因其独特的结构和优异的性能,如高导电性、高强度、高柔韧性等,使其在电子器件、复合材料、传感器等领域具有广泛的应用前景。其中,金属性单壁碳纳米管因其良好的导电性和机械性能而受到广泛关注,特别是在储能领域。然而,研究表明在真空下碳纳米管的管管相互作用达到了0.5-2.0ev/nm,而且其表面光滑,极化率高,使得碳纳米管在强的内聚力作用下很容易形成管束。此外,碳纳米管通常是金属性和半导体性碳管的混合物。如何实现可分散的、单一金属性的单壁碳纳米管的制备,仍然是一个限制其应用的关键问题。
2、目前,碳纳米管在溶液中的主要分散方法包括溶剂剥离法、非共价功能化法以及共价功能化法。这些方法都需要借助较强的机械力来促进碳纳米管的分散,然后采用高速离心分离去除大的管束。然而,机械力会损伤碳纳米管的结构。非共价功能化法引入了难以完全去除的表面活性剂等杂质,并提高碳纳米管间的搭接电阻。而共价功能化法则会在一定程度上破坏碳纳米管结构。溶剂剥离法分散效率低,且使用有机溶剂会造成环境污染及增加成本。利用超强酸对碳纳米管插层、溶胀和硝酸选择性氧化,可较为有效地获得可分散碳纳米管。但是反应条件较为苛刻易造成碳纳米管结构损坏,溶胀的效率低,降低分散效果。
3、因此,开发一种简便、有效的分散方法对于金属性单壁碳纳米管的实用化具有重要意义。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中单壁碳纳米管难以分散应用,以及碳纳米管中金属性单壁碳纳米管纯度较低的问题。本发明提供一种操作简单、条件温和、适合大规模生产的制备可分散金属性单壁碳纳米管的方法。
2、为了实现上述目的,本发明采取以下技术方案:
3、一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,包括以下步骤:
4、步骤一、先用强酸将单壁碳纳米管插层并质子化;
5、步骤二、再利用双氧水作氧化剂,选择性刻蚀掉半导体性单壁碳纳米管以及碳杂质,同时产生大量的气体促使单壁碳纳米管分离;
6、步骤三、经过清洗和干燥,获得分散的金属性单壁碳纳米管。
7、进一步的,步骤一中,将单壁碳纳米管置于强酸中进行插层质子化反应,得到混合液a。
8、步骤二、将混合液a中多余的强酸去除后,将双氧水缓慢滴加到剩余液体中发生氧化还原反应得到反应产物。
9、步骤三中,用蒸馏水稀释反应产物,然后过滤,清洗并干燥沉淀物,制备得到可自发分散的金属性单壁碳纳米管。
10、进一步的,步骤一中,所述强酸包括氯磺酸和浓硫酸中的一种。所述强酸的质量分数为50%-98%,步骤二中,所述双氧水的质量分数为30%-90%。所述强酸与单壁碳纳米管的质量比为10:1-1000:1。
11、进一步的,步骤一中,插层质子化反应的反应温度为0-70℃,反应时间为0.5-100h。
12、进一步的,步骤二中,刻蚀的温度为20-70℃,时间为1-100h。
13、进一步的,所述单壁碳纳米管中,半导体性单壁碳纳米管的质量分数为2-30%,半径小于1.6nm。
14、与现有技术相比,本发明的有益效果是:
15、本发明的制备方法简单易行,可以在常温常压下进行。同时,通过选择合适的处理条件,可以得到表面光滑、分散性好的金属性单壁碳纳米管。这为单壁碳纳米管的广泛应用提供了新的方法。
1.一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤一中,将单壁碳纳米管置于强酸中进行插层质子化反应,得到混合液a。
3.根据权利要求2所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤二、将混合液a中多余的强酸去除后,将双氧水缓慢滴加到剩余液体中发生氧化还原反应得到反应产物。
4.根据权利要求3所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤三中,用蒸馏水稀释反应产物,然后过滤,清洗并干燥沉淀物,制备得到可自发分散的金属性单壁碳纳米管。
5.根据权利要求1或2所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤一中,所述强酸包括氯磺酸和浓硫酸中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤一中,所述强酸的质量分数为50%-98%,步骤二中,所述双氧水的质量分数为30%-90%。
7.根据权利要求1或2所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤一中,所述强酸与单壁碳纳米管的质量比为10:1-1000:1。
8.根据权利要求1或2所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤一中,插层质子化反应的反应温度为0-70℃,反应时间为0.5-100h。
9.根据权利要求1或3所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:步骤二中,刻蚀的温度为20-70℃,时间为1-100h。
10.根据权利要求1所述的一种可提纯和分散金属性单壁碳纳米管的制备方法,其特征在于:所述单壁碳纳米管中,半导体性单壁碳纳米管的质量分数为2-30%,半径小于1.6nm。