一种坩埚定位系统的制作方法

本技术涉及晶体生长，特别涉及一种坩埚定位系统。

背景技术：

1、在电阻炉生长晶体时，通常是将原料(原料主要是粉状氧化物)在炉体中进行高温反应，逐步形成所需的晶体。

2、具体的做法是，将原料放置在坩埚中，然后再坩埚周围设置加热组件对其进行加热，使坩埚升温，使粉状原料熔化再降温结晶。在对坩埚进行加热前，首先需要对坩埚的位置进行固定，需要将坩埚的上平面恰好与上屏接触。

3、如果坩埚的上平面低于上屏的底面，会导致坩埚在加热时，热量会急速从间隙处流失到炉腔中，导致坩埚受热不均，其加热温度难以控制，降低结晶的良品率。如果坩埚的上平面高于上屏底面的预定位置，将上屏举升一端距离，此时虽然能够完全与上屏接触，保证整体的气密性。但是由于炉腔内的加热温度会高达1900摄氏度左右，在该温度下，坩埚会发生软化现象，此时上屏会将软化的坩埚挤压变形，由于晶体生长粉料通常是精确放置的，形变后的坩埚可能会将液态的原料溢出，降低晶体生长的效果。

4、现有技术中对于坩埚定位，由于装置自身的原因，无法直接观测到坩埚是否恰好与上屏接触，只能依靠作业人员的经验判断，手动缓慢通过手轮控制进行举升坩埚，这种方式极大的依赖作业人员的经验，往往不精确，不同的人会存在较大的误差。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于，针对上述不足之处提供一种坩埚定位系统，解决了现有技术中坩埚定位依靠人工经验判断，不够精准的问题。

2、本实用新型是通过下述方案来实现的：

3、一种坩埚定位系统，包括举升平台、坩埚、上屏部、侧屏部和万用表；所述侧屏部搭接在电极板中心位置，所述举升平台设置在电极板中心孔位置，所述上屏部盖合在侧屏部上，所述坩埚设置在举升平台上，所述上屏上设置有供晶体生长的第一通孔，所述万用表一端与上屏部和/或侧屏部连接，另一端与坩埚连接。

4、基于上述一种坩埚定位系统的结构，所述侧屏部包括第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏和第四侧屏，所述第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏和第四侧屏均为圆筒状结构，所述第一侧屏套设在第二侧屏内，第二侧屏套设在第三侧屏内，第三侧屏套设在第四侧屏内，所有的侧屏的中心位置均与电极板中心通孔中心位置共线。

5、基于上述一种坩埚定位系统的结构，所述第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏和第四侧屏的高度依次增加设置。

6、基于上述一种坩埚定位系统的结构，所述上屏部包括第一上屏、第二上屏和第三上屏；第一上屏、第二上屏和第三上屏均为圆盘状结构，所述第一上屏、第二上屏和第三上屏的中心相同位置均设置有生长通孔。

7、基于上述一种坩埚定位系统的结构，所述第一上屏、第二上屏和第三上屏的圆盘直径依次增大设置。

8、基于上述一种坩埚定位系统的结构，所述第一上屏盖合在第一侧屏上，所述第二上屏盖合在第二侧屏上，所述第三上屏盖合在第三侧屏上；所述第一侧屏与第二侧屏的高度差不小于第一上屏的厚度，所述第二侧屏与第三侧屏的高度差不小于第二上屏的厚度；所述第三侧屏与第四侧屏的高度差不小于第三上屏的厚度。

9、基于上述一种坩埚定位系统的结构，所述第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏，以及第一上屏、第二上屏和第三上屏均由多层金属结构组合而成。

10、基于上述一种坩埚定位系统的结构，所述万用表的接触线上设置有配重块，所述配重块设置在接触线的端部位置。

11、综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

12、1、本方案中，由于上屏部、侧屏部和坩埚均为导电材质，因此在需要将坩埚进行定位时，将万用表的一端与坩埚连接，另一端与上屏部或侧屏部连接，此时整个导电回路为断开状态，当作业人员转动手轮使举升平台缓速上升，使坩埚逐步靠近上屏部的底端位置，当坩埚恰好与上屏部的底端位置接触时，此时整个导电回路为导通状态，此时在万用表的显示器上能够显示出急剧变化。因此作业人员在对坩埚进行定位时，虽然看不见坩埚的位置，但是能够通过仪表盘的变化来精准确定坩埚处于合适的位置，降低了对作业人员经验的要求，不同的作业人员来对坩埚进行定位，也均能够实现精准定位，极大的提升了晶体生长效率。

13、2、本方案中在使用万用表时，可以直接将两个设置有配重块的接触线一端放置在坩埚内，一端放置在上屏部上，用一只手拿走万用表进行观测，另一只手缓速转动手轮提升坩埚，如此不仅可以节省人力资源，同时也能够提升坩埚定位的精准度。

14、附图说明

15、图1为本实用新型整体的结构示意图；

16、图2为本实用新型坩埚举升到预定位置时的示意图；

技术特征：

1.一种坩埚定位系统，其特征在于：包括举升平台、坩埚、上屏部、侧屏部和万用表；所述侧屏部搭接在电极板中心位置，所述举升平台设置在电极板中心孔位置，所述上屏部盖合在侧屏部上，所述坩埚设置在举升平台上，所述上屏部上设置有供晶体生长的第一通孔，所述万用表一端与上屏部和/或侧屏部连接，另一端与坩埚连接。

2.如权利要求1所述的一种坩埚定位系统，其特征在于：所述侧屏部包括第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏和第四侧屏，所述第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏和第四侧屏均为圆筒状结构，所述第一侧屏套设在第二侧屏内，第二侧屏套设在第三侧屏内，第三侧屏套设在第四侧屏内，所有的侧屏的中心位置均与电极板中心通孔中心位置共线。

3.如权利要求2所述的一种坩埚定位系统，其特征在于：所述第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏和第四侧屏的高度依次增加设置。

4.如权利要求3所述的一种坩埚定位系统，其特征在于：所述上屏部包括第一上屏、第二上屏和第三上屏；第一上屏、第二上屏和第三上屏均为圆盘状结构，所述第一上屏、第二上屏和第三上屏的中心相同位置均设置有生长通孔。

5.如权利要求4所述的一种坩埚定位系统，其特征在于：所述第一上屏、第二上屏和第三上屏的圆盘直径依次增大设置。

6.如权利要求5所述的一种坩埚定位系统，其特征在于：所述第一上屏盖合在第一侧屏上，所述第二上屏盖合在第二侧屏上，所述第三上屏盖合在第三侧屏上；所述第一侧屏与第二侧屏的高度差不小于第一上屏的厚度，所述第二侧屏与第三侧屏的高度差不小于第二上屏的厚度；所述第三侧屏与第四侧屏的高度差不小于第三上屏的厚度。

7.如权利要求6所述的一种坩埚定位系统，其特征在于：所述第一侧屏、第二侧屏、第三侧屏，以及第一上屏、第二上屏和第三上屏均由多层金属结构组合而成。

8.如权利要求1～7任一所述的一种坩埚定位系统，其特征在于：所述万用表的接触线上设置有配重块，所述配重块设置在接触线的端部位置。

技术总结
本技术公开了一种坩埚定位系统，包括举升平台、坩埚、上屏部、侧屏部和万用表；所述侧屏部搭接在电极板中心位置，所述举升平台设置在电极板中心孔位置，所述上屏部盖合在侧屏部上，所述坩埚设置在举升平台上，所述上屏上设置有供晶体生长的第一通孔，所述万用表一端与上屏部和/或侧屏部连接，另一端与坩埚连接；本方案中在使用万用表时，可以直接将两个设置有配重块的接触线一端放置在坩埚内，一端放置在上屏部上，用一只手拿走万用表进行观测，另一只手缓速转动手轮提升坩埚，如此不仅可以节省人力资源，同时也能够提升坩埚定位的精准度。

技术研发人员：王大庆,张子墨
受保护的技术使用者：成都新源汇博光电科技有限公司
技术研发日：20230213
技术公布日：2024/1/13