坩埚、坩埚组件和半导体设备的制作方法

本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种坩埚、坩埚组件和半导体设备。

背景技术：

1、pvt法生长碳化硅单晶的生长过程是在密闭的石墨坩埚中进行，因此在高温下生长环境处于富碳气氛下。

2、在实际的晶体生长中，石墨坩埚中的生长原料由于温度场分布的原因在温度场中相对中间的部分温度最低，因此，在晶体生长结束后往往会在坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，大大的降低了生长原料的利用率，而且也不利于四周气相成分向籽晶的运输。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种坩埚、坩埚组件、坩埚组件和半导体设备，其能够改善坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域的问题，从而可以提高生长原料的利用率。

2、本实用新型的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本实用新型提供一种坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体具有顶部开口的容置腔以及设置于所述坩埚本体用于安装加热件的安装腔。

4、在可选的实施方式中，所述坩埚本体包括底壁和围合在所述底壁的侧壁；

5、所述底壁的内侧凸设有装配台；

6、所述安装腔形成于所述装配台；

7、所述装配台的外壁与所述侧壁围合形成所述安装腔。

8、在可选的实施方式中，所述安装腔呈圆筒状，且顶端封闭。

9、在可选的实施方式中，所述安装腔向着顶部的方向逐渐增大或减小，且顶端封闭。

10、第二方面，本实用新型提供一种坩埚组件，包括前述实施方式中任一项所述的坩埚和加热件；

11、所述加热件设置于所述安装腔内，以给容置于所述容置腔的原料加热。

12、在可选的实施方式中，所述加热件为石墨加热器；

13、所述石墨加热器设置于所述安装腔内。

14、在可选的实施方式中，所述石墨加热器具有贯穿孔，所述贯穿孔用于红外测温设备检测温度。

15、在可选的实施方式中，所述安装腔呈顶端封闭的圆筒状，所述石墨加热器呈圆筒状。

16、在可选的实施方式中，所述安装腔向着顶部的方向逐渐增大，所述石墨加热器向着顶部的方向厚度依次增加；或，

17、所述安装腔向着顶部的方向逐渐缩小，所述石墨加热器向着顶部的方向厚度依次减薄。

18、第三方面，本实用新型提供一种半导体设备，包括前述实施方式中任一项所述的坩埚或前述实施方式中任一项所述的坩埚组件。

19、本实用新型实施例提供的坩埚、坩埚组件和半导体设备的有益效果包括：

20、本申请提供的坩埚、坩埚组件和半导体设备通过在坩埚本体上设置用于安装加热件的安装腔，这样在制作晶锭时，坩埚可通过外部加热和内部加热配合，从而使加热更加均匀。最重要的是，安装腔的设置，与配合加热件可以改善晶体生长过程中在坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，从而可以提高原料的利用率。

技术特征：

1.一种坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(110)，所述坩埚本体(110)具有顶部开口的容置腔(111)以及设置于所述坩埚本体(110)用于安装加热件(310)的安装腔(113)。

2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(110)包括底壁和围合在所述底壁的侧壁；

3.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述安装腔(113)呈圆筒状，且顶端封闭。

4.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述安装腔(113)向着顶部的方向逐渐增大或减小，且顶端封闭。

5.一种坩埚组件，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的坩埚和加热件(310)；

6.根据权利要求5所述的坩埚组件，其特征在于，所述加热件(310)为石墨加热器；

7.根据权利要求6所述的坩埚组件，其特征在于，所述石墨加热器具有贯穿孔，所述贯穿孔用于红外测温设备检测温度。

8.根据权利要求6或7所述的坩埚组件，其特征在于，所述安装腔(113)呈顶端封闭的圆筒状，所述石墨加热器呈圆筒状。

9.根据权利要求6或7所述的坩埚组件，其特征在于，所述安装腔(113)向着顶部的方向逐渐增大，所述石墨加热器向着顶部的方向厚度依次增加；或，

10.一种半导体设备，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的坩埚；或，权利要求5-9中任一项所述的坩埚组件。

技术总结
本申请提供一种坩埚、坩埚组件和半导体设备，属于半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有顶部开口的容置腔以及设置于坩埚本体用于安装加热件的安装腔。可以改善晶体生长过程中在坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，从而可以提高原料的利用率。

技术研发人员：杨光宇
受保护的技术使用者：通威微电子有限公司
技术研发日：20230720
技术公布日：2024/1/15