一种便于提高外延片均匀性的石墨盘的制作方法

本技术涉及半导体，具体是一种便于提高外延片均匀性的石墨盘。

背景技术：

1、随着科学技术的不断发展，在mocvd外延生长半导体材料过程中，衬底放置于载片盘上，载片盘高速旋转可以保证外延生长的均匀性和一致性，目前，mocvd设备中的载片盘材质多选用由高纯石墨制成的石墨盘。

2、目前在外延片的成长过程中气流和温度操控等技能仍存在一些问题，使得石磨盘上沉积的外延片表面平整度与均匀性存在一定瑕疵，影响外延沉积的品质与精度。

3、因此，我们提出了一种便于提高外延片均匀性的石墨盘。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，包括石墨盘主体，所述石墨盘主体下端卡扣连接有加热固定装置，所述石墨盘主体底部固定连接有弧形圆底石墨基座，所述弧形圆底石墨基座圆底弧形结构均匀吸收传导热量。

4、优选的所述石墨盘主体上端开设有石墨衬底固定槽若干，所述石墨盘主体上端开设有导热圆盘。

5、优选的所述石墨盘主体上端固定连接有石墨涂层，所述加热固定装置上端固定连接有导热弧形圆底盘。

6、优选的所述加热固定装置下端固定连接有固定柱，所述加热固定装置内部开设有加热室。

7、优选的所述加热固定装置上端卡扣连接有固定拉块，所述固定拉块下端卡扣连接有石墨固定块。

8、优选的所述石墨固定块一侧周向固定连接有弹簧，所述石墨固定块一侧周向固定连接有限制块。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

10、1、本实用新型中，通过设置的石墨盘主体表面光滑，能保持单晶体生长结构的均匀与稳定，提高外延片沉积的均匀性，通过设置的加热固定装置能均匀传递热量给石墨盘主体，能保持外延片生长过程中所需环境温度，提高单晶体生长的均匀性与稳定性，通过设置的弧形圆底石墨基座圆底弧形结构能均匀吸收传导热量，能吸收传递加热固定装置所提供的热量保持外延片生长环境所需温度，提高外延片沉积的均匀性。

11、2、本实用新型中，设置的固定拉块能通过上拉下压固定石墨固定块，设置的石墨固定块能通过弹簧收缩与拉伸，用于石墨盘主体的固定以及拆卸，从而便于石墨盘主体的拆卸更换，设置的固定拉块能通过上拉下压与限制块卡扣连接，用于对石墨固定块的固定和收缩便于石墨盘主体的拆卸更换。

技术特征：

1.一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，包括石墨盘主体(1)，其特征在于：所述石墨盘主体(1)下端卡扣连接有加热固定装置(2)，所述石墨盘主体(1)底部固定连接有弧形圆底石墨基座(6)，所述弧形圆底石墨基座(6)圆底弧形结构均匀吸收传导热量。

2.根据权利要求1所述一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，其特征在于：所述石墨盘主体(1)上端开设有石墨衬底固定槽(3)若干，所述石墨盘主体(1)上端开设有导热圆盘(4)。

3.根据权利要求1所述一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，其特征在于：所述石墨盘主体(1)上端固定连接有石墨涂层(5)，所述加热固定装置(2)上端固定连接有导热弧形圆底盘(7)。

4.根据权利要求3所述一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，其特征在于：所述加热固定装置(2)下端固定连接有固定柱(8)，所述加热固定装置(2)内部开设有加热室(9)。

5.根据权利要求4所述一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，其特征在于：所述加热固定装置(2)上端卡扣连接有固定拉块(10)，所述固定拉块(10)下端卡扣连接有石墨固定块(12)。

6.根据权利要求5所述一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，其特征在于：所述石墨固定块(12)一侧周向固定连接有弹簧(11)，所述石墨固定块(12)一侧周向固定连接有限制块(13)。

技术总结
本技术公开了半导体技术领域一种便于提高外延片均匀性的石墨盘，包括石墨盘主体，石墨盘主体下端卡扣连接有加热固定装置，石墨盘主体底部固定连接有弧形圆底石墨基座，弧形圆底石墨基座圆底弧形结构均匀吸收传导热量，通过设置的石墨盘主体表面光滑，用于保持单晶体生长结构的均匀与稳定，从而提高外延片沉积的均匀性，通过设置的加热固定装置能均匀传递热量给石墨盘主体，用于保持外延片生长过程中所需环境温度，从而提高外延片沉积的均匀性，通过设置的弧形圆底石墨基座圆底弧形结构能均匀吸收传导热量，用于吸收传递加热固定装置所提供的热量保持外延片生长环境所需温度，从而提高外延片沉积的均匀性。

技术研发人员：胡耀武,李超,谈健
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
技术研发日：20230727
技术公布日：2024/3/12