一种砷化镓晶体生长用的加热机构的制作方法

本技术涉及晶体生长加热，更具体地说，本技术涉及一种砷化镓晶体生长用的加热机构。

背景技术：

1、砷化镓是一种无机化合物，为黑灰色固体，熔点1238℃，它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀，同时砷化镓是一种重要的半导体材料；

2、传统的砷化镓晶体生长实验中用的加热装置多使用坩埚与酒精灯进行加热辅助生长，然而此类加热装置在实际使用过程中无法对加热温度进行设定与控制，即无法根据实验所需选择合适的加热温度，其实际使用效果较差，具有一定的局限性；

3、因此，针对上述问题提出一种砷化镓晶体生长用的加热机构。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的上述缺陷，本实用新型提供一种砷化镓晶体生长用的加热机构，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种砷化镓晶体生长用的加热机构，包括主炉体，所述主炉体的外壁固定安装有固定轴，所述固定轴的外壁嵌套安装有转动杆，所述转动杆的底部嵌入安装有底磁块，所述转动杆的顶部嵌入安装有顶磁块，所述转动杆的内壁贴合安装有联结板，所述联结板的内部固定安装有内嵌块，所述联结板的底部固定安装有保护盖，所述主炉体的内壁嵌入安装有内衬套，所述内衬套的底部固定安装有导热台，所述导热台的底部搭接安装有电阻丝，所述内衬套的内壁固定安装有测温探头，所述测温探头的底部搭接安装有信号放大器，所述信号放大器的底部搭接安装有控制器；

3、优选的，所述主炉体的前面固定安装有操控面板。

4、优选的，所述联结板的顶部固定安装有握把。

5、优选的，所述主炉体整体为隔温设计，且中间部位设置有隔温空腔。

6、优选的，所述内嵌块为金属制成，其可被底磁块和顶磁块进行吸附。

7、优选的，所述内衬套具有优良的耐热性，而导热台具有优良的导热效果。

8、优选的，所述操控面板的正视截面呈矩形，且其为触控屏式设计。

9、优选的，所述握把呈“n”字形，且通体圆润。

10、本实用新型的技术效果和优点：

11、1、与现有技术相比，该种砷化镓晶体生长用的加热机构在使用时可通过操控面板对加热温度进行设定，继而通过控制器使电阻丝通电并将电能转化为内能，从而快速对生长实验进行加热，再通过测温探头分别与实验器皿与电阻丝的温度进行检测，若实验器皿温度未达到设定温度，即可使控制器增大电阻丝的输出功率，从而进一步对实验器皿进行加热处理，从而保证晶体的生长温度，且可使联结板向下滑动并使保护盖盖在内衬套的顶部，从而通过保护盖对内衬套和导热台进行保护，其中主炉体整体的隔温设计可极大地避免装置的内能外泄，不仅保证了加热的效率，且极大地避免了工作人员被烫伤的可能性。

技术特征：

1.一种砷化镓晶体生长用的加热机构，包括主炉体(1)，其特征在于：所述主炉体(1)的外壁固定安装有固定轴(2)；

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用的加热机构，其特征在于：所述主炉体(1)的前面固定安装有操控面板(16)。

3.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用的加热机构，其特征在于：所述联结板(6)的顶部固定安装有握把(8)。

4.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用的加热机构，其特征在于：所述主炉体(1)整体为隔温设计，且中间部位设置有隔温空腔。

5.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用的加热机构，其特征在于：所述内嵌块(7)为金属制成，其可被底磁块(4)和顶磁块(5)进行吸附。

6.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用的加热机构，其特征在于：所述内衬套(10)具有优良的耐热性，而导热台(11)具有优良的导热效果。

7.根据权利要求2所述的一种砷化镓晶体生长用的加热机构，其特征在于：所述操控面板(16)的正视截面呈矩形，且其为触控屏式设计。

8.根据权利要求3所述的一种砷化镓晶体生长用的加热机构，其特征在于：所述握把(8)呈“n”字形，且通体圆润。

技术总结
本技术公开了一种砷化镓晶体生长用的加热机构，具体晶体生长加热领域，包括主炉体，主炉体的外壁固定安装有固定轴，固定轴的外壁嵌套安装有转动杆，转动杆的底部嵌入安装有底磁块，转动杆的顶部嵌入安装有顶磁块，转动杆的内壁贴合安装有联结板，联结板的内部固定安装有内嵌块，联结板的底部固定安装有保护盖。本技术在使用时可通过控制器使电阻丝通电并快速对生长实验进行加热，若实验器皿温度未达到设定温度，即可增大电阻丝的输出功率，保证晶体的生长温度，且可使联结板向下滑动并使保护盖盖在内衬套的顶部，并对内衬套和导热台进行保护，其中主炉体整体的隔温设计可极大地避免装置的内能外泄，极大地避免了工作人员被烫伤的可能性。

技术研发人员：卜俊鹏
受保护的技术使用者：浙江康鹏半导体有限公司
技术研发日：20230728
技术公布日：2024/2/25