一种单晶硅复投料装置及单晶炉的制作方法

本发明涉及单晶硅设备，具体而言，涉及一种单晶硅复投料装置及单晶炉。

背景技术：

1、单晶硅的生产一般采用直拉法，为减少成本，逐步采用连续复投料拉晶工艺。目前单晶硅复投料使用的加料装置，存在下列问题：1.硅料下料速度较快易掉落至坩埚外侧，会造成埚帮与加热器位置打火甚至打穿埚帮造成生产事故；2.硅料下料过快掉落至坩埚内时造成液体飞溅粘附，影响后续的硅棒产品品质；3.硅料下料速度快对下方的石英锥造成冲击，影响石英锥的使用寿命。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种单晶硅复投料装置及单晶炉，能够用于单晶硅投料，对下料的速率进行限制和缓冲，减缓下料速度，降低对硅棒的产品品质造成的影响。

2、本发明的第一方面提供了一种单晶硅复投料装置，该单晶硅复投料装置包括筒体、支撑组件、提拉组件和导料件。

3、筒体，所述筒体包括一中空的腔体、进料口和出料口，所述进料口设置于所述腔体的一端，所述出料口设置于所述腔体远离所述进料口的一端；

4、支撑组件，所述支撑组件与所述筒体靠近所述进料口的一端相连接；

5、提拉组件，所述提拉组件包括提拉件和挡料件，所述提拉件与所述支撑组件活动连接，且所述提拉件贯穿于所述腔体，所述挡料件与所述提拉件靠近所述出料口的一端连接，以使所述挡料件能够封闭所述出料口；

6、导料件，设置于所述提拉件，所述导料件设置于所述挡料件和所述支撑组件之间，螺旋式结构的所述导料件能够在所述腔体内形成若干个导料通道。

7、在本发明一个可能的实施例中，所述导料件的数量为三个，所述导料通道的数量为一个，三个所述导料件沿所述提拉件的轴线方向间隔设置。

8、在本发明一个可能的实施例中，多个所述导料件能够连续设置于所述提拉件，所述导料通道的数量为多个，一个所述导料件对应一个所述导料通道。

9、在本发明一个可能的实施例中，相邻两个所述导料通道之间通过隔板分隔。

10、在本发明一个可能的实施例中，两个所述导料通道能够形成双层螺旋式结构。

11、在本发明一个可能的实施例中，所述导料通道的数量为两个，两个所述导料通道的容积相等。

12、在本发明一个可能的实施例中，所述导料通道的数量为两个，两个所述导料通道的容积分别为q1和q2，满足：q2≤q1≤3q2。

13、在本发明一个可能的实施例中，所述导料件能够设置于所述腔体的侧壁面上。

14、在本发明一个可能的实施例中，所述筒体包括多个子筒体，相邻两个所述子筒体之间能够可拆卸地连接。

15、本发明的第二方面提供了一种单晶炉，包括上述任意一个实施例中所述的单晶硅复投料装置。

16、相比于现有技术而言，本发明的有益效果是：本发明提供的单晶硅复投料装置及单晶炉，能够用于单晶硅投料，提拉件与支撑组件活动连接通过控制提拉件带动挡料件移动，使出料口打开或者封闭，通过进料口投料时螺旋式结构的导料件使物料从导料通道进行下料，按照预设的路径下料，导料件对下料的速率进行限制和缓冲，减缓下料速度，以减小对挡料件造成的冲击，延长挡料件的使用寿命，降低对硅棒的产品品质造成的影响。

技术特征：

1.一种单晶硅复投料装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，所述导料件的数量为三个，所述导料通道的数量为一个，三个所述导料件沿所述提拉件的轴线方向间隔设置。

3.根据权利要求1所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，多个所述导料件能够连续设置于所述提拉件，所述导料通道的数量为多个，一个所述导料件对应一个所述导料通道。

4.根据权利要求3所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，相邻两个所述导料通道之间通过隔板分隔。

5.根据权利要求3所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，两个所述导料通道能够形成双层螺旋式结构。

6.根据权利要求3所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，所述导料通道的数量为两个，两个所述导料通道的容积相等。

7.根据权利要求3所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，所述导料通道的数量为两个，两个所述导料通道的容积分别为q1和q2，满足：q2≤q1≤3q2。

8.根据权利要求1至7任一项所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，所述导料件能够设置于所述腔体的侧壁面上。

9.根据权利要求8所述的单晶硅复投料装置，其特征在于，所述筒体包括多个子筒体，相邻两个所述子筒体之间能够可拆卸地连接。

10.一种单晶炉，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的单晶硅复投料装置。

技术总结
本发明提供一种单晶硅复投料装置及单晶炉，涉及单晶硅设备技术领域，该单晶硅复投料装置包括筒体、支撑组件、提拉组件和导料件。筒体包括一中空的腔体、进料口和出料口，支撑组件与筒体相连接；提拉组件包括提拉件和挡料件，提拉件与支撑组件活动连接，且提拉件贯穿于腔体，挡料件与提拉件靠近出料口的一端连接，以使挡料件能够封闭出料口；导料件设置于提拉件，螺旋式结构的导料件能够在腔体内形成若干个导料通道。本发明能够用于单晶硅投料，提拉件与支撑组件活动连接通过控制提拉件带动挡料件移动，导料件对下料的速率进行限制和缓冲，以减小对挡料件造成的冲击，延长挡料件的使用寿命，降低对硅棒的产品品质造成的影响。

技术研发人员：邹凯,莫磊,张国宏,张德林,周文东,杜明,康斌,李殿喜
受保护的技术使用者：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/27