振动的拉晶炉的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体致冷件生产技术领域的设备，特别是涉及拉晶炉。
【背景技术】
[0002]晶粒是制造半导体致冷件的部件，晶粒的主要成分是三碲化二铋，作为制造致冷件的晶粒要求其分子排列整齐，晶粒里面的分子排列越整齐，致冷件的效率就越高。
[0003]晶粒是由晶棒切割而成的，这就要求晶棒里面的分子排列是整齐的。
[0004]制造晶棒时，对其里面的分子进行排列的过程就是拉晶，拉晶是在拉晶炉中进行的，原料盛装在拉晶管中进行拉晶，现有技术中，拉晶炉中没有振动装置，这样拉晶的过程就在静止的状态下进行，具有拉晶效果差、拉晶时间长、生产效率低的缺点。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种拉晶效果好、生产效率高的拉晶炉振动的拉晶炉。
[0006]本实用新型的技术方案是这样实现的:振动的拉晶炉，包括炉体，炉体具有炉腔，在炉腔内具有安装拉晶管的卡座，所述的炉腔内还有拉晶套，拉晶套是对产品进行拉晶的部件，其特征是:所述的卡座下面设置有振动装置。
[0007]进一步地讲，所述的振动装置的振幅是I一2毫米，频率是20— 25赫兹。
[0008]进一步地讲，所述的振动装置连接控制装置，所述的拉晶套连接控制装置，在拉晶进行到三分之二时，控制装置可以使振动装置停止工作。
[0009]本实用新型的有益效果是:
[0010]1、这样的振动的拉晶炉具有拉晶效果好、生产效率高的优点；
[0011]2、所述的振动装置的振幅是I一2毫米，频率是20— 25赫兹，具有效果更好的优占.V，
[0012]3、所述的振动装置连接控制装置，所述的拉晶套连接控制装置，在拉晶进行到三分之二时，控制装置可以使振动装置停止工作，具有自动化程度高的优点。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的剖面结构示意图。
[0014]其中:1、炉体 2、炉腔 3、卡座4、拉晶套5、振动装置 6、拉晶管 7、控制装置。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0016]如图1所示，振动的拉晶炉，包括炉体1，炉体具有炉腔2，在炉腔内具有安装拉晶管的卡座3，所述的炉腔内还有拉晶套4，拉晶套是对产品进行拉晶的部件，其特征是:所述的卡座下面设置有振动装置5，这样拉晶的过程中，拉晶管6就会处于振动状态，有利于其里面分子的排列，具有本实用新型的优点。
[0017]进一步地讲，所述的振动装置的振幅是I一2毫米，频率是20— 25赫兹，这样可以取得较好的拉晶效果。
[0018]进一步地讲，所述的振动装置连接控制装置7，所述的拉晶套连接控制装置，在拉晶进行到三分之二时，控制装置可以使振动装置停止工作。在拉晶的后期，拉晶管处于静止状态，其拉晶的效果更好。
[0019]以上所述仅为本实用新型的具体实施例，但本实用新型的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新型的专利范围内。
【主权项】
1.振动的拉晶炉，包括炉体，炉体具有炉腔，在炉腔内具有安装拉晶管的卡座，所述的炉腔内还有拉晶套，拉晶套是对产品进行拉晶的部件，其特征是:所述的卡座下面设置有振动装置。2.根据权利要求1所述的拉晶炉，其特征是:所述的振动装置的振幅是I一2毫米，频率是20—25赫兹。3.根据权利要求1或2所述的拉晶炉，其特征是:所述的振动装置连接控制装置，所述的拉晶套连接控制装置，在拉晶进行到三分之二时，控制装置可以使振动装置停止工作。
【专利摘要】本实用新型涉及半导体致冷件生产技术领域的设备，名称是振动的拉晶炉，包括炉体，炉体具有炉腔，在炉腔内具有安装拉晶管的卡座，所述的炉腔内还有拉晶套，拉晶套是对产品进行拉晶的部件，所述的卡座下面设置有振动装置，所述振动装置的振幅是1—2毫米，频率是20—25赫兹，所述的振动装置连接控制装置，所述的拉晶套连接控制装置，在拉晶进行到三分之二时，控制装置可以使振动装置停止工作，这样的振动的拉晶炉具有拉晶效果好、生产效率高的优点。
【IPC分类】C30B15/00
【公开号】CN204752898
【申请号】CN201520589703
【发明人】陈磊, 刘栓红, 赵丽萍, 张文涛, 蔡水占, 郭晶晶, 张会超, 陈永平, 王东胜, 惠小青, 辛世明, 田红丽
【申请人】河南鸿昌电子有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年8月4日