技术特征：
1.一种化合物，具有式i所示的结构：其中，所述x
+
为金属阳离子；所述y-为与烷基侧链连接的阴离子；n为100～300的正整数。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述x
+
为碱金属阳离子；两个所述y-分别独立地选自so
3-或卤素阴离子；n为180～220的正整数。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，两个所述x
+
分别独立地选自k
+
、na
+
；两个所述y-分别独立地选自so
3-、br。4.一种化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将结构式为的化合物a、结构式为的化合物b和钯催化剂混合，再加入溶剂和碱性溶液，得混合物，其中，所述x
+
为金属阳离子；所述y-为与烷基侧链连接的阴离子；所述r1为卤素，所述r2为卤素，所述r3为硼酸酯基，所述r4为硼酸酯基；
将所述混合物在80-120℃的条件下，反应20h-28h，生成具有式i所示的结构的化合物：其中，所述n为100～300的正整数。5.根据权利要求4所述的化合物的制备方法，其特征在于，所述化合物a选自2,7-二溴-9,9-双(6-磺酸酯丁基)芴二钠、2,7-二溴-9,9-双(6-溴丁基)芴二钠、2,7-二溴-9,9-双(6-磺酸酯丁基)芴二钾或2,7-二溴-9,9-双(6-溴丁基)芴二钾。6.根据权利要求4-5任一项所述的化合物的制备方法，其特征在于，所述钯催化剂为四(三苯基膦)钯；及/或，所述溶剂选自二甲基甲酰胺和甲苯；及/或，所述碱性溶液为碳酸钠水溶液。7.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管具有界面修饰层，所述界面修饰层的原料包括权利要求1-3任一项所述的化合物，或权利要求4-6任一项所述的制备方法制得的化合物；所述界面修饰层设于所述量子点发光二极管的量子点发光层和电子传输层之间，及/或，所述界面修饰层设于所述量子点发光二极管的量子点发光层和空穴传输层之间。8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述界面修饰层的厚度小于20nm。9.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管为正置量子点发光二极管，所述界面修饰层设于正置量子点发光二极管的量子点发光层和电子传输层之间；或者，所述量子点发光二极管为倒置量子点发光二极管，所述界面修饰层设于所述倒置量子点发光二极管的量子点发光层和空穴传输层之间。10.根据权利要求7-9任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层中，量子点发光材料选自ii-vi族化合物半导体、iii-v族化合物半导体、i-iii-vi族化合物半导体和钙钛矿量子点中的一种或几种；及/或，所述电子传输层的材料为金属氧化物；及/或，所述空穴传输层的材料选自有机空穴传输材料或无机空穴传输材料。