一种空穴传输材料及具有其的OLED显示装置的制作方法

本发明涉及oled显示装置领域，具体地说，涉及一种空穴传输材料及具有其的oled显示装置。

背景技术：

1、有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。oled显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，从而广泛的应用于高性能显示领域。

2、oled显示装置中的发光层包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，通常采用共通层连接起来。而在全显示过程中，作为共通层的空穴注入/传输层容易产生横向串扰，尤其是横向传输的空穴经空穴注入/传输层流向与该发光层相邻的像素，从而造成相邻像素也发光，进而导致电致发光器件在低灰阶下出现色偏现象。

技术实现思路

1、针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种具有二聚对二甲苯基结构的空穴传输材料及具有其的oled显示装置，可以使蒸镀后形成的电阻大的薄膜，降低漏电流从而实现抑制串扰的效果。

2、根据本发明的一个方面，提供了一种空穴传输材料，具有式i所示结构的化合物：

3、

4、其中，r1-r16各自独立的为式ii、氢、氘、氚、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂芳基，

5、

6、其中，r17-r18各自独立的为氢、氘、氚、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂芳基；l表示单键、取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚杂芳基、取代或未取代的芳亚烷基或者取代或未取代的杂芳亚烷基。

7、优选的：所述r1、r7各自独立的为式ii。

8、优选的：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为氢、氘、氚、碳原子数1-40的烷基、碳原子数为2-40烯基、或者碳原子数为3-40的环烷基。

9、优选的：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-40的芳基或者碳原子数为6-50的杂芳基。

10、优选的：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-50的芳氧基或者碳原子数为1-40的烷氧基。

11、优选的：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-40的芳胺基、碳原子数为3-40的杂环烷基、碳原子数为1-40的烷基甲硅烷基、碳原子数为1-40的烷基硼基或者碳原子数为12-40的芴基或杂芴基。

12、优选的：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-40芳基硼基、碳原子数为6-40的芳基膦基或碳原子数为6-40的芳基甲硅烷基。

13、优选的：所述r1、r7相同，所述r2-r6、r8-r18相同。

14、优选的：所述式i呈中心对称结构。

15、根据本发明的另一个方面，还提供一种oled显示装置，所述oled显示装置中具有根据上述任一项所述的空穴传输材料。

16、本发明的一种空穴传输材料及具有其的oled显示装置，采用电阻率大的空穴传输材料，并搭配合适的给电子材料体系。其中的空穴传输性材料具有二聚对二甲苯基，由于其较大的空间立体结构且具备良好稳定性，可以使蒸镀后形成的电阻大的薄膜，降低漏电流从而实现抑制串扰的效果。

技术特征：

1.一种空穴传输材料，其特征在于，具有式i所示结构的化合物：

2.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于：所述r1、r7各自独立的为式ii。

3.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为氢、氘、氚、碳原子数1-40的烷基、碳原子数为2-40烯基、或者碳原子数为3-40的环烷基。

4.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-40的芳基或者碳原子数为6-50的杂芳基。

5.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-50的芳氧基或者碳原子数为1-40的烷氧基。

6.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-40的芳胺基、碳原子数为3-40的杂环烷基、碳原子数为1-40的烷基甲硅烷基、碳原子数为1-40的烷基硼基或者碳原子数为12-40的芴基或杂芴基。

7.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于：所述r2-r6、r8-r18各自独立地为碳原子数为6-40芳基硼基、碳原子数为6-40的芳基膦基或碳原子数为6-40的芳基甲硅烷基。

8.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于：所述r1、r7相同，所述r2-r6、r8-r18相同。

9.根据权利要求2所述的空穴传输材料，其特征在于：所述式i呈中心对称结构。

10.一种oled显示装置，其特征在于：所述oled显示装置中具有根据权利要求1-9任一项所述的空穴传输材料。

技术总结
本发明提供了一种空穴传输材料及具有其的OLED显示装置，具有式I所示结构的化合物：(式I)，其中，R1‑R16各自独立的为式II、氢、氘、氚、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，(式II)其中，R17‑R18各自独立的为氢、氘、氚、取代或未取代的炔基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；L表示单键、取代或未取代的亚芳基、取代或未取代的亚杂芳基、取代或未取代的芳亚烷基、取代或未取代的杂芳亚烷基。本发明的技术方案降低漏电流从而实现抑制串扰的效果。

技术研发人员：俞云海
受保护的技术使用者：上海和辉光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17