清洗液及半导体装置的制造方法与流程

文档序号:37439221发布日期:2024-03-28 18:22阅读:11来源:国知局
清洗液及半导体装置的制造方法与流程

本发明的实施方式涉及清洗液及半导体装置的制造方法。本申请以2022年9月26日提出的日本专利申请第2022-152645号为基础申请主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。


背景技术:

1、近年来,对半导体的高可靠性化的要求在增加。半导体装置例如因热应力、高温高湿环境等,以在模压树脂和框间剥离成为契机而发生故障,有时不能满足高可靠性要求。


技术实现思路

1、根据实施方式,提供一种含有乙二醇醚系清洗剂和用下述式(1)表示的化合物的清洗液。

2、[化学式1]

3、

4、其中,r为nh2基或h,n为1以上。

5、此外,根据实施方式,能够提供半导体装置的制造方法。实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括通过软钎焊将半导体芯片接合在导电部件上、用实施方式涉及的清洗液清洗导电部件及半导体芯片、以及用树脂将导电部件的至少一部分和半导体芯片密封等步骤。

6、根据本实施方式,能够提供可抑制高温高湿下不良发生的清洗液、采用该清洗液的半导体装置的制造方法。



技术特征:

1.一种清洗液,其含有:

2.根据权利要求1所述的清洗液,其中,所述n为3以上且5以下。

3.根据权利要求1所述的清洗液,其中,所述乙二醇醚系清洗剂可用下述式(2)表示,

4.一种半导体装置的制造方法,其中,包括下述步骤:


技术总结
本发明的实施方式提供一种清洗液及半导体装置的制造方法。根据实施方式,提供一种含有乙二醇醚系清洗剂和用下述式(1)表示的化合物的清洗液。式中,R为NH<subgt;2</subgt;基或H,n为1以上。[化学式1]

技术研发人员:安居雅人
受保护的技术使用者:株式会社东芝
技术研发日:
技术公布日:2024/3/27
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