本发明涉及吸波材料，具体涉及一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法。
背景技术：
1、电子元器件广泛应用于互联网、通信领域。随着高集成度、多层设计、小型化设计的集成电路发展，以及5g技术的成熟发展使电子器件的工作频率大幅提升和设备的小型集成化造成器件内部和器件质检的电磁波辐射干扰明显加重，在产品设计过程中不得不考虑这一不利影响。针对这一问题，在传统的防水硅胶垫片上赋予其特殊的电磁波吸收抗干扰功能，应用于电子产品中信号转接口、器件插拔卡槽等有防水需求且有明显电磁辐射或受电磁辐射干扰的位置，在解决防水问题同时有效抑制信号干扰和电磁辐射问题。
2、目前，市场已有的吸波片材料由树脂和磁性材料复合制成片状，再由应用厂家裁成各自定制形状贴附于所需设备。该材料吸波有两种方式，一是通过吸收电磁波将能量转化为热量，降低电磁波干扰，另一种是通过反射电磁波。但是应用于电子产品中信号转接口、器件插拔卡槽等有防水需求且有明显电磁辐射或受电磁辐射干扰的位置的硅胶膜必须具有高撕裂强度、低硬度，而现有的吸波硅胶膜存在撕裂强度低、硬度高的问题，限制了吸波硅胶膜的应用、缩短了吸波硅胶膜的使用寿命。
技术实现思路
1、本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。
2、本发明的另一目的在于提供高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法。
3、本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，它包含以下重量份的原料：
4、有机硅树脂： 5～60； 交联剂： 0.1～10；
5、铂金： 0.001～0.5； 电磁波吸收剂： 40～100；
6、其中，所述的交联剂由为有机硅低聚物交联剂与mq硅树脂或/和改性乙烯基蒙脱土的混合。
7、作为优选技术方案，它包含以下重量份的原料：
8、有机硅树脂： 50； 交联剂： 8；
9、铂金： 0.05； 电磁波吸收剂： 100。
10、进一步地，所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度均为100～20000 mpa·s。
11、进一步地，所述有机硅低聚物交联剂由硅烷偶联剂缩合而成，具体方法为：
12、取硅烷偶联剂100重量份、水1～50重量份、乙酸0.1～5重量份加入反应釜内搅拌并升温至25～90℃，反应30～300 min，减压蒸馏处体系中的水分和乙酸制得有机硅低聚物交联剂。
13、进一步地，所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基乙氧基硅烷、烯丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、四烯丙基硅烷、三乙烯基甲基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二正丁基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油基丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷或3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷中的至少一种。
14、进一步地，所述电磁波吸收剂为基铁粉、铁硅铝粉、铁硅铬粉、铁硅镍粉、铁钴镍粉、碳化硅粉或硼硅酸铝粉的一种或多种的混合。
15、进一步地，所述电磁波吸收剂还包括预处理的步骤：电磁波吸收剂经ph为5～6的盐酸或乙酸溶液搅拌洗涤3～30min除锈，抽滤并水洗2～4次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，室温～90℃下搅拌20～120min，反应后抽滤水洗5～7次，乙醇洗涤2～3次，55～65℃真空烘12～48h。
16、进一步地，所述偶联剂水解液的制备如下：选取1～50重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、2-丁烯基三乙氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷中的一种或多种，加入到100～500重量份ph为5～6的盐酸溶液中室温下搅拌20～90min进行水解。
17、进一步地，所述防水吸波硅胶膜的邵氏硬度为10～45a，撕裂强度为2～8n/mm。
18、一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法，按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度200～800r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到不同厚度的流延膜，将流延膜在100～120℃烘烤25～35min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。
19、本发明中的有机硅树脂为双组份加成型硅树脂即乙烯基硅树脂和含氢硅树脂，粘度均在100~20000mp.s内，为多种不同粘度硅树脂的混合物，反应活性点（乙烯基、硅氢键）不限于在分子链两端和分子链内侧。交联剂由硅烷偶联剂缩合制得液态有机硅低聚物交联剂与mq硅树脂或/和改性乙烯基蒙脱土填料组成，该复配的交联剂组份可以有效降低体系的粘度，通过不同配比可以实现不同程度的交联密度设计来优化加成型硅胶固化后的硬度和撕裂强度等力学特性。本发明的电磁波吸收剂表面产生可反应性官能团，吸收剂经过处理去除粉体粒子表面的油和锈，同时赋予粒子表面可反应官能团或改变粒子的表面能，实现填料粒子与有机硅树脂基体更好的混合分散效果、实现填料粒子和胶体树脂间的化学键联从而提高整体的力学性能。
20、本发明具有以下优点：本发明提供了一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜及其制备方法，在传统的防水硅胶垫片上赋予其特殊的电磁波吸收抗干扰功能，应用于电子产品中信号转接口处或器件插拔卡槽处，有效抑制信号干扰和电磁辐射问题。本发明提供的高撕裂强度低硬度防水吸波硅胶膜片基于双组加成型硅胶热硫化工艺，经交联单体设计、粉体填料改性、硅树脂改性等有效解决在加入一定量的吸波填料后硅胶膜片易撕裂强度低和硬度偏高问题，该产品的邵氏硬度在10～45a，撕裂强度在2～8n/mm。
1.一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，它包含以下重量份的原料：
2.根据权利要求1所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，它包含以下重量份的原料：
3.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述有机硅树脂乙烯基硅胶树脂和含氢硅树脂的混合物，两种树脂的粘度均为100～20000mpa·s。
4.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述有机硅低聚物交联剂由硅烷偶联剂缩合而成，具体方法为：
5.根据权利要求4所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述硅烷偶联剂为乙烯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基乙氧基硅烷、烯丙基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基二甲基乙氧基硅烷、四烯丙基硅烷、三乙烯基甲基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二正丁基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油基丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷或3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述电磁波吸收剂为基铁粉、铁硅铝粉、铁硅铬粉、铁硅镍粉、铁钴镍粉、碳化硅粉或硼硅酸铝粉的一种或多种的混合。
7.根据权利要求1或2或6所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述电磁波吸收剂还包括预处理的步骤：电磁波吸收剂经ph为5～6的盐酸或乙酸溶液搅拌洗涤3～30min除锈，抽滤并水洗2～4次，然后转移至反应釜中并加入偶联剂水解液，室温～90℃下搅拌20～120min，反应后抽滤水洗5～7次，乙醇洗涤2～3次，55～65℃真空烘12～48h。
8.根据权利要求7所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述偶联剂水解液的制备如下：选取1～50重量份的乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、2-丁烯基三乙氧基硅烷、丙烯基三甲氧基硅烷中的一种或多种，加入到100～500重量份ph为5～6的盐酸溶液中室温下搅拌20～90min进行水解。
9.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜，其特征在于，所述防水吸波硅胶膜的邵氏硬度为10～45a，撕裂强度为2～8n/mm。
10.根据权利要求1或2所述的一种高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜的制备方法，其特征在于，按配方比例称取各原料，混合后高速搅拌，搅拌速度200～800r/min，再经三辊机进行分散2次，制得流动性混合浆料；流动性混合浆料经流延机，控制流延机刀高得到不同厚度的流延膜，将流延膜在100～120℃烘烤25～35min，制得高撕裂强度低硬度的防水吸波硅胶膜。