本发明涉及一种防辐射去塑膜及其制备方法。
背景技术：
1、防辐射去塑膜属于一种具有防辐射性质的聚合物膜。采用tpu膜，即热塑性聚氨酯，是一种具有优秀机械性能和加工性能的聚合物材料，广泛应用于多个领域，例如医疗、汽车和电子产品。然而，现有的tpu膜可能无法有效屏蔽电子设备产生的辐射。
2、随着科学技术的发展和人们对健康的重视，需求对能够屏蔽辐射的聚合物膜的需求日益增长。而对于多数用户来说，如何在保持tpu膜本身优良性能的同时赋予其防辐射功能，是一个迫切需要解决的问题。一般而言，目前市面上的防辐射材料主要是金属基的，这些材料虽然能有效屏蔽辐射，但往往重量大、成本高，并且不具备良好的柔韧性和透明性。
3、现有的一些研究和开发已经尝试在tpu膜中掺杂不同的填料，例如金属粉末或特殊的无机化合物，来赋予其防辐射功能。然而，这些方法可能会影响tpu膜的机械性能、透明性和加工性能，且掺杂的成分可能会在一定条件下从膜中析出，影响使用安全性。
4、因此，开发一种具有良好防辐射性能且不影响原有tpu膜性能的防辐射去塑膜成为了科学研究和工业应用的一个重要目标。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是提供了一种防辐射去塑膜及其制备方法。
2、具体的，本发明的技术方案为：
3、本发明提供了一种防辐射去塑膜，包括基膜和功能性涂膜，所述功能性涂膜，由下述重量份原材料制备而成：
4、60-70份热塑性丙烯酸树脂；
5、25-35份乙酸乙酯；
6、0.5-1.1份润湿分散剂；
7、2-6份掺锑氧化锡。
8、本发明公开了一种所述防辐射去塑膜的制备方法，包括下述步骤：
9、将热塑性丙烯酸树脂、乙酸乙酯和润湿分散剂，搅拌均匀；
10、再加入掺锑氧化锡，搅拌均匀，得到功能性涂膜；
11、将所述功能性涂膜均匀涂覆在基膜上，烘干。
12、优选地，所述功能性涂膜，由下述重量份原材料制备而成：
13、60-70份热塑性丙烯酸树脂；
14、25-35份乙酸乙酯；
15、0.5-1.1份润湿分散剂；
16、2-6份偶联剂改性掺锑氧化锡。
17、优选地，所述偶联剂改性掺锑氧化锡，采用偶联剂对掺锑氧化锡改性而成。
18、优选地，所述偶联剂与掺锑氧化锡的质量比为(5-10):100。
19、优选地，所述偶联剂改性掺锑氧化锡，采用下述方法制备而成：将偶联剂与掺锑氧化锡混合均匀。优选地，采用球磨方式将偶联剂与掺锑氧化锡混合均匀。
20、优选地，所述偶联剂为硅烷偶联剂、钛酸酯类偶联剂、铝酸酯偶联剂、有机铬络合物偶联剂或锆化合物偶联剂。
21、优选地，所述偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、3-氯丙基三乙氧基硅烷(cas号：5089-70-3)、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷(硅烷偶联剂kh-550)、乙烯基三叔丁基过氧基硅烷、异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基三(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯(cas号：65345-34-8)、异丙基二油酸酰氧基(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、单烷氧基不饱和脂肪酸钛酸酯、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯、氨丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷(cas：4420-74-0)、丙烯酸基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷、n-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三叔丁基过氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基氨丙基三甲氧基硅烷、γ-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、dl-411型铝酸酯偶联剂、dl-482型铝酸酯偶联剂、rca铝酸酯偶联剂、chy-501铝酸酯偶联剂、四正丙基锆酸酯(cas号：23519-77-9)和甲基丙烯酸铬中的至少一种。
22、进一步优选地，所述偶联剂为四正丙基锆酸酯。
23、本发明公开了一种所述防辐射去塑膜的制备方法，包括下述步骤：
24、将热塑性丙烯酸树脂、乙酸乙酯和润湿分散剂，搅拌均匀；
25、再加入偶联剂改性掺锑氧化锡，搅拌均匀，得到功能性涂膜；
26、将所述功能性涂膜均匀涂覆在基膜上，烘干。
27、本发明通过采用掺锑氧化锡提升膜层防辐射性能，再通过偶联剂改性掺锑氧化锡进一步提升膜层防辐射性能。
1.一种防辐射去塑膜，包括基膜和功能性涂膜，其特征在于，所述功能性涂膜，由下述重量份原材料制备而成：
2.一种防辐射去塑膜，包括基膜和功能性涂膜，其特征在于，所述功能性涂膜，由下述重量份原材料制备而成：
3.如权利要求2所述的防辐射去塑膜，其特征在于：所述偶联剂改性掺锑氧化锡，采用偶联剂对掺锑氧化锡改性而成。
4.如权利要求3所述的防辐射去塑膜，其特征在于：所述偶联剂与掺锑氧化锡的质量比为(5-10):100。
5.如权利要求2所述的防辐射去塑膜，其特征在于，所述偶联剂改性掺锑氧化锡，采用下述方法制备而成：将偶联剂与掺锑氧化锡混合均匀。
6.如权利要求3所述的防辐射去塑膜，其特征在于：所述偶联剂为硅烷偶联剂、钛酸酯类偶联剂、铝酸酯偶联剂、有机铬络合物偶联剂或锆化合物偶联剂。
7.如权利要求6所述的防辐射去塑膜，其特征在于：所述偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、3-氯丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三叔丁基过氧基硅烷、异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基三(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基二油酸酰氧基(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、单烷氧基不饱和脂肪酸钛酸酯、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯、氨丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、丙烯酸基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷、n-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三叔丁基过氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基氨丙基三甲氧基硅烷、γ-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、dl-411型铝酸酯偶联剂、dl-482型铝酸酯偶联剂、rca铝酸酯偶联剂、chy-501铝酸酯偶联剂、四正丙基锆酸酯和甲基丙烯酸铬中的至少一种。
8.如权利要求7所述的防辐射去塑膜，其特征在于：所述偶联剂为四正丙基锆酸酯。
9.一种如权利要求1所述防辐射去塑膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
10.一种如权利要求2-8任一项所述防辐射去塑膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：