气体喷嘴座的制作方法

文档序号:3746140阅读:251来源:国知局
专利名称:气体喷嘴座的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种气体喷嘴座,尤其涉及一 种可大幅减少微粒或灰尘等外来物堆积在气流道的气体喷嘴座。
背景技术
在半导体工艺中,因工艺需要而会将晶圆片、光罩等半导体组件容置在储存匣内, 之后利用喷嘴装置填充例如氮气的气体至储存匣内,以避免储存匣内所容置的晶圆片、光罩或其它半导体组件受到氧化及微粒污染。举例而言,在45纳米工艺下,晶粒(die)与晶粒之间的间隔更小,故对于大幅减少微粒或灰尘堆积污染的要求也越来越严格。公知的气体喷嘴装置如图1所示,其包含喷嘴座100、喷嘴110及气体输送装置 120,该喷嘴座100用以承载该喷嘴110以及用于与该气体输送装置120连接。该喷嘴座 100在存放半导体组件的储存匣的领域中,通常被固定在一储放架(图未示)上,且在该储放架上配置有气体输送装置120以与该喷嘴座100连接。该喷嘴110则在储存匣置放时与储存匣的进气口对接,进而将气体输送至储存匣内。请参阅图2,图1中的喷嘴座的剖面图。在喷嘴座100的中间部位具有贯通喷嘴座 100的气道103,并借由侧边延伸部上的贯孔105供固定组件将喷嘴座100固设在前述的储放架上。在气道内并具有供喷嘴110固定的凹槽。然而,在公知技术的喷嘴座结构下,微粒或灰尘容易堆积在喷嘴110内或气道103 内,因此,在储存匣与喷嘴座100连接并通气时,堆积的微粒或灰尘就会随着气流进入储存匣内,造成晶圆片、光罩或其它半导体组件的污染。
发明内容本实用新型涉及一种气体喷嘴座,其可避免微粒、灰尘或其它外来物堆积在喷嘴座内,并可适用于各种需要防止微粒、灰尘或其它外来物堆积的气体输送结构中。在实施例中,本实用新型的气体喷嘴座包含本体及盖体,该本体被主气道所贯通,在该本体顶面的周缘则有导流结构,在该本体的侧面则侧向延伸有延伸部,其中,至少一个副气道贯通该延伸部;至于该盖体则具有贯通该盖体的通道并使前述本体固定在该通道中,该通道之上开口周缘向该通道的壁面形成有另一导流结构,其中,该上开口周缘与该本体顶面周缘间具有间隙。在实施例中,该本体顶面周缘具有的导流结构可为呈倒角结构的第一外倒角;而该盖体上形成的另一导流结构则可为呈内倾角结构的第一内倾角。其中,该延伸部更可低于该本体顶面;以及,在该盖体上,该通道的上开口的面积可小于该通道的下开口的面积, 并借由该延伸部将该盖体固定在该本体上。在实施例中,前述第一外倒角与一水平面呈第一夹角,该第一内倒角与该水平面呈第二夹角,该第一夹角可大于该第二夹角。其中,该第一夹角还可约为30度至90度,该第二夹角还可约为30度。[0010]在实施例中,该盖体的顶面与该本体的顶面位于同一水平面,且该主气道的壁面具有至少一个凹槽。在实施例中,该本体还具有供固定组件固设的至少一个贯孔。在实施例中,该盖体与该延伸部可借由紧迫方式将该盖体固定在该本体上。在实施例中,该通道的下开口周缘还可具有呈倒角结构的第二内倒角。在实施例中,以俯视角度观之,该本体、该延伸部及该盖体可具有圆形、椭圆形、矩形、三角形或多边形等的外形。在实施例中,本实用新型的气体喷嘴座可应用于用来存放半导体组件的储存匣, 用以将气体导入该储存匣,该气体喷嘴座包含具有主气道的本体,该气体喷嘴座的特征在于在该本体上还包含盖体,在该本体的侧边则具有至少一个副气道,该盖体具有至少一个导流结构以使流经该至少一个副气道的气流可在该本体上方形成气流壁。在实施例中,该盖体的至少一个导流结构为在该盖体内壁具有的第一内倾角;及该本体上还包含作为导流结构的第一外倒角;其中,该第一内倾角与该第一外倒角的角度搭配用以使流经该至少一个副气道的气流在该本体上方形成该气流壁。在实施例中,该主气道贯通该本体,该盖体供该本体固定在其内且该盖体未遮蔽该主气道,该至少一个副气道位于该本体侧的延伸部上且位于该盖体的下方。在实施例中,该第一外倒角与水平面呈第一夹角,该第一内倾角与该水平面呈第二夹角,该第一夹角大于该第二夹角。由此,本实用新型利用喷嘴座结构上的特点,使气流可在喷嘴周围形成气流壁,进而可避免微粒、灰尘或其它外来物进入喷嘴座内。

图1为公知气体喷嘴装置的立体图。图2为图1中的喷嘴座的剖面图。图3为本实用新型一实施例中气体喷嘴座的分解立体图。图4为根据图3的气体喷嘴座的組合立体图。图5为沿图4的aa’线段的剖面视图。图6为本实用新型一实施例中气体喷嘴座与喷嘴结合的剖面视图。图7为本实用新型另ー实施例中气体喷嘴座的上视图。主要组件符号说明100 喷嘴座103 气道105 贯孔110 喷嘴120 气体输送装置200 本体202 导流结构(第一外倒角)204 延伸部206 贯孔[0037]210主气道212凹槽220副气道300盖体302导流结构(第一内倾角)304第二内倒角310通道400喷嘴A气流壁G间隙aa'剖面线
具体实施方式
为充分了解本实用新型的目的、特征及功效,现借由下述具体的实施例,并配合所附的图形,对本实用新型做详细说明,说明如后本实用新型可利用喷嘴座在结构上的特征来在喷嘴周围形成气流壁,进而可避免微粒、灰尘或其它外来物进入喷嘴座内,并进而减少微粒、灰尘或其它外来物堆积在喷嘴内的机会。在其中一方面,这些结构可使得用以存放晶圆片、光罩等半导体组件的储存匣得以减少被微粒、灰尘或其它外来物污染的机会。请同时参阅图3、4及5,图3是本实用新型一实施例中气体喷嘴座的分解立体图; 图4为根据图3的气体喷嘴座的组合立体图;图5为沿图4的aa’线段的剖面视图。在一种实施例中,本实用新型的喷嘴座包含本体200及盖体300,该本体200被贯通有主气道210,在该本体200侧边则具有至少一个副气道220 ;该盖体300则被贯通有通道310,并使该本体200得以固定在该通道310中,从而该盖体300供该本体200固定在其内且该盖体300未遮蔽该主气道210。在该本体200的顶面周缘具有导流结构202,而在盖体300的该通道310的上开口周缘向该通道310的壁面形成有另一导流结构302。其中,至少一个副气道220形成在本体200侧面的侧向延伸的延伸部204上且位于该盖体的下方,该至少一个副气道220贯通该延伸部204,以供气流通过。此外,盖体300之上开口周缘与本体200的顶面周缘间具有间隙G,以供形成气流壁的气体的流出。由此,副气流道 220使气体可以进入盖体300与延伸部204间的空间,并由间隙G流出,进而可在喷嘴座上方形成气流壁。请再参阅图3、4及5,在较佳的实施例中,本体200的顶面周缘具有的导流结构 202可为倒角或倾角,如图所示的第一外倒角202 ;至于盖体300上具有的另一导流结构 302也可为倒角或倾角,如图所示的第一内倾角302。该第一内倾角302与该第一外倒角 202的角度搭配用以使流经该至少一个副气道220的气流在该本体200上方形成该气流壁。 然而,熟悉该项技术者应了解的是,导流结构并不仅限于倒角或倾角,无论是在本体200上或盖 体300上,任何能引导气流的结构变化都属于本实用新型的范畴,例如倒角及倾角可变化为弧形的边缘及弧形的壁面,或变化为具有导流沟槽的边缘及壁面等。在本实施例中,气流可在盖体300及本体200的延伸部204间流动。在一个较佳实施例中,延伸部204低于该本体200的顶面,借由盖体300及低于本体200顶面的延伸部 204间形成的空间,供气流在其间流动;更佳地,是如图3、4及5中所示,本体200的顶面与延伸部204的顶面呈阶梯状的阶面,且该本体200、该延伸部204及该盖体300在俯视角度的观点上来看都具有圆形的外形,如此一来,经由副气道220流入的气流可在环状的空间中流动,并由前述的间隙G流出,其中,阶梯状的阶面能使盖体300与延伸部204间形成的空间较大,进而更有利于气流壁的形成。然而,熟悉该项技术者应了解的是,本体200的顶面与延伸部204间就算非形成阶梯状的阶面也可将气流导引至本体200的上方,例如延伸部204与本体200顶面间(即图3及5中的阶梯状部分)的弧形曲面、倾斜曲面,甚至于即使在延伸部204的顶面与盖体300的通道壁面间相当靠近的状态下,只要导流结构(第一内倾角)302及延伸部204间的导引能使气流由前述的间隙G流出,就能达成本实用新型欲形成的气流壁。图3、4及5的实施例中,盖体300的通道310的上开口面积小于该通道310的下开口面积,如此,可借由本体200的延伸部204将该盖体300固定在该本体200上,在较佳的实施例方式中,盖体300与延伸部204是借由紧迫方式将盖体300固定在本体200上,且盖体300的通道301的下开口周缘更可具有呈倒角结构的第二内倒角304,如此可更有利于紧迫固定的实施,其中,紧迫的固定方式是指盖体300的下开口面积略小于本体200延伸部 204在水平面上所扩展的面积,如此可利用盖体300的应力来夹持本体200的延伸部204。 然而,熟悉该项技术者也可了解到,固定的方式并不仅限于本实用新型实施例所述的紧迫方式,也可在延伸部204的侧面形成螺纹,在盖体300的通道310壁面的相对处则设有对应的螺纹,如此即可利用螺旋紧固方式来固定,以及,其它的固定的方式,如黏着、卡扣等方式都适用于本实用新型。接着请参阅图6,本实用新型一实施例中气体喷嘴座与喷嘴结合的剖面视图。此剖面图中的气体喷嘴座是以图4中的垂直于aa’线段的线段下的剖面视图。在此实施例中, 导流结构202 (第一外倒角)与水平面呈第一夹角θ工(锐角),导流结构302 (第一内倾角) 与该水平面呈第二夹角θ2(锐角),其中,为使有较佳的气流壁形成效果,该第一夹角91较佳地是大于该第二夹角θ 2 ;且在更佳的条件下,第一夹角Q1约为30度至90度(例如60 度),第二夹角θ 2约为30度。图6中的喷嘴400可借由本体200主气道210的壁面内的至少一个凹槽212来设置在本体200上,凹槽的数量与形状则可根据喷嘴400的外形来进行各种不同的适度调整。 该盖体300的顶面与该本体200的顶面更可位于同一水平面上,如此对于气流壁A的形成有更好的帮助。本实用新型所图示(图3 6)的实施例中,喷嘴座的固定是借由图形中本体200 上的至少一个贯孔206来实施,利用固定组件(图未示)的旋入、钉入或钻入等方式来将喷嘴座固定在储放架(图未示)上。然而本实用新型并非以此为限,贯孔206也可设在延伸部204上,甚至可以不需要贯孔,而将本体200底部直接黏着在储放架上,各种可将喷嘴座固定在储放架上的固定方式都可适用本实用新型。主气道及副气道的气流供应属流体运输的公知技术,在此不再赘述。据此,本实用新型利用盖体及副气道的设置来在本体上方形成气流壁,本实用新型揭露的实施例为其中一种实施态样,其它实施方式在前述内文中也有所提示,然而,在不悖离本实用新型精神下的各种变化仍属本实用新型的范围,例如副气道的数量、导流结构的变化、喷嘴座的固定方式、延伸部的形式、由俯视观点观看的喷嘴座的外形、甚至于气流壁的形成状态等,都可有不同的变化,且本实用新型除了半导体产业上的利用外,也可适用于任何需要气流壁来阻挡外来物的装置上。此 外,前述提及的气流壁的形成状态是指所形成的气流壁也可为一段一段的状态,如图7所示的间段式的间隙G。另外,也可根据需求而改变间隙G的位置,使其仅在一侧形成气流壁。各种气流壁状态的变化均不脱离本实用新型的利用盖体、导流结构、副气道的技术手段。再者,尽管本体200上未具有导流结构202,盖体300上的导流结构302也可达成气流壁形成的目的。是故,本实用新型在上文中虽已以较佳实施例揭露,然而熟知本项技术者应理解的是,该实施例仅用于描绘本实用新型,而不应解读为限制本实用新型的范围。应注意的是,所有与该实施例等效的变化与置换,均应设为涵盖在本实用新型的范畴内。因此,本实用新型的保护范围应当以权利要求所界定的为准。
权利要求1.一种气体喷嘴座,其特征在于,包含本体,具有贯通该本体的主气道,在该本体顶面的周缘具有导流结构,在该本体的侧面则侧向延伸有延伸部,其中,至少一个副气道贯通该延伸部;及盖体,具有贯通该盖体的通道并使该本体固定在该通道中,该通道之上开口周缘向该通道的壁面形成有另一导流结构,其中,该上开口周缘与该本体顶面周缘间具有间隙。
2.如权利要求1所述的气体喷嘴座,其特征在于,该本体顶面周缘具有的导流结构为第一外倒角;及在该盖体上形成的另一导流结构为第一内倾角。
3.如权利要求2所述的气体喷嘴座,其特征在于,该延伸部低于该本体顶面;及在该盖体上,该通道之上开口的面积小于该通道之下开口的面积,并借由该延伸部将该盖体固定在该本体上。
4.如权利要求3所述的气体喷嘴座,其特征在于该第一外倒角与水平面呈第一夹角, 该第一内倒角与该水平面呈第二夹角,该第一夹角大于该第二夹角。
5.如权利要求4所述的气体喷嘴座,其特征在于该第一夹角约为30度至90度,该第二夹角约为30度。
6.如权利要求3所述的气体喷嘴座,其特征在于该盖体的顶面与该本体的顶面位于同一水平面,且该主气道的壁面具有至少一个凹槽。
7.如权利要求3所述的气体喷嘴座,其特征在于该本体还具有供固定组件固设的至少一个贯孔。
8.如权利要求3至7中任一项所述的气体喷嘴座,其特征在于该盖体与该延伸部借由紧迫方式将该盖体固定在该本体上。
9.如权利要求8所述的气体喷嘴座,其特征在于该通道的下开口周缘具有第二内倒角。
10.如权利要求8所述的气体喷嘴座,其特征在于该本体、该延伸部及该盖体在俯视角度上都具有圆形的外形。
11.一种气体喷嘴座,应用于用来存放半导体组件的储存匣,用以将气体导入该储存匣,该气体喷嘴座包含具有主气道的本体,该气体喷嘴座的特征在于在该本体上还包含盖体,在该本体的侧边则具有至少一个副气道,该盖体具有至少一个导流结构以使流经该至少一个副气道的气流可在该本体上方形成气流壁。
12.如权利要求11所述的气体喷嘴座,其特征在于,该盖体的至少一个导流结构为在该盖体内壁具有的第一内倾角;及该本体上还包含作为导流结构的第一外倒角;其中,该第一内倾角与该第一外倒角的角度搭配用以使流经该至少一个副气道的气流在该本体上方形成该气流壁。
13.如权利要求12所述的气体喷嘴座,其特征在于该主气道贯通该本体,该盖体供该本体固定在其内且该盖体未遮蔽该主气道,该至少一个副气道位于该本体侧的延伸部上且位于该盖体的下方。
14.如权利要求12或13所述的气体喷嘴座,其特征在于该第一外倒角与水平面呈第一夹角,该第一内倾角与该水平面呈第二夹角,该第一夹角大于该第二夹角。
专利摘要本实用新型提供一种气体喷嘴座,该气体喷嘴座包含具有主气道的本体,在该本体上还包含盖体,在该本体的侧边则具有至少一个副气道,该盖体具有至少一个导流结构以使流经该至少一个副气道的气流可在该本体上方形成气流壁。由此,利用喷嘴周围形成的气流壁可避免微粒、灰尘或其它外来物进入喷嘴座内。
文档编号B05B15/06GK202123034SQ201120044370
公开日2012年1月25日 申请日期2011年2月22日 优先权日2011年2月22日
发明者张朝钧, 林权瑞 申请人:华景电通股份有限公司
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