一种半导体晶圆加工用胶带的制作方法
【专利摘要】一种半导体晶圆加工用胶带，所述胶带包括基材、粘结剂和粘结膜，所述粘结膜通过粘结剂与基材连接，所述粘结膜的透湿度为10克每平方米每天，所述粘结膜的厚度小于基材的厚度，所述粘结剂的涂抹厚度小于基材的厚度。所述基材为PET材质。所述基材的厚度3-90微米。本实用新型的胶厚度较小，方便用于半导体晶圆加工，具有实用价值。
【专利说明】—种半导体晶圆加工用胶带
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体晶圆加工用胶带。
【背景技术】
[0002]胶带的种类繁多，用途很广，但是普遍结构单一，有的不方便用于电子面板方面，厚度较厚，生产复杂。
实用新型内容
[0003]本实用新型克服上述缺陷，提供一种半导体晶圆加工用胶带。
[0004]技术方案:
[0005]一种半导体晶圆加工用胶带，所述胶带包括基材、粘结剂和粘结膜，所述粘结膜通过粘结剂与基材连接，所述粘结膜的透湿度为10克每平方米每天，所述粘结膜的厚度小于基材的厚度，所述粘结剂的涂抹厚度小于基材的厚度。
[0006]进一步,所述基材为PET材质。
[0007]进一步,所述基材的厚度3-90微米。
[0008]有益效果:本实用新型的胶厚度较小，方便用于半导体晶圆加工，具有实用价值。【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图。
[0010]附图标记说明
[0011]11基材；12粘结剂；13粘结膜；14基材部分；15胶带。
【具体实施方式】
[0012]一种半导体晶圆加工用胶带，所述胶带包括基材、粘结剂和粘结膜，所述粘结膜通过粘结剂与基材连接，所述粘结膜的透湿度为10克每平方米每天，所述粘结膜的厚度小于基材的厚度，所述粘结剂的涂抹厚度小于基材的厚度。
[0013]进一步,所述基材为PET材质。
[0014]进一步,所述基材的厚度3-90微米。
[0015]本实用新型的胶厚度较小，方便用于半导体晶圆加工，具有实用价值。
【权利要求】
1.一种半导体晶圆加工用胶带，其特征在于:所述胶带包括基材、粘结剂和粘结膜，所述粘结膜通过粘结剂与基材连接，所述粘结膜的透湿度为10克每平方米每天，所述粘结膜的厚度小于基材的厚度，所述粘结剂的涂抹厚度小于基材的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆加工用胶带，其特征在于:所述基材为PET材质。
3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆加工用胶带，其特征在于:所述基材的厚度3-90微米。
【文档编号】C09J7/02GK203487078SQ201320791503
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年12月3日 优先权日:2013年12月3日
【发明者】王红 申请人:王红