本发明涉及保护膜领域，特别涉及一种支撑体保护膜及其生产方法。
背景技术：
半导体、光学玻璃等晶片在加工过程中需要用到支撑体保护膜，以保证晶片在研磨、切割过程中不脱落、不飞散，并保护未加工部分，这就需要支撑体保护膜有超高的粘力，不会在加工过程中脱落。而在晶片加工过程结束后，该支撑体保护膜还应可以被轻易撕下,从而使晶片可在下一道生产工序正常使用。而目前并未有具备上述功能的支撑体保护膜。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，本发明提供了一种支撑体保护膜及其生产方法。本发明所提供的支撑体保护膜，包括：基材、压敏胶层和离型膜，其中，所述基材单面经过电晕处理，所述基材经过电晕处理的一面涂布有压敏胶层，所述压敏胶层上覆盖有离型膜，所述压敏胶层的压敏胶为丙烯酸体系类压敏胶，包括重量百分比为30-60％的丙烯酸树脂，重量百分比为30-60％的溶解剂，重量百分比为0.4-3％的固化剂，和重量百分比为0.4％-3％的光引发剂。
进一步优选地，所述基材为pet或po薄膜，厚度为25-200μm。
进一步优选地，所述压敏胶层的涂层厚度为5-35μm。
进一步优选地，所述离型膜为具有离型性能的pet，厚度为25-75μm。
进一步优选地，所述丙烯酸树脂可为聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丁酯的一种或几种混合体。
本发明所提供的一种支撑体保护膜的生产方法，包括以下步骤：
(a)将基材单面进行电晕处理；
(b)在基材经过电晕处理的一面涂布一层压敏胶，形成压敏胶层，所述压敏胶为丙烯酸体系类压敏胶，包括重量百分比为30-60％的丙烯酸树脂，重量百分比为30-60％的溶解剂，重量百分比为0.4-3％的固化剂，和重量百分比为0.4％-3％的光引发剂；
(c)经烘干后在所述压敏胶层上覆上一层离型膜，制得支撑体保护膜成品，并用非透明材料避光保存。
进一步优选地，在步骤(a)中，所述基材为pet或po薄膜，厚度为25-200μm。
进一步优选地，在步骤(b)中，所述压敏胶层的涂层厚度为5-35μm。
进一步优选地，在步骤(c)中，所述离型膜为具有离型性能的pet，厚度为25-75μm。
进一步优选地，在步骤(b)和步骤(c)中，将混合均匀的压敏胶用45-100μm涂布器涂覆于pet基材1经过电晕处理的一面上，形成压敏胶层，然后于110℃在烘干机中烘干1min，出烘箱后，将离型膜的离型面覆合于压敏胶层，制得支撑体保护膜成品。
本发明的有益效果是：
本发明所提供的支撑体保护膜为uv减粘保护膜，通过对pet基材、压敏胶层、离型膜的参数设定，及压敏胶配比的选择，使得该支撑体保护膜在普通状态下，即在没有uv照射的情况下，具有超高的粘力，可保证晶片在研磨、切割过程中不脱落、不飞散，并保护未加工部分。而在加工完毕后只要照射足够的uv光线，即可减低支撑体保护膜的粘力，从而可以被轻易撕下,使晶片在下一道生产工序正常使用。
附图说明
图1是本发明所提供的支撑体保护膜的示意图；
图2是本发明所提供的支撑体保护膜生产方法的流程图。
具体实施方式
下面对本发明作进一步详细说明。
如图1所示，本发明所提供的支撑体保护膜包括：基材1、压敏胶层2和离型膜3，其中，所述基材1单面经过电晕处理，所述基材1经过电晕处理的一面涂布有压敏胶层2，所述压敏胶层2上覆盖有离型膜3。
所述基材1为pet(聚对苯二甲酸乙二醇)或po(聚烯烃)等薄膜，厚度为25-200μm。所述压敏胶层2的压敏胶为丙烯酸体系类压敏胶，包括重量百分比为30-60％的丙烯酸树脂，重量百分比为30-60％的溶解剂，重量百分比为0.4-3％的固化剂，和重量百分比为0.4％-3％的光引发剂。所述压敏胶层2的涂层厚度为5-35μm。所述离型膜3为具有离型性能的pet，厚度为25-75μm。
如图2所示，本发明所提供的支撑体保护膜的生产方法，包括以下步骤：
(a)将基材1单面进行电晕处理；
(b)在基材1经过电晕处理的一面涂布一层压敏胶，形成压敏胶层2，所述压敏胶为丙烯酸体系类压敏胶，包括重量百分比为30-60％的丙烯酸树脂，重量百分比为30-60％的溶解剂，重量百分比为0.4-3％的固化剂，和重量百分比为0.4％-3％的光引发剂；
(c)经过烘干机烘干后在所述压敏胶层2上覆上一层离型膜3，制得支撑体保护膜成品，并用非透明材料避光保存。
进一步地，在步骤(a)中，所述基材1为pet或po等薄膜，厚度为25-200μm。
在步骤(b)中，所述压敏胶层2涂层厚度为5-35μm。
在步骤(c)中，所述离型膜3为具有离型性能的pet，厚度为25-75μm。
在步骤(c)中，所述非透明材料为锡纸。
进一步地，在步骤(b)和步骤(c)中，将混合均匀的压敏胶用45μm-100μm涂布器涂覆于pet基材1经过电晕处理的一面上，形成压敏胶层2，然后于110℃在烘干机中烘干1min，出烘箱后，将离型膜3的离型面覆合于压敏胶层2，制得支撑体保护膜成品。
所述丙烯酸树脂可为聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸丁酯的一种或几种混合体。
所述溶解剂为乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、丙酮、丁酮的一种或者几种。
所述固化剂为脂肪类异氰酸酯或芳香类异氰酸酯其中一种或多种混合体。
所述光引发剂为α-羟烷基苯酮、二烷基苯乙酮、苯偶姻及衍生物、苯偶酰衍生物的一种或几种混合物。
实例一
将20g丙烯酸树脂加入20g乙酸乙酯中稀释，依次加入2g固化剂、2g光引发剂，充分搅拌并混合均匀得到压敏胶；用45μm线棒涂布器将上述混合物涂覆于50μmpet薄膜基材1经过电晕处理的一面上，形成压敏胶层2，然后于110℃在烘干机中烘干1min，出烘箱后，将离型膜3的离型面覆合于压敏胶层2，制得支撑体保护膜成品，并用锡纸包覆避光保存备用。
实例二
将20g丙烯酸树脂加入20g乙酸乙酯中稀释，依次加入2g固化剂、2g光引发剂，充分搅拌并混合均匀得到压敏胶；用100μm微凹辊将上述混合物涂覆于100μmp0薄膜基材1经过电晕处理的一面上，形成压敏胶层2，然后于110℃在烘干机中烘干1min，出烘箱后，将离型膜3的离型面覆合于压敏胶层2，制得支撑体保护膜成品，并用锡纸包覆避光保存备用。
实例三
将30g丙烯酸树脂加入40g乙酸乙酯中稀释，依次加入3.5g固化剂、3.5g光引发剂，充分搅拌并混合均匀得到压敏胶；用100μm线棒涂布器将上述混合物涂覆于100μmpet薄膜基材1经过电晕处理的一面上，形成压敏胶层2，然后于110℃在烘干机中烘干1min，出烘箱后，将离型膜3的离型面覆合于压敏胶层2，制得支撑体保护膜成品，并用锡纸包覆避光保存备用。
本发明所提供的支撑体保护膜在普通状态下具有超高的剥离力，而经过充分的uv光照射后，则可降为超低的剥离力，适用于晶片研磨、切割及电子零件的承载加工等。该支撑体保护膜在正常使用时，即在没有uv照射的情况下，具有超高的粘力，可保证晶片在研磨、切割过程中不脱落、不飞散，并保护未加工部分。而在加工完毕后只要照射足够的uv光线，即可减低支撑体保护膜的粘力，从而可以被轻易撕下,使晶片在下一道生产工序正常使用。
本发明所属领域的一般技术人员可以理解，本发明以上实施例仅为本发明的优选实施例之一，为篇幅限制，这里不能逐一列举所有实施方式，任何可以体现本发明权利要求技术方案的实施，都在本发明的保护范围内。
需要注意的是，以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施方式仅限于此，在本发明的上述指导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本发明的保护范围内。