切割带一体型粘接性片的制作方法

本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割带一体型粘接性片。

背景技术：

在半导体装置的制造过程中，有时在对作为工件的半导体晶圆和大小与其对应的切割带一体型粘接性片进行贴合的基础上，经过该半导体晶圆的单片化而得到带有粘接性薄膜的半导体芯片。作为这样的切割带一体型粘接性片，已知有切割带一体型背面保护薄膜。

切割带一体型背面保护薄膜例如具有：包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及与该粘合剂层密合的热固性的背面保护薄膜。这样的切割带一体型背面保护薄膜例如以如下方式来使用。首先，在切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜上贴合半导体晶圆。接着，在切割带一体型背面保护薄膜上保持有半导体晶圆的状态下、通过刀片切割对该半导体晶圆的半导体芯片进行单片化(切割工序)。切割工序中，以从背面保护薄膜产生各自与半导体芯片密合的多个粘接性薄膜小片的方式，在切割带上与半导体晶圆一起切断背面保护薄膜。接着，经过清洗工序后，从切割带上拾取切割带上的带有粘接性薄膜的各半导体芯片(拾取工序)。此时，需要从切割带的粘合剂层上适宜地剥离作为拾取对象的带有粘接性薄膜的半导体芯片中的粘接性薄膜。例如以如上方式进行，在得到伴有半导体芯片背面保护用的与芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片的过程中使用切割带一体型背面保护薄膜。对于涉及这样的切割带一体型背面保护薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1、2中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-151360号公报

专利文献2：国际公开第2014/092200号

技术实现要素：

发明要解决的问题

对于切割带一体型背面保护薄膜中的切割带上的热固性的背面保护薄膜，以往在与半导体晶圆贴合后，为了提高相对于该晶圆的密合力而通过加热进行热固化。然而，通过背面保护薄膜的这种的热固化，背面保护薄膜相对于切割带乃至其的粘合剂层的密合力也提高。对于这样的密合力的提高，例如在上述那样的拾取工序中，有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的粘接性薄膜从切割带粘合剂层上的剥离，因此，有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的拾取。

另外，对于切割带一体型背面保护薄膜中处于未固化状态的热固性背面保护薄膜，有使用该切割带一体型背面保护薄膜前的保管期间越长、相对于切割带粘合剂层的密合力越逐渐提高的倾向。例如在上述那样的拾取工序中，这样的密合力的提高有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的粘接性薄膜从切割带粘合剂层上的剥离，因此，有时会阻碍带有粘接性薄膜的半导体芯片的拾取。

本发明是基于以上所述情况而想出的，其目的在于提供适于实现带有粘接性薄膜的半导体芯片从切割带上良好拾取的切割带一体型粘接性片。

用于解决问题的方案

根据本发明，提供一种切割带一体型粘接性片。该切割带一体型粘接性片具备切割带和粘接性片。切割带具有包含用于形成粘合面的辐射线固化性粘合剂层和基材的层叠结构。粘接性片具有包含用于形成标记对象面的激光标记层和用于形成工件贴附面的粘接剂层的层叠结构、且在激光标记层侧以能剥离的方式与切割带中的粘合剂层或其粘合面密合。粘接性片中的粘接剂层侧的表面相对于硅晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出5n/10mm以上的剥离粘合力，优选显示出6n/10mm以上、更优选显示出7n/10mm以上的剥离粘合力。粘接性片中的激光标记层侧的表面相对于硅晶圆在前述条件下的剥离试验中显示出0.2n/10mm以下的剥离粘合力，优选显示出0.1n/10mm以下、更优选显示出0.07n/10mm以下的剥离粘合力。经辐射线固化的粘合剂层与粘接性片之间的、前述条件下的剥离试验中的第1剥离粘合力为0.15n/20mm以下，优选为0.13n/20mm以下、更优选为0.09n/20mm以下。该切割带一体型粘接性片在50℃下保管9天后经辐射线固化的粘合剂层与粘接性片之间的、在前述条件下的剥离试验中的第2剥离粘合力与第1剥离粘合力之差为0.12n/20mm以下、优选为0.1n/20mm以下、更优选为0.07n/20mm以下。这种构成的切割带一体型粘接性片能够在半导体装置的制造过程中使用。具体而言，本发明的切割带一体型粘接性片可以作为针对粘接性片采用了所谓的背面保护薄膜的构成的切割带一体型背面保护薄膜，用于得到伴有半导体芯片背面保护用与的芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片。

如上所述，该切割带一体型粘接性片的粘接性片中的粘接剂层侧的表面相对于硅晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出5n/10mm以上的剥离粘合力，优选显示出6n/10mm以上、更优选显示出7n/10mm以上的剥离粘合力。粘接性片相对于硅晶圆显示出该程度的高剥离粘合力这种构成适于实现利用该切割带一体型粘接性片或该粘接性片良好地保持半导体晶圆等工件。此外，对于具备这种构成的该切割带一体型粘接性片，无需对与工件贴合后的粘接性片进行用于提高对工件密合力的加热所带来的固化，因此，适于避免或抑制粘接性片相对于切割带粘合剂层的密合力的提高。因此，这样的切割带一体型粘接性片例如在上述那样的拾取工序中，适合实现带有粘接性薄膜的半导体芯片从切割带上的良好拾取。

如上所述，该切割带一体型粘接性片的粘接性片中的激光标记层侧的表面相对于硅晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.2n/10mm以下的剥离粘合力，优选显示出0.1n/10mm以下、更优选显示出0.07n/10mm以下的剥离粘合力。另外，经辐射线固化的粘合剂层与粘接性片之间的、在前述条件下的剥离试验中的剥离粘合力(第1剥离粘合力)如上所述为0.15n/20mm以下、优选为0.13n/20mm以下、更优选为0.09n/20mm以下。有关低剥离粘合力的上述构成适于确保粘接性片从切割带粘合剂层上的剥离性，因此，例如在上述那样的拾取工序中，适合实现带有粘接性薄膜的半导体芯片从切割带上的良好拾取。此外，有关低剥离粘合力的上述构成，在使用该切割带一体型粘接性片前的保管期间中，例如在即使粘接性片相对于切割带粘合剂层的密合力经时提高的情况下也避免该密合力变得过大的方面是适宜的，针对该切割带一体型粘接性片在50℃下保管9天后经辐射线固化的粘合剂层与粘接性片之间的、在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中的剥离粘合力(第2剥离粘合力)与上述第1剥离粘合力之差，有助于抑制为0.12n/20mm以下、优选抑制为0.1n/20mm以下、更优选抑制为0.07n/20mm以下。即，有关低剥离粘合力的上述构成涉及切割带粘合剂层与粘接性片或其激光标记层之间的密合性，在确保保存稳定性方面是适宜的。在粘接性片相对于切割带粘合剂层的密合力经时提高的情况下也能避免该密合力变得过大时，例如在上述那样的拾取工序中有助于实现带有粘接性薄膜的半导体芯片从切割带上的良好拾取。

如上所述，对于本发明的切割带一体型粘接性片，适合作为例如切割带一体型背面保护薄膜来实现带有粘接性薄膜的半导体芯片从切割带上的良好拾取。

上述粘接性片中，优选激光标记层为固化的热固化型层。这种构成在抑制粘接性片相对于切割带粘合剂层的密合力的经时提高方面是适宜的。此外，对于激光标记层为热固化型层这种构成，在通过激光标记对粘接性片的激光标记层侧表面实施刻印后、经过所谓的回流(reflow)工序等高温过程的情况下，适于确保刻印信息的辨识性。

上述粘接性片中，优选粘接剂层为热塑性层。这种构成有助于实现粘接性片中的上述高剥离粘合力、即相对于晶圆等工件的高粘接性。另外，该切割带一体型粘接性片的粘接性片中激光标记层为热固化型层而粘接剂层为热塑性层的情况与粘接性片例如由单一的热固化型层构成的情况相比，在后述的割断用扩晶工序中实现粘接性片的良好割断方面优选。即，对于粘接性片中激光标记层为热固化型层且粘接剂层为热塑性层这样的上述构成，在作为背面保护薄膜的该粘接性片中，在兼顾确保激光标记带来的刻印信息的辨识性和实现良好的割断性方面是适宜的。

上述粘接性片中，激光标记层的厚度相对于粘接剂层的厚度的比值优选为0.47～12、更优选为0.65～12、更优选为0.75～7.5、更优选为0.85～5.5。这种构成在兼顾对于粘接性片中激光标记层侧表面所要求的特性、及作为与该表面相反的工件贴附用表面的粘接剂层侧表面所要求的特性方面优选，具体而言，例如在兼顾确保激光标记层中激光标记所带来的刻印信息的上述辨识性、及粘接剂层侧表面的工件粘接性方面优选。另外，在该切割带一体型粘接性片以其粘接性片侧贴合晶圆的形态用于刀片切割工序的情况下，从抑制由于切割刀具所带来的切削加工时的冲击、摩擦而导致有时在晶圆切断面即芯片侧面形成的裂纹这样的观点出发，上述比值优选更大者。另一方面，在该切割带一体型粘接性片以其粘接性片侧贴合晶圆的形态用于后述割断用扩晶工序的情况下，从实现粘接性片的良好割断性这样的观点出发，上述比值优选更小者。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的切割带一体型粘接性片的截面示意图。

图2表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图3表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图4表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图5表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图6表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图7表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图8表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图9表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

图10表示使用图1所示的切割带一体型粘接性片的半导体装置制造方法中的一部分工序。

附图标记说明

x切割带一体型粘接性片

10，10’薄膜(粘接性片)

11激光标记层

11a，12a表面

12粘接剂层

20切割带

21基材

22粘合剂层

w，30，30a半导体晶圆

30a改性区域

31半导体芯片

51安装基板

52凸块

具体实施方式

图1是本发明的一个实施方式的切割带一体型粘接性片x的截面示意图。切割带一体型粘接性片x可以在半导体装置的制造过程中使用，具有包含作为粘接性片的薄膜10和切割带20的层叠结构。本实施方式中，薄膜10是贴合于作为工件的半导体晶圆等的非电路形成面即背面的背面保护薄膜。切割带20具有包含基材21和粘合剂层22的层叠结构。粘合剂层22在薄膜10侧具有粘合面22a。薄膜10相对于粘合剂层22或其粘合面22a以能剥离的方式密合。另外，切割带一体型粘接性片x具有与作为工件的半导体晶圆等对应大小的圆盘形状。对于这样的切割带一体型粘接性片x，具体而言，作为切割带一体型背面保护薄膜，能够在用于得到伴有半导体芯片背面保护用的与芯片大小相当的粘接性薄膜的半导体芯片的过程中使用。

作为背面保护薄膜的薄膜10具有包含激光标记层11和粘接剂层12的层叠结构。激光标记层11在薄膜10中位于切割带20侧，与切割带20或其粘合剂层22密合。在半导体装置的制造过程中对激光标记层11中的切割带20侧的表面实施激光标记。另外，本实施方式中，激光标记层11是含有热固性成分的热固化型层，且处于已经热固化的状态。粘接剂层12在薄膜10中位于要贴合半导体晶圆等工件的一侧，本实施方式中为热塑性粘接剂层。

对于薄膜10中的激光标记层11，作为树脂成分可以具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成，还可以具有包含伴有能与固化剂反应而产生键合的热固性官能团的热塑性树脂的组成。

作为激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂，例如可列举出：环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂和热固性聚酰亚胺树脂。激光标记层11可以含有一种热固性树脂，还可以含有两种以上的热固性树脂。对于环氧树脂，从源自薄膜10的、会成为如后述那样形成的背面保护薄膜所保护的对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向出发，优选作为薄膜10的激光标记层11中的热固性树脂。另外，作为用于使环氧树脂显示出热固性的固化剂，优选酚醛树脂。

作为环氧树脂，例如可列举出：双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、双酚s型环氧树脂、溴化双酚a型环氧树脂、氢化双酚a型环氧树脂、双酚af型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂等双官能环氧树脂、多官能环氧树脂。作为环氧树脂，还可列举出：乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂和缩水甘油胺型环氧树脂。另外，激光标记层11可以含有一种环氧树脂，还可以含有两种以上的环氧树脂。

酚醛树脂作为环氧树脂的固化剂发挥作用，作为这样的酚醛树脂，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂。另外，作为该酚醛树脂，还可列举出：甲阶酚醛型酚醛树脂以及聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯。作为激光标记层11中的酚醛树脂，特别优选的是：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。另外，激光标记层11作为环氧树脂的固化剂，可以含有一种酚醛树脂，还可以含有两种以上的酚醛树脂。

激光标记层11含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂时，以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。这种构成在激光标记层11固化时能够使该环氧树脂和酚醛树脂的固化反应充分地进行的方面优选。

从使激光标记层11适宜地固化这样的观点出发，激光标记层11中的热固性树脂的含有比例优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。

激光标记层11中的热塑性树脂例如担负粘结剂功能，作为激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热塑性树脂，例如可列举出：丙烯酸类树脂、天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和氟树脂。激光标记层11可以含有一种热塑性树脂，还可以含有两种以上的热塑性树脂。从离子性杂质少且耐热性高的方面考虑，作为激光标记层11中的热塑性树脂，优选丙烯酸类树脂。

激光标记层11含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。

作为用于形成丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类树脂的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸的甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯和二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸的环戊酯和环己酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸苯酯和(甲基)丙烯酸苄酯。作为丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，还可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。另外，丙烯酸类树脂可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如可列举出：溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。

对于丙烯酸类树脂，例如为了其内聚力、耐热性的改性，还可以将能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其它单体作为构成单体。作为这样的单体，例如可列举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺和丙烯腈。作为含羧基单体，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸。作为酸酐单体，例如可列举出：马来酸酐和衣康酸酐。作为含羟基单体，例如可列举出：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含环氧基单体，例如可列举出：(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如可列举出：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基单体，例如可列举出：2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯。

从确保激光标记层11中良好的激光标记性这样的观点出发，激光标记层11中所含的丙烯酸类树脂优选为适宜地选自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸缩水甘油酯中的单体的共聚物。

激光标记层11具有包含伴有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，作为该热塑性树脂，例如可以使用含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与上述同样的(甲基)丙烯酸酯作为激光标记层11中所含有的丙烯酸类树脂的构成单体。对于用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂，例如为了其内聚力、耐热性的改性，还可以包含源自能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其它单体的单体单元。作为这样的单体，例如可以使用上述物质作为能与用于形成激光标记层11中的丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体。另一方面，作为用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团，例如可列举出：缩水甘油基、羧基、羟基和异氰酸酯基。其中，可以适宜地使用缩水甘油基和羧基。即，作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂，可以适宜地使用含缩水甘油基丙烯酸类树脂、含羧基丙烯酸类树脂。另外，根据含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团的种类来选择能与其发生反应的固化剂。在含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂，可以使用与上述同样的酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂。

用于形成激光标记层11的组合物优选含有热固化催化剂。向激光标记层形成用组合物中配混热固化催化剂从在激光标记层11固化时使树脂成分的固化反应充分地进行、或提高固化反应速度的方面出发优选。作为这样的热固化催化剂，例如可列举出：咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物和三卤代硼烷系化合物。作为咪唑系化合物，例如可列举出：2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十五烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸酯、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-均三嗪异氰脲酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑和2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑。作为三苯基膦系化合物，例如可列举出：三苯基膦、三(丁基苯基)膦、三(对甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、二苯基甲苯基膦、四苯基溴化鏻、甲基三苯基溴化鏻、甲基三苯基氯化鏻、甲氧基甲基三苯基氯化鏻和苄基三苯基氯化鏻。三苯基膦系化合物中还包括同时具有三苯基膦结构和三苯基硼烷结构的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出：四苯基鏻四苯基硼酸酯、四苯基鏻四对甲苯基硼酸酯、苄基三苯基鏻四苯基硼酸酯和三苯基膦三苯基硼烷。作为胺系化合物，例如可列举出：单乙醇胺三氟硼酸盐和双氰胺。作为三卤代硼烷系化合物，例如可列举出三氯硼烷。激光标记层形成用组合物可以含有一种热固化催化剂，还可以含有两种以上的热固化催化剂。

激光标记层11还可以含有填料。向激光标记层11中配混填料从调整激光标记层11的弹性模量、屈服强度、断裂伸长率等物性方面来看优选。作为填料，可列举出：无机填料和有机填料。作为无机填料的构成材料，例如可列举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、晶体二氧化硅和非晶质二氧化硅。作为无机填料的构成材料，还可列举出：铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金、无定形碳、石墨等。作为有机填料的构成材料，例如可列举出：聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺和聚酯酰亚胺。激光标记层11可以含有一种填料，还可以含有两种以上的填料。该填料还可以具有球状、针状、片状等各种形状。激光标记层11含有填料时的该填料的平均粒径优选为0.03～5μm、更优选为0.04～3μm、更优选为0.05～1μm。即，激光标记层11优选含有纳米填料。激光标记层11含有这种粒径的纳米填料作为填料这样的构成在针对被小片化的薄膜10能够确保高切断性、高割断性的方面是适宜的。填料的平均粒径例如可以使用光度式的粒度分布仪(商品名“la-910”，株式会社堀场制作所制)求出。另外，激光标记层11含有填料时的该填料的含量优选为10质量％以上、更优选为15质量％以上、更优选为20质量％以上。同含量优选为50质量％以下、更优选为45质量％以下、更优选为43质量％以下。

激光标记层11在本实施方式中含有着色剂。着色剂可以是颜料、还可以是染料。作为着色剂，例如可列举出：黑色系着色剂、青色系着色剂、品红系着色剂和黄色系着色剂。在针对通过激光标记刻印在激光标记层11的信息实现高辨识性方面，激光标记层11优选含有黑色系着色剂。作为黑色系着色剂，例如可列举出：炭黑、石墨(黑铅)、氧化铜、二氧化锰、偶氮甲碱偶氮黑等偶氮系颜料、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色染料和偶氮系有机黑色染料。作为炭黑，例如可列举出：炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂法炭黑和灯黑。作为黑色系着色剂，还可列举出：c.i.溶剂黑3、同7、同22、同27、同29、同34、同43和同70。作为黑色系着色剂，还可列举出：c.i.直接黑17、同19、同22、同32、同38、同51和同71。作为黑色系着色剂，还可列举出：c.i.酸性黑1、同2、同24、同26、同31、同48、同52、同107、同109、同110、同119和同154。作为黑色系着色剂，还可列举出：c.i.分散黑1、同3、同10和同24。作为黑色系着色剂，还可列举出：c.i.颜料黑1和同7。激光标记层11可以含有一种着色剂，还可以含有两种以上的着色剂。另外，激光标记层11中的着色剂的含量优选为0.5重量％以上、更优选为1重量％以上、更优选为2重量％以上。同含量优选为10重量％以下、更优选为8重量％以下、更优选为6重量％以下。有关着色剂含量的这些构成在针对利用激光标记刻印在激光标记层11的信息实现高辨识性的方面是优选的。

激光标记层11根据需要还可以含有一种或两种以上的其它成分。作为该其它成分，例如可列举出：阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕捉剂。作为阻燃剂，例如可列举出：三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，例如可列举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕捉剂，例如可列举出：水滑石类、氢氧化铋、含水氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“ixe-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“ixe-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“kyowaad600”)和硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“kyowaad700”)。在与金属离子之间能形成络合物的化合物也可用作离子捕捉剂。作为这样的化合物，例如可列举出：三唑系化合物、四唑系化合物和联吡啶系化合物。其中，从在与金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选三唑系化合物。作为这样的三唑系化合物，例如可列举出：1,2,3-苯并三唑、1-{n,n-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二-叔丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二-叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-叔辛基-6’-叔丁基-4’-甲基-2,2’-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并三唑、2,4-二-叔戊基-6-{(h-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2h-苯并三唑、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2h-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2h-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2h-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2h-苯并三唑-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二-叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二-叔丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2h-苯并三唑、2,2’-亚甲基双[6-(2h-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2h-苯并三唑、和甲基-3-[3-(2h-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。另外，醌醇化合物、羟基蒽醌化合物、多元酚化合物等规定的含羟基化合物也可用作离子捕捉剂。作为这样的含羟基化合物，具体而言可列举出：1,2-苯二酚、茜素、蒽绛酚、丹宁、没食子酸、没食子酸甲酯和连苯三酚。

薄膜10中的粘接剂层12还可以具有包含热固性树脂和热塑性树脂作为树脂成分的组成，还可以具有包含伴有能够与固化剂反应而产生键合的热固性官能团的热塑性树脂的组成。

作为粘接剂层12具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂，例如可列举出：环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂和热固性聚酰亚胺树脂。粘接剂层12可以含有一种热固性树脂，还可以含有两种以上的热固性树脂。对于环氧树脂，从源自薄膜10的、成为如后述那样形成的背面保护薄膜所保护的对象的半导体芯片的腐蚀原因的离子性杂质等的含量少的倾向出发，优选作为薄膜10的粘接剂层12中的热固性树脂。

作为粘接剂层12中的环氧树脂，例如可列举出用作激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热固性树脂的环氧树脂的上述物质。从富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性且耐热性优异的方面考虑，作为粘接剂层12中的环氧树脂，优选苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂。

作为可作为粘接剂层12中的环氧树脂的固化剂发挥作用的酚醛树脂，例如可列举出用作激光标记层11中的环氧树脂的固化剂的酚醛树脂的上述物质。对于粘接剂层12，作为环氧树脂的固化剂，可以含有一种酚醛树脂，还可以含有两种以上的酚醛树脂。

粘接剂层12含有环氧树脂和作为其固化剂的酚醛树脂时，以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基优选为0.5～2.0当量、更优选为0.8～1.2当量的比例配混两树脂。

从确保粘接剂层12相对于半导体晶圆等工件的粘接性这样的观点出发，粘接剂层12中的热固性树脂的含有比例优选为5～70质量％、更优选为10～60质量％。

粘接剂层12中的热塑性树脂例如担负粘结剂功能。作为粘接剂层12具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的该热塑性树脂，例如可列举出用作激光标记层11具有包含热固性树脂和热塑性树脂的组成时的热塑性树脂的上述物质。粘接剂层12可以含有一种热塑性树脂，还可以含有两种以上的热塑性树脂。从离子性杂质少且耐热性高的方面考虑，作为粘接剂层12中的热塑性树脂，优选丙烯酸类树脂。

粘接剂层12含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。作为用于形成这样的丙烯酸类树脂的单体单元的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用作为激光标记层11含有丙烯酸类树脂作为热塑性树脂时的该丙烯酸类树脂的构成单体的上述(甲基)丙烯酸酯。作为粘接剂层12中的丙烯酸类树脂的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，还可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。另外，例如为了其内聚力、耐热性的改性，该丙烯酸类树脂还可以将能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的其它单体作为构成单体。作为这样的单体，例如可以使用作为能与用于形成激光标记层11中的丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的上述物质。

从确保粘接剂层12相对于半导体晶圆等工件的粘接性这样的观点出发，粘接剂层12中所含的丙烯酸类树脂优选为适宜地选自丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯腈、丙烯酸、丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸缩水甘油酯中的单体的共聚物。

粘接剂层12具有包含伴有热固性官能团的热塑性树脂的组成时，作为该热塑性树脂，例如可以使用含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与用作激光标记层11中所含有的丙烯酸类树脂的构成单体的上述物质同样的(甲基)丙烯酸酯。例如为了其内聚力、耐热性的改性，用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂还可以包含能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的源自其它单体的单体单元。作为这样的单体，例如可以使用作为能与用于形成激光标记层11中的丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的上述物质。另一方面，作为用于形成含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团，例如可列举出：缩水甘油基、羧基、羟基和异氰酸酯基。其中，可以适宜地使用缩水甘油基和羧基。另外，根据含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中的热固性官能团的种类来选择可与其发生反应的固化剂。含有热固性官能团的丙烯酸类树脂的热固性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂，可以使用与作为环氧树脂用固化剂的上述物质同样的酚醛树脂。

用于形成粘接剂层12的组合物优选不含有热固化催化剂。在用于形成粘接剂层12的组合物中配混热固化催化剂时，作为该热固化催化剂，例如可以使用作为可在激光标记层形成用组合物中配混的热固化催化剂的上述物质。

粘接剂层12可以含有填料。从调整粘接剂层12的弹性模量、屈服强度、断裂伸长率等物性的方面，优选向粘接剂层12中配混填料。作为粘接剂层12中的填料，例如可列举出用作激光标记层11中的填料的上述物质。粘接剂层12可以含有一种填料，还可以含有两种以上的填料。该填料还可以具有球状、针状、鳞片状等各种形状。粘接剂层12含有填料时的该填料的平均粒径优选为0.03～5μm、更优选为0.04～3μm、更优选为0.05～1μm。即，粘接剂层12优选含有纳米填料。粘接剂层12含有这样的粒径的纳米填料作为填料的构成，在针对贴附或安装于薄膜10的工件避免或抑制起因于粘接剂层12中含有填料而产生损伤的方面是适宜的，另外，在确保成为小片化的薄膜10的高切断性、高割断性的方面是适宜的。另外，粘接剂层12含有填料时的该填料的含量优选为10质量％以上、更优选为15质量％以上、更优选为20质量％以上。同含量优选为50质量％以下、更优选为45质量％以下、更优选为43质量％以下。

粘接剂层12还可以含有着色剂。作为粘接剂层12中的着色剂，例如，可列举出用作激光标记层11中的着色剂的上述物质。在确保薄膜10中的激光标记层11侧的、利用激光标记进行的刻印部位和除此以外的部位之间的高对比度、可实现该刻印信息的高辨识性的方面，粘接剂层12优选含有黑色系着色剂。粘接剂层12可以含有一种着色剂，还可以含有两种以上的着色剂。另外，粘接剂层12中的着色剂的含量优选为0.5重量％以上、更优选为1重量％以上、更优选为2重量％以上。同含量优选为10重量％以下、更优选为8重量％以下、更优选为6重量％以下。在对于利用激光标记进行的刻印信息可实现上述高辨识性的方面，优选有关着色剂含量的这些构成。

粘接剂层12根据需要还可以含有一种或两种以上的其它成分。作为该其它成分，例如可列举出涉及激光标记层11的上述具体的阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕捉剂。

具有包含激光标记层11和粘接剂层12的层叠结构的薄膜10的厚度优选为8μm以上、更优选为10μm以上、且优选为30μm以下、更优选为25μm以下。此外，激光标记层11的厚度相对于粘接剂层12的厚度的比值优选为0.47～12、更优选为0.65～12、更优选为0.75～7.5、更优选为0.85～5.5。

切割带一体型粘接性片x中的切割带20的基材21是在切割带20乃至切割带一体型粘接性片x中作为支撑体发挥作用的要素。基材21例如为塑料基材，作为该塑料基材可以适宜地使用塑料薄膜。作为塑料基材的构成材料，例如可列举出：聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、芳族聚酰胺、氟树脂、纤维素系树脂和有机硅树脂。作为聚烯烃，例如可列举出：低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物和乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯。基材21可以由一种材料构成，也可以由两种以上的材料构成。基材21可以具有单层结构，还可以具有多层结构。基材21上的粘合剂层22如下所述为紫外线固化性时，基材21优选具有紫外线透过性。基材21由塑料薄膜构成时，可以为无拉伸薄膜、可以为单向拉伸薄膜、还可以为双向拉伸薄膜。本实施方式中优选基材21为聚氯乙烯制基材或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物制基材。

在使用切割带一体型粘接性片x时例如通过局部的加热使切割带20或基材21收缩的情况下，基材21优选具有热收缩性。另外，基材21由塑料薄膜构成时，在对于切割带20或基材21实现各向同性的热收缩性方面，基材21优选为双向拉伸薄膜。切割带20或基材21在加热温度100℃和加热处理时间60秒的条件下进行的基于加热处理试验的热收缩率优选为2～30％、更优选为2～25％、更优选为3～20％、更优选为5～20％。该热收缩率是指所谓的md方向的热收缩率和所谓的td方向的热收缩率中的至少一个热收缩率。

基材21中的粘合剂层22侧的表面可以实施用于提高与粘合剂层22的密合性的物理处理、化学处理或底涂处理。作为物理处理，例如可列举出：电晕处理、等离子体处理、喷砂处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理和离子化辐射线处理。作为化学处理，例如可列举出铬酸处理。

从确保基材21用于发挥作为切割带20乃至切割带一体型粘接性片x中的支撑体的功能的强度这样的观点出发，基材21的厚度优选为40μm以上、更优选为50μm以上、更优选为60μm以上。另外，从在切割带20乃至切割带一体型粘接性片x中实现适度的挠性这样的观点出发，基材21的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、更优选为150μm以下。

切割带20的粘合剂层22含有在切割带一体型粘接性片x的使用过程中能通过辐射线照射使其固化的粘合剂(辐射线固化性粘合剂)而具有辐射线固化性。本实施方式的粘合剂层22中，可以使用一种辐射线固化性粘合剂，还可以使用两种以上的辐射线固化性粘合剂。另外，可以由辐射线固化性粘合剂形成整个粘合剂层22，还可以由辐射线固化性粘合剂形成一部分粘合剂层22。例如，粘合剂层22具有单层结构时，可以由辐射线固化性粘合剂形成整个粘合剂层22，还可以由辐射线固化性粘合剂形成粘合剂层22中的规定的部位(例如，作为工件的贴附对象区域的中央区域)、由除了辐射线固化性粘合剂以外的材料形成其它部位(例如，作为环框的贴附对象区域的、位于中央区域的外侧的区域)。另外，粘合剂层22具有多层结构时，可以由辐射线固化性粘合剂形成构成多层结构的所有层，还可以由辐射线固化性粘合剂形成多层结构中包含薄膜10侧表面层的至少一部分层。

作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如可列举出通过电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线或x射线的照射进行固化的类型的粘合剂，可以特别适宜地使用通过紫外线照射进行固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。

作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如可列举出含有如下成分的添加型的辐射线固化性粘合剂：作为丙烯酸类粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物；及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。

上述丙烯酸类聚合物优选以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元包含最多。对于用于形成丙烯酸类聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯、即作为丙烯酸类聚合物的构成单体的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯和(甲基)丙烯酸芳基酯，更具体而言，可列举出与涉及薄膜10的激光标记层11中的丙烯酸类树脂的上述物质同样的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种(甲基)丙烯酸酯，还可以使用两种以上的(甲基)丙烯酸酯。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，优选可列举出丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸月桂酯。另外，在利用粘合剂层22适宜地显示出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸类聚合物的全部构成单体中的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。

例如为了其内聚力、耐热性的改性，丙烯酸类聚合物还可以包含能与(甲基)丙烯酸酯共聚的一种或两种以上的源自其它单体的单体单元。作为这样的单体，例如可列举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含环氧基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺和丙烯腈，更具体而言，可列举出用作能与用于形成薄膜10的激光标记层11中的丙烯酸类树脂的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的上述物质。

对于丙烯酸类聚合物，为了在其聚合物骨架中形成交联结构，还可以包含能与(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的源自多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如可列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯和氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和/或“甲基丙烯酸酯”。作为丙烯酸类聚合物的构成单体，可以使用一种多官能性单体，还可以使用两种以上的多官能性单体。在利用粘合剂层22适宜地显示出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，丙烯酸类聚合物的构成单体整体中的多官能性单体的比例优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。

丙烯酸类聚合物可以通过使用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如可列举出：溶液聚合、乳液聚合、本体聚合和悬浮聚合。从使用切割带20或切割带一体型粘接性片x的半导体装置制造方法中的高度的清洁性的观点出发，切割带20或切割带一体型粘接性片x中的粘合剂层22中的低分子量物质优选少，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。

为了提高丙烯酸类聚合物等基础聚合物的数均分子量，粘合剂层22或用于形成其的粘合剂例如还可以含有外部交联剂。作为用于与丙烯酸类聚合物等基础聚合物反应而形成交联结构的外部交联剂，可列举出：聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮杂环丙烷化合物和三聚氰胺系交联剂。粘合剂层22或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份优选为5质量份以下、更优选为0.1～5质量份。

作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，例如可列举出：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化性粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，例如可以举出聚氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量100～30000左右的物质是适当的。辐射线固化性粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量可在能适宜降低所形成的粘合剂层22的粘合力的范围内确定，相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，优选为5～500质量份、更优选为40～150质量份。另外，作为添加型辐射线固化性粘合剂，例如还可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开的粘合剂。

作为用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂，例如还可列举出含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物的内在型辐射线固化性粘合剂。这样的内在型辐射线固化性粘合剂在抑制由所形成的粘合剂层22内的低分子量成分的移动引起的粘合特性的非刻意性经时变化方面是适宜的。

作为内在型辐射线固化性粘合剂中所含有的基础聚合物，优选以丙烯酸类聚合物作为基本骨架的聚合物。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸类聚合物，可以采用上述丙烯酸类聚合物。作为向丙烯酸类聚合物中导入辐射线聚合性的碳-碳双键的方法，例如可列举出如下方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸类聚合物后，使具有在第1官能团之间可发生反应而键合的规定的官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸类聚合物发生缩合反应或加成反应的方法。

作为第1官能团与第2官能团的组合，例如可列举出：羧基和环氧基、环氧基和羧基、羧基和氮丙啶基、氮丙啶基和羧基、羟基和异氰酸酯基、异氰酸酯基和羟基。这些组合中，从反应追踪容易度的观点出发，优选羟基和异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基和羟基的组合。另外，制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物由于技术难度较高，因此从制作或获得丙烯酸类聚合物的容易度的观点出发，更优选丙烯酸类聚合物侧的上述第1官能团为羟基且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况。此时，作为同时使用辐射线聚合性碳-碳双键和作为第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物、即辐射线聚合性的含有不饱和官能团的异氰酸酯化合物，例如可列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。

用于粘合剂层22的辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦和酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如可列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如可列举出：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1。作为苯偶姻醚系化合物，例如可列举出：苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚和茴香偶姻甲醚。作为缩酮系化合物，例如可列举出：苄基二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可列举出：2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如可列举出：1-苯基-1,2-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如可列举出：二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸和3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如可列举出：噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮和2,4-二异丙基噻吨酮。相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，粘合剂层22中的辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量例如为0.05～20质量份。

粘合剂层22或用于形成其的粘合剂除了上述各成分之外还可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料、染料等着色剂等。着色剂还可以是受到辐射线照射而进行着色的化合物。作为这样的化合物，例如可列举出无色染料。

粘合剂层22的厚度优选为2～40μm、更优选为3～30μm、更优选为4～20μm。这种构成在使粘合剂层22相对于辐射线固化前后的薄膜10的粘合力平衡方面是适宜的。

切割带一体型粘接性片x的薄膜10中，激光标记层侧的表面11a相对于硅晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.2n/10mm以下的剥离粘合力，优选显示出0.1n/10mm以下、更优选显示出0.07n/10mm以下的剥离粘合力。供于该测定的试验片的制作方法和测定方法具体如下。首先，对于切割带一体型粘接性片x，从基材21侧对粘合剂层22照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线等辐射线而使粘合剂层22固化。接着，将单面粘合带(商品名“bt-315”，日东电工株式会社制)贴合于该切割带一体型粘接性片x的薄膜10的粘接剂层侧的表面12a。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。接着，从该贴合体上切出具有切割带20和薄膜10和单面粘合带的层叠结构的、宽度10mm×长度100mm大小的层叠体。接着，从该层叠体上剥离切割带20。由此，可以得到具有激光标记层侧的表面11a露出的薄膜10和单面粘合带的层叠结构的试验片(宽度10mm×长度100mm)。接着，对载置于设定温度80℃的热板上的硅晶圆(直径例如为6英寸)确认了其表面温度为75℃以上后，使该硅晶圆表面与试验片中的薄膜10的激光标记层侧的表面11a贴合。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。然后，在热板上放置2分钟后，使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下进行剥离试验，测定薄膜10的激光标记层侧的表面11a相对于硅晶圆的剥离粘合力。例如可以通过激光标记层11中的使用催化剂的选择、干燥条件的调整等来进行该剥离粘合力的调整。

切割带一体型粘接性片x的薄膜10中，粘接剂层侧的表面12a相对于硅晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出5n/10mm以上的剥离粘合力，优选显示出6n/10mm以上、更优选显示出7n/10mm以上的剥离粘合力。对于该剥离粘合力，可以使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)进行测定。供于该测定的试验片的制作方法和测定方法具体如下。首先，对于切割带一体型粘接性片x，从基材21侧对粘合剂层22照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线等辐射线而使粘合剂层22固化后，从该切割带一体型粘接性片x的切割带20上剥离薄膜10。接着，将单面粘合带(商品名“bt-315”，日东电工株式会社制)贴合于剥离的薄膜10的激光标记层侧的表面11a。接着，从该贴合体上切出具有薄膜10和单面粘合带的层叠结构的、宽度10mm×长度100mm大小的试验片。接着，对载置于设定温度80℃的热板上的硅晶圆(直径例如为6英寸)确认了其表面温度为75℃以上后，使该硅晶圆表面与试验片中的薄膜10的粘接剂层侧的表面12a贴合。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。然后，在热板上放置2分钟后，使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下进行剥离试验，测定薄膜10的粘接剂层侧的表面12a相对于硅晶圆的剥离粘合力。例如可以通过粘接剂层12中的丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂等各树脂成分的种类的选择和含量的调整、无机填料含量的调整等来进行该剥离粘合力的调整。

切割带一体型粘接性片x中，经辐射线固化的粘合剂层22和薄膜10之间的、在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中的第1剥离粘合力为0.15n/20mm以下，优选为0.13n/20mm以下、更优选为0.09n/20mm以下。对于该剥离粘合力，可以使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)进行测定。供于该测定的试验片的制作方法和测定方法具体如下。首先，对于切割带一体型粘接性片x，从基材21侧对粘合剂层22照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线等辐射线而使粘合剂层22固化。接着，在该切割带一体型粘接性片x中的薄膜10的粘接剂层侧的表面12a贴合单面粘合带(商品名“bt-315”，日东电工株式会社制)。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。接着，从该贴合体上切出具有切割带20和薄膜10和单面粘合带的层叠结构的、宽度100mm×长度100mm大小的试验片。然后，使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下对该试验片进行剥离试验，测定切割带一体型粘接性片x中的经辐射线固化的粘合剂层22和薄膜10之间的剥离粘合力(第1剥离粘合力)。对于该剥离粘合力的调整，例如可以通过贴合温度的调整来进行。

切割带一体型粘接性片x中，切割带一体型粘接性片x在50℃下保管9天后经辐射线固化的粘合剂层22和薄膜10之间的、在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中的第2剥离粘合力与第1剥离粘合力之差为0.12n/20mm以下、优选为0.1n/20mm以下、更优选为0.07n/20mm以下。对于该第2剥离粘合力，可以使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)进行测定。供于该测定的试验片的制作方法和测定方法具体如下。首先，在50℃的环境下将切割带一体型粘接性片x保管9天。接着，对于经过这样的保管的切割带一体型粘接性片x，从基材21侧对粘合剂层22照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线等辐射线而使粘合剂层22固化。接着，在该切割带一体型粘接性片x中的薄膜10的粘接剂层侧的表面12a贴合单面粘合带(商品名“bt-315”，日东电工株式会社制)。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。接着，从该贴合体上切出具有切割带20和薄膜10和单面粘合带的层叠结构的、宽度100mm×长度100mm大小的试验片。然后，使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下对该试验片进行剥离试验，测定切割带一体型粘接性片x中的经辐射线固化的粘合剂层22和薄膜10之间的剥离粘合力(第2剥离粘合力)。例如可以通过保管温度、保管湿度等保管环境的调整来进行该剥离粘合力的调整。

具有以上那样构成的切割带一体型粘接性片x例如可以以如下方式制造。

对于切割带一体型粘接性片x中的薄膜10的制作，首先，单独地制作形成激光标记层11的树脂薄膜(第1树脂薄膜)、及形成粘接剂层12的树脂薄膜(第2树脂薄膜)。第1树脂薄膜可以通过如下方式制作：将激光标记层形成用的树脂组合物涂布于规定的隔离膜上并形成树脂组合物层后，通过加热使该组合物层干燥和固化。作为隔离膜，例如可列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、以及利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为树脂组合物的涂布方法，例如可列举出：辊涂、丝网涂覆和凹版涂覆。在制作第1树脂薄膜时，加热温度例如为90～160℃，加热时间例如为2～4分钟。另一方面，第2树脂薄膜可以通过如下方式制作：将粘接剂层形成用的树脂组合物涂布于规定的隔离膜上并形成树脂组合物层后，通过加热使该组合物层干燥。在制作第2树脂薄膜时，加热温度例如为90～150℃，加热时间例如为1～2分钟。如此，能够以分别伴有隔离膜的形态制作上述第1和第2树脂薄膜。然后，使所述第1和第2树脂薄膜的露出面彼此贴合。由此制作具有激光标记层11和粘接剂层12的层叠结构的上述薄膜10。

对于切割带一体型粘接性片x的切割带20，可以通过在准备的基材21上设置粘合剂层22来制作。例如树脂制的基材21可以利用压延制膜法、在有机溶剂中的流延法、在密闭体系中的吹胀挤出法、t模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。对于制膜后的薄膜或基材21，可根据需要实施规定的表面处理。对于粘合剂层22的形成，例如，在制备粘合剂层形成用的粘合剂组合物后，首先，将该组合物涂布于基材21上或规定的隔离膜上并形成粘合剂组合物层。作为粘合剂组合物的涂布方法，例如可列举出：辊涂、丝网涂覆和凹版涂覆。接着，对于粘合剂组合物层，通过加热根据需要使其干燥，另外，根据需要产生交联反应。加热温度例如为80～150℃，加热时间例如为0.5～5分钟。在隔离膜上形成粘合剂层22的情况下，将伴有该隔离膜的粘合剂层22贴合于基材21上，然后剥离隔离膜。由此，制作具有基材21和粘合剂层22的层叠结构的上述切割带20。

对于切割带一体型粘接性片x的制作，接着，将薄膜10的激光标记层11侧贴合于切割带20的粘合剂层22侧。贴合温度例如为20～50℃，贴合压力(线压)例如为0.1～20kgf/cm。在贴合之前可以对粘合剂层22照射紫外线等辐射线，也可以在贴合之后从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。或者，还可以在切割带一体型粘接性片x的制造过程中不进行这样的辐射线照射(该情况下，可以在切割带一体型粘接性片x的使用过程中对粘合剂层22进行辐射线固化)。粘合剂层22为紫外线固化型时，用于使粘合剂层22固化的紫外线照射量例如为50～500mj/cm²。切割带一体型粘接性片x中可进行作为粘合剂层22的粘合力降低措置的照射的区域(照射区域r)例如如图1所示，是粘合剂层22中的薄膜10贴合区域内的除了其周缘部以外的区域。

由此，能够制作切割带一体型粘接性片x。对于切割带一体型粘接性片x，还可以在薄膜10侧以至少覆盖薄膜10的形态设置隔离膜(省略图示)。与切割带20的粘合剂层22相比薄膜10为小尺寸、且在粘合剂层22中具有未贴合薄膜10的区域时，例如还可以以至少覆盖薄膜10和粘合剂层22的形态设置隔离膜。隔离膜是为了保护以使薄膜10、粘合剂层22不露出的要素，在使用切割带一体型粘接性片x时从该薄膜上被剥离。

图2至图6表示使用上述切割带一体型粘接性片x的半导体装置制造方法的一个例子。

本半导体装置制造方法中，首先，如图2的(a)和图2的(b)所示，通过磨削加工对半导体晶圆w进行薄化(晶圆薄化工序)。磨削加工可以使用具备磨削磨石的磨削加工装置来进行。半导体晶圆w具有第1面wa和第2面wb。已经在半导体晶圆w中的第1面wa侧安装有各种半导体元件(省略图示)、且已经在第1面wa上形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。第2面wb为所谓的背面。该工序中，将具有粘合面t1a的晶圆加工用带t1贴合于半导体晶圆w的第1面wa侧后，在晶圆加工用带t1上保持有半导体晶圆w的状态下，从第2面wb上对半导体晶圆w进行磨削加工直至成为规定的厚度，可以得到经薄化的半导体晶圆30。

接着，如图3的(a)所示，将保持于晶圆加工用带t1的半导体晶圆30相对于切割带一体型粘接性片x的薄膜10或其粘接剂层12进行贴合。然后，如图3的(b)所示，从半导体晶圆30上剥离晶圆加工用带t1。然后，可以进行烘焙(烘焙工序)。烘焙工序中，加热温度例如为60～80℃，加热时间为0.5～2小时。通过这样的烘焙，还可以适度地提高切割带一体型粘接性片x的薄膜10与半导体晶圆30的密合性。

接着，对于切割带一体型粘接性片x中的薄膜10的激光标记层11，从切割带20的基材21侧照射激光来进行激光标记(激光标记工序)。通过该激光标记，从而对之后被单片化为半导体芯片的每个半导体元件赋予文字信息、图形信息等各种信息。该工序中，在一个激光标记工艺中，可以对半导体晶圆30内的多个半导体元件一起有效地进行激光标记。作为该工序中使用的激光，例如可列举出气体激光和固体激光。作为气体激光，例如可列举出：二氧化碳气体激光(co2激光)和准分子激光。作为固体激光，例如可列举出nd：yag激光。

接着，在切割带一体型粘接性片x中的粘合剂层22上粘贴环框41后，如图4所示，利用具备切割装置的切割刀片进行切削加工(刀片切割工序，图4中用粗线示意性地表示切削部位)。该工序中，半导体晶圆30被单片化为半导体芯片31，与此同时切割带一体型粘接性片x的薄膜10被切成小片的薄膜10’。由此，可以得到伴有背面保护膜形成用的薄膜10’的半导体芯片31、即带有薄膜的半导体芯片31。

对于切割带20的粘合剂层22具有辐射线固化性的切割带一体型粘接性片x，还可以代替在该制造过程中的上述辐射线照射，在半导体芯片单片化工序之后，从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mj/cm²。切割带一体型粘接性片x中可进行作为粘合剂层22的粘合力降低措置的照射的区域(图1所示的照射区域r)例如是粘合剂层22中的薄膜10贴合区域内的除周缘部以外的区域。

接着，根据需要经过使用水等的清洗液对伴有带有薄膜的半导体芯片31的切割带20中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序、用于扩大带有薄膜的半导体芯片31之间的分隔距离的扩晶工序后，如图5所示，从切割带20上拾取带有薄膜的半导体芯片31(拾取工序)。例如，在将带有环框41的切割带一体型粘接性片x保持于装置的保持件42的基础上，在切割带20的图中下侧使拾取机构的销构件43上升并隔着切割带20顶起作为拾取对象的带有薄膜的半导体芯片31后，通过吸附夹具44进行吸附保持。拾取工序中，销构件43的顶起速度例如为1～100mm/秒，销构件43的顶起量例如为50～3000μm。

接着，如图6所示，相对于安装基板51对带有薄膜的半导体芯片31进行倒装芯片安装。作为安装基板51，例如可列举出：引线框、带式自动结合(tab：tapeautomatedbonding)薄膜和布线基板。借助凸块52使半导体芯片31与安装基板51电连接。具体而言，借助凸块52使半导体芯片31在其电路形成面侧具有的电极极板(省略图示)与安装基板51具有的端子部(省略图示)电连接。凸块52例如为焊接凸块。另外，在半导体芯片31和安装基板51之间夹杂热固性的填充剂53。例如，通过安装基板51在其上伴有带有薄膜的半导体芯片31的状态下经过所谓的回流工序，来实现该半导体芯片31相对于安装基板51的倒装安装。

如此，能够制造在半导体芯片31的背面设置有作为保护膜的薄膜10’的半导体装置。

切割带一体型粘接性片x还可以在半导体装置的制造过程中如下所述来使用。

对于本半导体装置制造方法，首先，如图7的(a)和图7的(b)所示，在半导体晶圆w上形成改性区域30a。半导体晶圆w具有第1面wa和第2面wb。已经在半导体晶圆w中的第1面wa侧安装有各种半导体元件(省略图示)、且已经在第1面wa上形成有该半导体元件所需的布线结构等(省略图示)。第2面wb为所谓的背面。该工序中，具有粘合面t2a的晶圆加工用带t2贴合于半导体晶圆w的第1面wa侧后，在晶圆加工用带t2上保持有半导体晶圆w的状态下，对半导体晶圆w，从与晶圆加工用带t2相反的一侧沿着其分割预定线照射聚焦点对准晶圆内部的激光，起因于由多光子吸收导致的烧蚀而在半导体晶圆w内形成改性区域30a。改性区域30a是用于将半导体晶圆w分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。对于在半导体晶圆中通过激光照射在分割预定线上形成改性区域30a的方法，例如在日本特开2002-192370号公报中进行了详述，本实施方式中的激光照射条件例如在以下条件的范围内适宜地调整。

〔激光照射条件〕

(a)激光

(b)集光用透镜

倍率100倍以下

na0.55

相对于激光波长的透过率100％以下

(c)载置有半导体基板的载置台的移动速度280mm/秒以下

接着，在晶圆加工用带t2上保持有半导体晶圆w的状态下通过从第2面wb上的磨削加工对半导体晶圆w进行薄化直至为规定的厚度为止，由此，如图7的(c)所示，形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30a(晶圆薄化工序)。半导体晶圆30a中，改性区域30a在第2面wb侧露出。

本方法中，还可以代替在通过激光照射于晶圆w内形成改性区域30a的工序之后进行晶圆薄化工序的上述方法而采用如下方法：在用于将晶圆w磨削至规定的厚度的磨削加工工序之后，进行通过激光照射在经薄化的晶圆w内形成改性区域30a的工序。利用该方法，也能够形成单片化为多个半导体芯片31的薄的半导体晶圆30a。

接着，如图8的(a)所示，将保持于晶圆加工用带t2的半导体晶圆30a相对于切割带一体型粘接性片x的薄膜10或其粘接剂层12进行贴合。然后，如图8的(b)所示，从半导体晶圆30a上剥离晶圆加工用带t2。

然后，例如针对切割带一体型粘接性片x中的薄膜10的激光标记层11，从切割带20的基材21侧照射激光来进行激光标记(激光标记工序)。通过该激光标记，可对之后被单片化为半导体芯片的每个半导体元件赋予文字信息、图形信息等各种信息。该工序中，在一个激光标记工艺中，可以对半导体晶圆30a内的多个半导体元件一起有效地进行激光标记。

还可以代替在切割带一体型粘接性片x的制造过程中的上述辐射线照射，而在使半导体晶圆30a贴合至薄膜10之后，从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mj/cm²。切割带一体型粘接性片x中可进行作为粘合剂层22的粘合力降低措置的照射的区域(图1所示的照射区域r)例如是粘合剂层22中的薄膜10贴合区域内的除周缘部以外的区域。

接着，在切割带一体型粘接性片x中的粘合剂层22上粘贴环框41后，如图9的(a)所示，伴有半导体晶圆30a的该切割带一体型粘接性片x固定于扩晶装置的保持件42。

接着，相对低温的条件下的第1扩晶工序(割断用的冷扩晶工序)如图9的(b)所示那样进行，在半导体晶圆30a被单片化为多个半导体芯片31的同时，切割带一体型粘接性片x的薄膜10被切成小片的薄膜10’，从而得到带有薄膜的半导体芯片31。该工序中，扩晶装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件45在切割带一体型粘接性片x的图中下侧抵接于切割带20而上升，对贴合有半导体晶圆30a的切割带一体型粘接性片x的切割带20以在包括径向和周向的二维方向上进行拉伸的方式进行扩晶。对于切割带20，例如在产生1～100mpa的拉伸应力的条件下进行该扩晶。该工序中的温度条件例如为0℃以下、优选为-20～-5℃、更优选为-15～-5℃、更优选为-15℃。该工序中的扩晶速度(顶起构件45上升的速度)例如为1～500mm/秒。另外，该工序中的扩晶量(顶起构件45上升的距离)例如为50～400mm。通过这样的冷扩晶工序，将切割带一体型粘接性片x的薄膜10被切割成小片的薄膜10’而可以得到带有薄膜的半导体芯片31。具体而言，该工序中，在半导体晶圆30a中脆弱的改性区域30a形成裂纹而发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，该工序中，与要扩晶的切割带20的粘合剂层22密合的薄膜10中，在半导体晶圆30a的各半导体芯片31所密合的各区域抑制变形，另一方面，针对与晶圆的裂纹形成部位对置的部位，在不产生这样的变形抑制作用的状态下、在切割带20产生的拉伸应力发挥作用。其结果，薄膜10中与半导体芯片31之间的裂纹形成部位对置的部位被割断。该工序之后，如图9的(c)所示，使顶起构件45下降而解除切割带20中的扩晶状态。

接着，相对高温的条件下的第2扩晶工序如图10的(a)所示那样进行，使带有薄膜的半导体芯片31之间的距离(分离距离)扩大。该工序中，使扩晶装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件45再次上升，使切割带一体型粘接性片x的切割带20扩晶。第2扩晶工序中的温度条件例如为10℃以上、优选为15～30℃。第2扩晶工序中的扩晶速度(顶起构件45上升的速度)例如为0.1～10mm/秒。另外，第2扩晶工序中的扩晶量例如为3～16mm。通过后述拾取工序，以能从切割带20上适宜拾取带有薄膜的半导体芯片31的程度、在该工序中使带有薄膜的半导体芯片31的分离距离扩大。该工序之后，如图10的(b)所示，使顶起构件45下降而解除切割带20中的扩晶状态。从在扩晶状态解除后抑制切割带20上的带有薄膜的半导体芯片31的分离距离变窄的方面出发，优选的是，在解除扩晶状态之前，对与切割带20中的半导体芯片31保持区域相比靠近外侧部分进行加热而使其收缩。

还可以代替切割带一体型粘接性片x的制造过程中的上述辐射线照射、向薄膜10上贴合半导体晶圆30a之后的上述辐射线照射，而在上述第1扩晶工序或第2扩晶工序之后，从基材21侧对粘合剂层22照射紫外线等辐射线。照射量例如为50～500mj/cm²。切割带一体型粘接性片x中可进行作为粘合剂层22的粘合力降低措置的照射的区域(图1所示的照射区域r)例如是粘合剂层22中的薄膜10贴合区域内的除周缘部以外的区域。

接着，根据需要经过使用水等清洗液对伴有带有薄膜的半导体芯片31的切割带20中的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序后，进行用于从切割带20上拾取带有薄膜的半导体芯片31的拾取工序。具体而言，参照图5且与上述情况同样。将由此得到的带有薄膜的半导体芯片31供于参照图6的上述安装工序中。由此，能够制造半导体装置。

如上所述，切割带一体型粘接性片x的薄膜10中的粘接剂层侧的表面12a相对于硅晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出5n/10mm以上的剥离粘合力，优选显示出6n/10mm以上、更优选显示出7n/10mm以上的剥离粘合力。薄膜10相对于硅晶圆显示出该程度的高剥离粘合力这种构成，适合实现利用切割带一体型粘接性片x或该薄膜10进行的工件的良好保持。而且，对于具备这种构成的切割带一体型粘接性片x，就与工件贴合后的薄膜10而言，未必需要通过用于提高对工件密合力的加热进行的固化，因此，适于避免或抑制薄膜10相对于切割带20的粘合剂层22的密合力的过度上升。因此，这样的切割带一体型粘接性片x在上述那样的拾取工序中，适合实现带有薄膜的半导体芯片31从切割带20上的良好拾取。

如上所述，切割带一体型粘接性片x的薄膜10中的激光标记层侧的表面11a相对于硅晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.2n/10mm以下的剥离粘合力，优选显示出0.1n/10mm以下、更优选显示出0.07n/10mm以下的剥离粘合力。另外，如上所述，经辐射线固化的粘合剂层22和薄膜10之间的、在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中的剥离粘合力(第1剥离粘合力)为0.15n/20mm以下、优选为0.13n/20mm以下、更优选为0.09n/20mm以下。有关低剥离粘合力的这些构成，适于确保剥离薄膜10从切割带20的粘合剂层22上的剥离性，因此，上述那样的拾取工序中，适合实现带有薄膜的半导体芯片31从切割带20上的良好拾取。此外，有关低剥离粘合力的这些构成，在使用切割带一体型粘接性片x前的保管期间中，例如在薄膜10相对于切割带20的粘合剂层22的密合力经时上升的情况下，也可避免该密合力变得过大的方面是适宜的，有助于将切割带一体型粘接性片x在50℃下保管9天后经辐射线固化的粘合剂层22和薄膜10之间的、在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中的剥离粘合力(第2剥离粘合力)与上述第1剥离粘合力之差抑制在0.12n/20mm以下、优选抑制在0.1n/20mm以下、更优选抑制在0.07n/20mm以下。即，有关低剥离粘合力的这些构成涉及切割带20的粘合剂层22和薄膜10或其激光标记层11之间的密合性，在确保保存稳定性方面是适宜的。在使薄膜10相对于切割带20的粘合剂层22的密合力经时提高的情况下，也可避免该密合力变得过大，这在上述那样的拾取工序中有助于实现带有薄膜的半导体芯片31从切割带20上的良好拾取。

如上所述，切割带一体型粘接性片x作为切割带一体型背面保护薄膜适合实现带有薄膜的半导体芯片31从切割带20上的良好拾取。

如上所述，激光标记层11的厚度相对于薄膜10中的粘接剂层12的厚度的比值优选为0.47～12、更优选为0.65～12、更优选为0.75～7.5、更优选为0.85～5.5。对于这种构成，在兼顾薄膜10中激光标记层11侧表面所要求的特性、及与其相反的工件贴附用表面即粘接剂层12侧表面所要求的特性的方面是优选的，具体而言，例如在兼顾确保激光标记层11中的利用激光标记进行的刻印信息的上述的辨识性、及粘接剂层侧表面的工件粘接性的方面是优选的。另外，从如上所述在将切割带一体型粘接性片x用于刀片切割工序中时抑制在起因于利用切割刀具进行切削加工时的冲击、摩擦而晶圆切截面即芯片侧面形成的裂纹这样的观点出发，上述比值优选更大者。另一方面，从如上所述将切割带一体型粘接性片x用于割断用扩晶工序时实现薄膜10的良好割断性这样的观点出发，上述比值优选更小者。

本实施方式中，如上所述将切割带一体型粘接性片x在50℃下保管9天后、经辐射线固化的粘合剂层22和薄膜10之间的、在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中的剥离粘合力(第2剥离粘合力)与上述第1剥离粘合力之差为0.12n/20mm以下、优选为0.1n/20mm以下、更优选为0.07n/20mm以下。这种构成涉及切割带20的粘合剂层22和薄膜10或其激光标记层11之间的密合性，适于实现抑制了经时上升的良好的保存稳定性。

实施例

〔实施例1〕

〈背面保护薄膜的制作〉

切割带一体型粘接性片中的背面保护薄膜的制作中，首先，单独地制作形成激光标记层(lm层)的第1树脂薄膜、及形成粘接剂层(ah层)的第2树脂薄膜。

第1树脂薄膜的制作中，首先，将丙烯酸类树脂a1(商品名“teisanresinsg-p3”，重均分子量为85万，玻璃化转变温度tg为12℃，nagasechemtexcorporation制)100质量份、环氧树脂b1(商品名“ki-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)52质量份、环氧树脂b2(商品名“jeryl980”，三菱化学株式会社制)22质量份、酚醛树脂c1(商品名“meh7851-ss”，明和化成株式会社制)76质量份、填料(商品名“so-25r”，二氧化硅，平均粒径为0.5μm，admatechscompany制)188质量份、黑色系染料(商品名“oilblackbs”，orientchemicalindustriesco.,ltd.制)25质量份、和固化催化剂z1(商品名“curezol2pz”，四国化成工业株式会社制)22质量份加入到甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度28质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物并形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对组合物层进行2分钟的加热而使其干燥和热固化，在pet隔离膜上制作了厚度17μm的第1树脂薄膜(形成激光标记层的薄膜)。

第2树脂薄膜的制作中，首先，将丙烯酸类树脂a1(商品名“teisanresinsg-p3”，nagasechemtexcorporation制)100质量份、环氧树脂b3(商品名“eppn-501hy”，日本化药株式会社制)66质量份、酚醛树脂c2(商品名“meh7851-h”，明和化成株式会社制)84质量份、填料(商品名“so-25r”，二氧化硅，平均粒径为0.5μm，admatechscompany制)177质量份、和黑色系染料(商品名“oilblackbs”，orientchemicalindustriesco.,ltd.制)15质量份加入到甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度28质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物并形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对组合物层进行2分钟的加热而使其干燥，在pet隔离膜上制作了厚度8μm的未固化状态的第2树脂薄膜(形成粘接剂层的薄膜)。

使用层压机对以上述方式制作的pet隔离膜上的第1树脂薄膜和pet隔离膜上的第2树脂薄膜进行贴合。具体而言，在温度100℃和压力0.6mpa的条件在下使第1和第2树脂薄膜的露出面彼此贴合。由此制作了实施例1的背面保护薄膜。将实施例1以及后述各实施例和各比较例中的激光标记层(lm层)和粘接剂层(ah层)的组成示于表1、2(表1、2中，表示各层的组成的各数值的单位是该层内的相对的“质量份”)。

〈切割带的制作〉

在具备冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸2-乙基己酯100质量份、丙烯酸2-羟基乙酯19质量份、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.4质量份、和作为聚合溶剂的甲苯80质量份的混合物在60℃下、氮气气氛下搅拌10小时(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸类聚合物p1的聚合物溶液。接着，将含有该丙烯酸类聚合物p1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、空气气氛下搅拌60小时(加成反应)。该反应溶液中，相对于上述丙烯酸类聚合物p1100质量份，moi的配混量为12质量份，相对于丙烯酸类聚合物p1100质量份，二月桂酸二丁基锡的配混量为0.1质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸类聚合物p2的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中，相对于丙烯酸类聚合物p2100质量份，加入0.75质量份的聚异氰酸酯化合物(商品名“coronatel”，tosohcorporation制)、2质量份的光聚合引发剂(商品名“irgacure651”，basf公司制)和甲苯并进行混合，得到固体成分浓度28质量％的粘合剂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物并形成了粘合剂组合物层。接着，对于组合物层在120℃下进行2分钟的加热干燥，在pet隔离膜上形成了厚度5μm的粘合剂层。接着，使用层压机，在室温下将乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(eva)制的基材(商品名“nrw#125”，厚度125μm，gunzelimited制)贴合于该粘合剂层的露出面上。对于该贴合体，然后在23℃下进行72小时的保存。以如上方式制作了切割带。

〈切割带一体型背面保护薄膜的制作〉

将伴有pet隔离膜的实施例1的上述背面保护薄膜冲切加工成直径330mm的圆形。将伴有pet隔离膜的上述的切割带冲切加工成直径370mm的圆形。然后，从该背面保护薄膜上剥离激光标记层侧的pet隔离膜，从该切割带上剥离pet隔离膜后，使用层压机对在背面保护薄膜中露出的激光标记层侧、及在切割带中露出的粘合剂层侧进行贴合。在该贴合中，将贴合速度设为10mm/分钟，将温度条件设为23℃，将压力条件设为0.15mpa。另外，以切割带的中心与背面保护薄膜的中心一致的方式进行对位的同时来贴合。由此，制作了具有包含切割带和背面保护薄膜的层叠结构的实施例1的切割带一体型背面保护薄膜。

〔实施例2〕

在制作背面保护薄膜时将第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)的厚度设为23μm代替17μm且将第2树脂薄膜(形成粘接剂层的树脂薄膜)的厚度设为2μm代替8μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例2的切割带一体型背面保护薄膜。

〔实施例3〕

在制作背面保护薄膜时将第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)的厚度设为10μm代替17μm且将第2树脂薄膜(形成粘接剂层的树脂薄膜)的厚度设为15μm代替8μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例3的切割带一体型背面保护薄膜。

〔实施例4〕

在制作第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)时，使用了丙烯酸类树脂a2(商品名“teisanresinsg-70l”，重均分子量为90万，玻璃化转变温度tg为-13℃，nagasechemtexcorporation制)100质量份代替丙烯酸类树脂a1100质量份；将环氧树脂b1(商品名“ki-3000-4”，东都化成株式会社制)的含量设为43质量份代替52质量份，将环氧树脂b2(商品名“jeryl980”，三菱化学株式会社制)的含量设为18质量份代替22质量份，将酚醛树脂c1(商品名“meh7851-ss”，明和化成株式会社制)的含量设为64质量代替76质量份份，将填料(商品名“so-25r”，admatechscompany制)的含量设为156质量代替188质量份，将黑色系染料(商品名“oilblackbs”，orientchemicalindustriesco.,ltd.制)的含量设为21质量份代替25质量份，及将固化催化剂z1(商品名“curezol2pz”，四国化成工业株式会社制)的含量设为18质量份代替22质量份，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例4的切割带一体型背面保护薄膜。

〔实施例5〕

在制作第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)时，使用了丙烯酸类树脂a2(商品名“teisanresinsg-70l”，重均分子量为90万，玻璃化转变温度tg为-13℃，nagasechemtexcorporation制)100质量份代替丙烯酸类树脂a1100质量份；将环氧树脂b1(商品名“ki-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)的含量设为43质量份代替52质量份，将环氧树脂b2(商品名“jeryl980”，三菱化学株式会社制)的含量设为18质量份代替22质量份，将酚醛树脂c1(商品名“meh7851-ss”，明和化成株式会社制)的含量设为64质量份代替76质量份，将填料(商品名“so-25r”，admatechscompany制)的含量设为156质量份代替188质量份，将黑色系染料(商品名“oilblackbs”，orientchemicalindustriesco.,ltd.制)的含量设为21质量份代替25质量份，及将固化催化剂z1(商品名“curezol2pz”，四国化成工业株式会社制)的含量设为7质量份代替22质量份，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例5的切割带一体型背面保护薄膜。

〔实施例6〕

在制作背面保护薄膜时，将第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)的厚度设为7μm代替17μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例6的切割带一体型背面保护薄膜。

〔实施例7〕

在制作背面保护薄膜时将第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)的厚度设为5μm代替17μm，且将第2树脂薄膜(形成粘接剂层的树脂薄膜)的厚度设为5μm代替8μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例7的切割带一体型背面保护薄膜。

〔实施例8〕

在制作背面保护薄膜时将第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)的厚度设为8μm代替17μm，且将第2树脂薄膜(形成粘接剂层的树脂薄膜)的厚度设为17μm代替8μm，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了实施例8的切割带一体型背面保护薄膜。

〔比较例1〕

在制作背面保护薄膜时将第1树脂薄膜(形成激光标记层的树脂薄膜)中的固化催化剂z1(商品名“curezol2pz”，四国化成工业株式会社制)的含量设为4质量份代替22质量份，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了比较例1的切割带一体型背面保护薄膜。

〔比较例2〕

将丙烯酸类树脂a1(商品名“teisanresinsg-p3”，nagasechemtexcorporation制)100质量份、环氧树脂b3(商品名“eppn-501hy”，日本化药株式会社制)9质量份、酚醛树脂c1(商品名“meh7851-ss”，明和化成株式会社制)69质量份、酚醛树脂c2(商品名“meh7851-h”，明和化成株式会社制)12质量份、和填料(商品名“so-25r”，admatechscompany制)7质量份加入到甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度30质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对该组合物层进行2分钟的加热而使其干燥，在pet隔离膜上制作了厚度25μm的背面保护薄膜。然后，使用比较例2的该背面保护薄膜代替实施例1中的上述背面保护薄膜，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了比较例2的切割带一体型背面保护薄膜。

〔比较例3〕

将丙烯酸类树脂a2(商品名“teisanresinsg-70l”，nagasechemtexcorporation制)100质量份、环氧树脂b1(商品名“ki-3000-4”，新日铁住金化学株式会社制)52质量份、环氧树脂b2(商品名“jeryl980”，三菱化学株式会社制)22质量份、酚醛树脂c1(商品名“meh7851-ss”，明和化成株式会社制)76质量份、填料(商品名“so-25r”，admatechscompany制)181质量份、黑色系染料(商品名“oilblackbs”，orientchemicalindustriesco.,ltd.制)15质量份、和固化催化剂z2(商品名“curezol2phz-pw”，四国化成工业株式会社制)6质量份加入到甲乙酮中进行混合，得到固体成分浓度30质量％的树脂组合物。接着，使用涂布机在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet隔离膜(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布该树脂组合物而形成了树脂组合物层。接着，在130℃下对该组合物层进行2分钟的加热而使其干燥，在pet隔离膜上制作了厚度25μm的背面保护薄膜。然后，使用比较例3的该背面保护薄膜代替实施例1中的上述背面保护薄膜，除此以外与实施例1的切割带一体型背面保护薄膜同样地制作了比较例3的切割带一体型背面保护薄膜。

〈厚度的测定〉

以如下方式测定了实施例1～8和比较例1的各切割带一体型背面保护薄膜中的激光标记层(lm层)和粘接剂层(ah层)的厚度、以及比较例2、3的各切割带一体型背面保护薄膜中的背面保护薄膜的厚度。首先，冷冻切割带一体型背面保护薄膜后进行切断。接着，使用显微镜(商品名“digitalmicroscopevhx-2000”，keyencecorporation制)观察通过该切断而露出的截面，测量了测定对象层的厚度。将测定对象层的最大厚度(μm)示于表1、2。

〈背面保护薄膜的剥离粘合力f1〉

对于实施例1～8和比较例1～3的各切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜中的切割带侧表面，以如下方式调查了相对于硅晶圆的剥离粘合力f1。首先，对于切割带一体型背面保护薄膜，从切割带的基材侧对粘合剂层照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线而使粘合剂层固化。接着，在该切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜的工件贴附面侧贴合单面粘合带(商品名“bt-315”，日东电工株式会社制)。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。接着，从该贴合体上切出具有切割带和背面保护薄膜和单面粘合带的层叠结构的、宽度10mm×长度100mm大小的层叠体。接着，从该层叠体上剥离切割带。由此，可以得到具有切割带侧表面露出的背面保护薄膜和单面粘合带的层叠结构的试验片(宽度10mm×长度100mm)。接着，对载置于设定温度80℃的热板上的硅晶圆(直径6英寸)确认了其表面温度为75℃以上后，使该硅晶圆表面与试验片中的背面保护薄膜的露出面贴合。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。然后，在热板上放置2分钟后，使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下进行剥离试验，测定了背面保护薄膜相对于硅晶圆的切割带侧表面的剥离粘合力f1(n/10mm)。将该结果示于表1、2。对于在上述单面粘合带(商品名“bt-315”)和背面保护薄膜的粘接剂层的界面产生了剥离的情况，在表内示出剥离粘合力f1为8n/10mm以上。

〈背面保护薄膜的剥离粘合力f2〉

对于实施例1～8和比较例1～3的各切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜中的工件贴附面，以如下方式调查了相对于硅晶圆的剥离粘合力f2。首先，对于切割带一体型背面保护薄膜，从切割带的基材侧对粘合剂层照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线而使粘合剂层固化后，从该切割带一体型背面保护薄膜的切割带上剥离了背面保护薄膜。接着，在剥离的背面保护薄膜的切割带侧表面贴合单面粘合带(商品名“bt-315”，日东电工株式会社制)。接着，从该贴合体上切出具有背面保护薄膜和单面粘合带的层叠结构的、宽度10mm×长度100mm大小的试验片。接着，对载置于设定温度80℃的热板上的硅晶圆(直径6英寸)确认了其表面温度为75℃以上后，使硅晶圆表面和试验片中的背面保护薄膜的工件贴附面贴合。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。然后，在热板上放置2分钟后，使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下进行剥离试验，测定了背面保护薄膜相对于硅晶圆的工件贴附面的剥离粘合力f2(n/10mm)。将该结果示于表1、2。对于在上述单面粘合带(商品名“bt-315”)和背面保护薄膜的激光标记层的界面产生了剥离的情况，在表内示出剥离粘合力f2为8n/10mm以上。

〈粘合剂层和背面保护薄膜之间的剥离粘合力f1〉

对于实施例1～8和比较例1～3的各切割带一体型背面保护薄膜，以如下方式调查了经辐射线固化的粘合剂层和背面保护薄膜之间的剥离粘合力f1(第1剥离粘合力)。首先，对于切割带一体型背面保护薄膜，从切割带的基材侧对粘合剂层照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线而使粘合剂层固化。接着，在该切割带一体型背面保护薄膜中的背面保护薄膜的工件贴附面贴合单面粘合带(商品名“bt-315”，日东电工株式会社制)。通过使2kg的手压辊往返1次的压接作业来进行该贴合。接着，从该贴合体上切出具有切割带和背面保护薄膜和单面粘合带的层叠结构的、宽度100mm×长度100mm大小的试验片。然后，使用拉伸试验机(商品名“autographag-x”，岛津制作所株式会社制)，在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下对该试验片进行剥离试验，测定了切割带一体型背面保护薄膜中的经辐射线固化的粘合剂层和背面保护薄膜之间的剥离粘合力f1(n/20mm)。将该结果示于表1、2。

〈粘合剂层和背面保护薄膜之间的剥离粘合力f2〉

将实施例1～8和比较例1～3的各切割带一体型背面保护薄膜在50℃的环境下保管9天，然后对于该各切割带一体型背面保护薄膜，调查了经辐射线固化的粘合剂层和背面保护薄膜之间的剥离粘合力f2(第1剥离粘合力)。用于调查剥离粘合力f2的试验片的制作方法和粘合力测定方法·条件与用于调查剥离粘合力f1的试验片的制作方法和粘合力测定方法·条件同样。将所测定的剥离粘合力f2(n/20mm)示于表1、2。

〈激光标记性评价〉

对于实施例1～8和比较例1～3的各切割带一体型背面保护薄膜，以如下方式调查了激光标记性。首先，使用层压机在切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜上贴合硅晶圆。对于该贴合，将温度条件设为80，将压力条件设为0.15mpa。接着，使用激光标记装置(商品名“md-s9910”，keyencecorporation)，隔着切割带对背面保护薄膜表面照射激光来进行基于激光标记的印字。该激光标记中，激光功率为0.23w，标记速度为300mm/秒，激光的频率为10khz。接着，从切割带的基材侧对粘合剂层照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线而使粘合剂层固化后，从硅晶圆表面的背面保护薄膜上剥离切割带。接着，对于该带有背面保护薄膜的硅晶圆，使用回流装置(商品名“tap30-407pm”，tamuraco.,ltd.制作所制”，进行了3次依据pic/jedec-j-std-020的在温度曲线(峰值温度为260℃)下的回流处理。在回流处理前后，使用显微镜(商品名“digitalmicroscopevhx-5600”，keyencecorporation制)观察了基于激光标记进行的印字的部位。在能够清楚地辨别出基于激光标记进行的印字的情况下，将激光标记性评价为良(○)，在无法清楚地辨别出基于激光标记进行的印字的情况下，将激光标记性评价为不良(×)。将该结果示于表1、2。

〈保存稳定性评价〉

对于实施例1～8和比较例1～3的各切割带一体型背面保护薄膜，以如下方式调查了保存稳定性。首先，将切割带一体型背面保护薄膜在50℃的环境下保管9天。接着，使用安装机(商品名“ma3000iii”，日东精机株式会社制)，在切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜上贴合通过磨削加工而薄化的硅晶圆(直径300mm，厚度200μm)。对于该贴合，将温度条件设为75℃，将压力条件设为0.15mpa，将贴合速度设为10mm/秒。接着，通过使用切片机(商品名“dfd-6361”，discocorporation制)进行的刀片切割将切割带一体型背面保护薄膜上的该硅晶圆单片化为4mm×4mm大小的半导体芯片。对于该刀片切割，首先，利用z1刀具将硅晶圆切削成其一半的厚度，然后，利用z2刀具将切割带基材切入15μm的深度。对于由此进行单片化的各半导体芯片，伴有源自切割带一体型背面保护薄膜的背面保护薄膜的小片薄膜。接着，从切割带一体型背面保护薄膜中的切割带的基材侧对粘合剂层照射累积照射光量300mj/cm²的紫外线而使粘合剂层固化。接着，使用芯片焊接机(商品名“spa-300”，新川株式会社制)进行了用于从切割带上拾取带有薄膜的半导体芯片的拾取工序。对于该拾取工序，将半导体芯片间距离扩张用的扩晶量设为5mm，将通过顶起构件的顶起速度设为160mm/秒，将基于顶起构件的顶起量设为200μm，将基于吸附夹具吸附保持半导体芯片的时间设为100毫秒。然后，就保存稳定性而言，针对100个带有薄膜的半导体芯片，尝试了从切割带上的拾取，将能够适宜地从切割带上拾取的带有薄膜的半导体芯片的数量为90以上的情况评价为优(◎)，将70以上且低于90的情况评价为良(○)，将50以上且低于70的情况评价为可(△)，将50以下的情况评价为不可(×)。将该结果示于表1、2。

[评价]

实施例1～8的切割带一体型背面保护薄膜具备具有良好的激光标记性的背面保护薄膜，且适合实现拾取工序中带有薄膜的半导体芯片的良好拾取。

[表1]

[表2]