技术特征：
1.一种闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液包括氢氟酸、双氧水和去离子水，当氢氟酸采用体积百分数为40％的氢氟酸溶液、双氧水采用质量百分数为30％的双氧水溶液时，所述氢氟酸溶液、双氧水溶液和去离子水的体积比为(1.5～3):(1～2):1。2.根据权利要求1所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，当氢氟酸采用体积百分数为40％的氢氟酸溶液、双氧水采用质量百分数为30％的双氧水溶液时，所述氢氟酸溶液、双氧水溶液和去离子水的体积比为2:2:1。3.一种闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：除去待蚀刻的半导体衬底表面的污染物；非腐蚀面涂保护胶并干燥后，将其放入到权利要求1～2任一项所述的化学腐蚀液中，20～30℃腐蚀1～10min；将腐蚀后的衬底清洗即可。4.根据权利要求3所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，其在化学腐蚀液中腐蚀的时间为3～5min。5.根据权利要求3或4所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，腐蚀时用镊子夹住半导体衬底在腐蚀液中不停的晃动，晃动频率为10～30次/min。6.根据权利要求3所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，采用物理擦拭和/或化学机械抛光的方法清除待蚀刻的半导体衬底表面的污染物。7.根据权利要求6所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，物理擦拭的方法包括脱脂棉或无尘布蘸丙酮或酒精进行表面擦拭。8.根据权利要求6所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，化学机械抛光的方法包括以下步骤：将待蚀刻的衬底粘在抛光台上，在抛光液存在条件下，20～30℃抛光处理5～15min。9.根据权利要求8所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，所述抛光液为质量浓度为20％的sio2溶胶、质量百分数为30％的h2o2和hcl按照体积比为3：2：1的制备并调节ph至4的溶液。10.根据权利要求9所述的闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀液，其特征在于，所述抛光液采用桔子汁调节ph。
技术总结
本发明涉及表面处理技术领域，具体涉及一种闪锌矿结构化合物半导体的各向异性化学腐蚀液及其腐蚀方法。本发明所提供的腐蚀液包括氢氟酸、双氧水和去离子水，当氢氟酸采用体积百分数为40％的氢氟酸溶液、双氧水采用质量百分数为30％的双氧水溶液时，所述氢氟酸溶液、双氧水溶液和去离子水的体积比为(1.5～3):(1～2):1。该化学腐蚀液可以在闪锌矿结构化合物半导体的表面形成具有陷光作用的微纳结构，进而提高探测器的光耦合效率。本发明还提供闪锌矿结构化合物半导体的化学腐蚀方法，其可以快速而均匀地进行晶体减薄，并且减薄过程几乎不会导致晶体破碎，并最终可以提高衬底的光透过率，提高器件的光耦合效率，降低成本和时间。降低成本和时间。降低成本和时间。
技术研发人员：杨睿 胡文良 王洪
受保护的技术使用者：华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）
技术研发日：2021.10.29
技术公布日：2022/3/11