含量子点复合物及其制造方法、发光装置和电子设备与流程

实施方式涉及制造含量子点复合物的方法、由此制造的含量子点复合物、包括含量子点复合物的发光装置和包括含量子点复合物的电子设备。

背景技术：

1、量子点是半导体材料的纳米晶体，并且表现出量子限制效应。当量子点通过接收来自激发源的光而达到能量激发态时，它们自身根据对应的能带隙发射能量。就此而言，即使在相同材料中，波长也取决于颗粒尺寸而改变，并且相应地，通过调整量子点的尺寸，可获得具有期望的波长范围的光，并且可获得卓越的颜色纯度和高发光效率。因此，量子点适于各种装置。

2、通过调整量子点的尺寸，由于量子限制效应，量子点可实现各种颜色并具有卓越的发光特性。

3、量子点可用作在光学构件中进行各种光学功能(例如，光转换功能)的材料。量子点，作为纳米尺寸的半导体纳米晶体，通过调整纳米晶体的尺寸和组成，可具有不同能带隙，并且因此可发射各种发射波长的光。

4、包括这种量子点的光学构件可具有薄膜的形式，例如，针对每个子像素图案化的薄膜。这种光学构件可用作包括各种光源的装置的颜色转换构件。

5、可要求改善包括量子点和配体的含量子点复合物的光转换效率。

6、要理解，本背景技术章节部分地旨在提供用于理解该技术的有用的背景。然而，本背景技术章节也可包括在本文中公开的主题的对应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的想法、概念或认知。

技术实现思路

1、实施方式可包括制造具有改善的光转换效率的含量子点复合物的方法等。

2、另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的实施方式的实践而了解到。

3、根据实施方式，制造含量子点复合物的方法可包括：制备量子点，使量子点与第一配体反应，以及使量子点和第一配体之间的反应的所得产物与第二配体反应。

4、第一配体可为具有小于或等于约8的pka值的化合物，并且第二配体可为具有大于约8的pka值的化合物。

5、根据实施方式，第一配体可为包括cooh基团的化合物。

6、根据实施方式，第二配体可为包括sh基团的化合物。

7、根据实施方式，第一配体和第二配体可各自包括-och2-ch2-单元。

8、根据实施方式，第一配体可包括两个或更多个-och2-ch2-单元。

9、根据实施方式，第二配体可包括两个或更多个-och2-ch2-单元。

10、根据实施方式，第一配体可包括2,5,8,11,14-五氧杂十七烷-17-油酸、3-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)丙酸、2-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)-3-甲氧基丙酸、3-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)丙酸、3-(2-甲氧基乙氧基)-2-甲氧基丙酸或其任何组合。

11、根据实施方式，第二配体可包括2,5,8,11,14-五氧杂十六烷-16-硫醇、2-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)乙硫醇、1-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)-2-甲氧基乙硫醇、2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙硫醇、2-(2-甲氧基乙氧基)-1-甲氧基乙硫醇或其任何组合。

12、根据实施方式，第一配体与第二配体的重量比可在约1:9至约9:1的范围内。

13、根据实施方式，量子点的重量与第一配体和第二配体的总重的比例可在约10:1至约10:4的范围内。

14、根据实施方式，量子点可为具有核/壳结构的化合物，核/壳结构包括包含第一半导体的晶体的核以及包含第二半导体的晶体的壳。

15、根据实施方式，第一半导体和第二半导体可各自独立地包括第12族-第16族类化合物、第13族-第15族类化合物、第14族-第16族类化合物、第14族类元素、第14族类化合物、第11族-第13族-第16族类化合物、第11族-第12族-第13族-第16族类化合物或其任何组合。

16、根据实施方式，第一半导体和第二半导体可各自独立地包括：

17、cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgs、mgse、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgzns、mgznse、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；

18、gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb或inznp；

19、sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete或snpbste；

20、si、ge、sic或sige；

21、agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或

22、其任何组合。

23、根据实施方式，第一半导体可包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb或其任何组合，并且

24、第二半导体可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgs、mgse、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgzns、mgznse、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste或其任何组合。

25、根据实施方式，量子点的壳可具有小于或等于约1.5nm的厚度。

26、根据实施方式，量子点的壳可包括o、s、se、te或其任何组合，并且

27、壳的s/o比例、se/s比例或te/se比例可小于或等于约1。

28、实施方式提供可通过根据制造含量子点复合物的方法制造的含量子点复合物。

29、根据实施方式，发光装置可包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中发射层可包括含量子点复合物。

30、实施方式提供可包括含量子点复合物的电子设备。

31、根据实施方式，电子设备可进一步包括滤色器以及颜色转换层，其中颜色转换层可包括含量子点复合物。

32、要理解，以上实施方式仅以一般性和解释性意义来描述，而不是出于限制的目的，并且本公开不限于上述的实施方式。