1.一种制造含量子点复合物的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一配体为包括cooh基团的化合物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二配体为包括sh基团的化合物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一配体和所述第二配体各自包括-och2-ch2-单元。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一配体包括两个或更多个-och2-ch2-单元。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二配体包括两个或更多个-och2-ch2-单元。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一配体包括2,5,8,11,14-五氧杂十七烷-17-油酸、3-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)丙酸、2-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)-3-甲氧基丙酸、3-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)丙酸、3-(2-甲氧基乙氧基)-2-甲氧基丙酸或其任何组合。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二配体包括2,5,8,11,14-五氧杂十六烷-16-硫醇、2-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)乙硫醇、1-(2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙氧基)-2-甲氧基乙硫醇、2-(2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基)乙硫醇、2-(2-甲氧基乙氧基)-1-甲氧基乙硫醇或其任何组合。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一配体与所述第二配体的重量比在1:9至9:1的范围内。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述量子点的重量与所述第一配体和所述第二配体的总重的比例在10:1至10:4的范围内。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述量子点为具有核/壳结构的化合物，所述核/壳结构包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一半导体和所述第二半导体各自独立地包括第12族-第16族类化合物、第13族-第15族类化合物、第14族-第16族类化合物、第14族类元素、第14族类化合物、第11族-第13族-第16族类化合物、第11族-第12族-第13族-16族类化合物或其任何组合。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一半导体和所述第二半导体各自独立地包括：
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一半导体包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb或其任何组合，并且
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述量子点的所述壳具有小于或等于1.5nm的厚度。
16.根据权利要求11所述的方法，其中
17.一种含量子点复合物，通过根据权利要求1至16中任一项所述的制造含量子点复合物的方法制造。
18.一种发光装置，包括：
19.一种电子设备，包括根据权利要求17所述的含量子点复合物。
20.根据权利要求19所述的电子设备，进一步包括：