UV减粘保护膜及其制备方法与流程

本发明涉及功能性减粘薄膜领域，特别涉及一种uv减粘保护膜及其制备方法。

背景技术：

1、uv减粘保护膜也是一种uv减粘胶带，是由高分子材料组成的 uv减粘保护膜，该产品在uv光照射前具有较高的粘着力，而通过 uv光照射后，胶带本身的粘力快速丧失，并且在被贴物体上不会留下残胶。在加工处理过程中，该产品实现了被贴物体的有效固定、转移等功能。该产品主要用于晶元片、玻璃、led芯片、半导体等各类电子元器件切割工艺。

2、目前的uv减粘保护膜一般在存储约2~4个月后，胶层中的小分子会迁移到胶层表面，虽然后期剥离时经过uv照射后粘合力变小，但胶粘层的小分子会残留在被贴合物体表面,给被贴合物体造成污染，此外uv减粘保护膜易受到外界光源而导致粘合力变小，而脱离材料表面失去其作用。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足之处，本发明的目的是提供一种uv减粘保护膜及其制备方法，

2、通过该方法制备的uv减粘保护膜粘接强度较高，在紫外线的照射下可以很好的减小剥离力，使得照射后的粘性低于20gf，且本发明可以在磁场控制下改变保护膜的透光率，从而控制uv减粘保护膜的粘性。

3、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

4、一种uv减粘保护膜，包括基材，所述基材上沉积有磁控变色功能层，所述磁控变色功能层由磁控变色胶体沉积于基材上构成，所述磁控变色功能层上沉积有保护层，保护层上沉积有uv光减粘胶层，uv光减粘胶层上沉积有离型膜所述基材、所述磁控变色功能层、所述保护层、所述uv光减粘胶层与所述离型膜之间均采用胶粘剂粘接固定。

5、优选的，所述磁控变色胶体由纳米四氧化三铁、聚丙烯酰胺、去离子水与油酸按照7:10:2:1的比例组成，所述磁控变色功能层厚度为30-40um。

6、优选的，所述uv光减粘胶层由聚丁二烯型uv光减粘胶构成，其组成由以下质量份数的组分：20-25份的聚丁二烯、15-20份的聚丙烯酸酯、2-3份的1,4-丁烯二醇、0.1-0.2份的阻聚剂、0.1-0.2份的催化剂、2-3份的自由基光引发剂、2-3份的阳离子光引发剂、30-40份的乙酸乙酯、2-3份的异氟尔酮二异氰酸盐；所述uv光减粘层的厚度为15-20um。

7、优选的，自由基光引发剂为乙氧基苯偶姻、1-羟环己基苯酮的一种或两种，阳离子光引发剂为三苯基锍鎓六氟磷酸盐。

8、优选的，所述阻聚剂为对苯二酚、2-叔丁基对苯二酚按照质量份1:1的比例混合而成，催化剂为辛酸亚锡、三乙醇胺的一种或两种。

9、优选的，所述聚丁二烯型uv光减粘胶制备过程如下：将质量份数的聚丁二烯、1,4-丁烯二醇、阻聚剂与催化剂、自由基光引发剂与阳离子光引发剂加入乙酸乙酯中，混合后在氮气环境下加热至80℃，逐滴加入异氟尔酮二异氰酸盐，并处于80℃下保温反应3小时，得到uv光减粘胶。

10、优选的，所述基材为pte薄膜或pc薄膜或pi薄膜，所述基材层的厚度为40-50um。

11、优选的，所述保护膜为聚碳酸酯材料制备得到的膜层，所述保护膜的厚度为10-20um。

12、优选的，所述离型膜是由聚对苯二甲酸乙二醇制备得到的薄膜，所述离型膜的厚度为20-30um。

13、一种uv减粘保护膜制备方法，包括如下步骤：

14、s101、将通过所述纳米四氧化三铁、聚丙烯酰胺、去离子水与油酸按照7:10:2:1的比例制成的干重为30g/m2的磁控变色胶体沉积于厚度为40-50um的基材上；

15、s102、而后将聚碳酸酯材料沉积于磁控变色功能层上，并控制涂料厚度为30-40um，形成保护层，再将干重为10g/m2的聚丁二烯型uv减粘胶形成于所述保护层表面，并形成uv光减胶层；

16、s103、最后将聚对苯二甲酸乙二醇材料复合在uv光减粘胶层上，形成的离型膜，得到uv减粘保护膜。

17、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

18、本发明在基材上先涂布上一层磁控变色功能层，而后在功能层上依次沉积上一层保护层与uv减粘胶层，最后在uv减粘胶层上复合离型膜，其工作原理是当紫外线能力为200mj时，uv减粘胶层被照射前粘性＞1500gf而被照射后粘性＜20gf使其易于脱离。此外本发明在基材中涂布有磁控变色功能层，在不同的磁场强度作用下，通过改变纳米四氧化三铁与聚丙烯酰胺结合成的纳米胶体分子的形状与方向，改变保护膜的透光率，达到在光照下可控uv减粘保护膜的减粘作用，以保护减粘保护膜不会由于环境影响材料使用性与实用性。

技术特征：

1.一种uv减粘保护膜，其特征在于：包括基材（1），所述基材（1）上沉积有磁控变色功能层（2），所述磁控变色功能层（2）由磁控变色胶体沉积于基材上构成，所述磁控变色功能层（2）上沉积有保护层（3），保护层（3）上沉积有uv光减粘胶层（4），uv光减粘胶层（4）上沉积有离型膜（5），所述基材（1）、所述磁控变色功能层（2）、所述保护层（3）、所述uv光减粘胶层（4）与所述离型膜（5）之间均采用胶粘剂粘接固定。

2.根据权利要求1所述的一种uv减粘保护膜，其特征在于：所述磁控变色胶体由纳米四氧化三铁、聚丙烯酰胺、去离子水与油酸按照7:10:2:1的比例组成，所述磁控变色功能层（2）厚度为30-40um。

3.根据权利要求1所述的一种uv减粘保护膜，其特征在于：所述uv光减粘胶层（4）由聚丁二烯型uv光减粘胶构成，其组成由以下质量份数的组分：20-25份的聚丁二烯、15-20份的聚丙烯酸酯、2-3份的1,4-丁烯二醇、0.1-0.2份的阻聚剂、0.1-0.2份的催化剂、2-3份的自由基光引发剂、2-3份的阳离子光引发剂、30-40份的乙酸乙酯、2-3份的异氟尔酮二异氰酸盐；

4.根据权利要求3所述的一种uv减粘保护膜，其特征在于：所述自由基光引发剂为乙氧基苯偶姻、1-羟环己基苯酮的一种或两种，阳离子光引发剂为三苯基锍鎓六氟磷酸盐；

5.根据权利要求3或4所述的一种uv减粘保护膜，其特征在于：所述聚丁二烯型uv光减粘胶制备过程如下：将质量份数的聚丁二烯、1,4-丁烯二醇、阻聚剂与催化剂、自由基光引发剂与阳离子光引发剂加入乙酸乙酯中，混合后在氮气环境下加热至80℃，逐滴加入异氟尔酮二异氰酸盐，并处于80℃下保温反应3小时，得到uv光减粘胶。

6.根据权利要求1所述的一种uv减粘保护膜，其特征在于：所述基材（1）为pte薄膜或pc薄膜或pi薄膜，所述基材层的厚度为40-50um。

7.根据权利要求1所述的一种uv减粘保护膜，其特征在于：所述保护膜（3）为聚碳酸酯材料制备得到的膜层，所述保护膜的厚度为10-20um。

8.根据权利要求1所述的一种uv减粘保护膜，其特征在于：所述离型膜（4）为聚对苯二甲酸乙二醇材料制备得到的膜层，所述离型膜的厚度为20-30um。

9.一种用于制备权利要求1-8任意一项所述的uv减粘保护膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

技术总结
本发明属于新型减粘膜领域，公开了一种UV减粘保护膜及其制备方法，该制备方法包括以下步骤首先在基材上涂敷一层磁控变色功能层，然后再在该功能层上分别涂敷一层保护层和一层UV减粘胶层，最后在该减粘胶层上形成一种分离膜，该分离膜的工作原理是：在UV容量为200mJ的条件下，UV减粘胶在辐照前的粘度>1500gf，辐照后的粘度<20gf，很容易脱落。另外，在基底上沉积磁控色功能层，通过调节纳米四氧化三铁‑聚丙酰胺键合形成的纳米胶粒的形态和取向，实现紫外减粘性保护膜在光下的可控减粘性，避免因环境因素而影响其使用性能和实用性。

技术研发人员：邓联文,吴娜娜,冯玉林
受保护的技术使用者：昆山汉品电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15