发光元件墨及制造显示装置的方法与流程

本公开内容的实施方案涉及发光元件墨以及制造显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置的重要性随着多媒体的发展而已经增加。因此，已经使用了各种类型的显示装置，例如，有机发光显示器(oled)和液晶显示器(lcd)。

2、存在包括发光元件作为显示显示装置的图像的装置的自发光显示装置。自发光显示装置是发光元件，并且包括使用有机材料作为发光材料的有机发光显示装置、使用无机材料作为发光材料的无机发光显示装置等。

技术实现思路

1、包括无机发光二极管的显示装置可以通过将具有小尺寸的发光元件分散在发光元件溶剂中以形成发光元件墨并且将所述发光元件墨喷射在电极上的喷墨印刷工艺来制造。所述发光元件可以在其中它们分散在溶剂中的状态下喷射在所述电极上，并且可以安置(例如，沉积)在所述电极上，同时它们的位置和取向方向通过在所述电极上(或处)产生的电场来改变。

2、所述显示装置的表面可以在所述喷墨印刷工艺之前进行氟(f)处理，使得所述发光元件墨可以平稳地安置(例如，沉积)。当所述发光元件墨被喷射在氟处理的表面上时，氟离子(f-)可以从所述表面上洗脱。被洗脱到所述发光元件墨中的氟离子(f-)可以改变所述发光元件墨的电导率并且降低所述发光元件墨中的所述发光元件的电场反应性。

3、本公开内容的实施方案的方面提供了包括发光元件溶剂的发光元件墨，所述发光元件溶剂包含能够去除可以从经表面处理的表面洗脱的离子的离子去除剂。

4、本公开内容的实施方案的方面还提供了使用所述发光元件墨制造显示装置的方法。

5、然而，本公开内容的实施方案的方面不限于本文阐述的那些。通过参考以下给出的本公开内容的具体实施方式，本公开内容的实施方案的以上和其它方面对本公开内容所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

6、根据本公开内容的实施方案，发光元件墨(例如，发光元件墨组合物)包含发光元件溶剂和发光元件，所述发光元件分散在所述发光元件溶剂中且各自包括多个半导体层和围绕所述半导体层的外表面的绝缘膜，其中所述发光元件溶剂包含由式1表示的溶剂分子和由式2表示的离子去除剂，

7、式1

8、r1-(oh)n

9、式2

10、r1-(o-sinr23)n

11、其中r1是选自式3至式5中的任一种，r2是选自氢(h)、c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团、c2-c15烯基醚基团和中的任一种，n是1或2的整数，x是杂原子，所述杂原子是选自氧(o)、氮(n)、硫(s)和磷(p)中的任一种，r3是选自c3-c13烷基基团、c4-c13烯基基团、c4-c13炔基基团、c3-c13烷基醚基团和c4-c13烯基醚基团中的至少一种，以及

12、式3

13、

14、式4

15、

16、式5

17、

18、其中r4是选自c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团和c2-c15烯基醚基团中的至少一种，以及式1至式5中的“*”是键合位点。

19、在25℃下测量的所述发光元件溶剂的粘度可以是18cp至22cp。

20、所述发光元件溶剂的介电常数可以是6.4至6.6。

21、所述发光元件溶剂的电导率可以是0至0.4μs/m。

22、相对于100wt％的所述发光元件溶剂，可以包含1wt％或小于1wt％的量的所述离子去除剂。

23、式1可以是选自式a1至式c1中的任一种，并且式2可以是选自式a2至式c2中的任一种，

24、式a1

25、

26、式b1

27、

28、式c1

29、

30、式a2

31、

32、式b2

33、

34、式c2

35、

36、其中r2是选自氢(h)、c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团、c2-c15烯基醚基团和中的任一种，并且r4是选自c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团和c2-c15烯基醚基团中的任一种。“*”是键合位点。

37、所述发光元件溶剂可以包含选自式a1至式c1中的至少一种和选自式a2至式c2中的至少一种。

38、所述发光元件溶剂可以进一步包含选自由式d至式f表示的化合物中的至少一种，以及

39、式d

40、

41、式e

42、

43、式f

44、

45、其中r5和r6各自独立地是选自c1-c10烷基基团、c2-c10烯基基团、c2-c10炔基基团、c1-c10烷基醚基团和c2-c10烯基醚基团中的任一种。

46、所述多个半导体层可以包括第一半导体层和第二半导体层、以及在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层，并且所述绝缘膜可以至少围绕所述发光层的外表面。

47、所述发光元件可以具有其中所述发光元件在一个方向上延伸并且具有1μm至5μm的长度的形状。

48、根据本公开内容的实施方案，制造显示装置的方法包括：制备其上形成有第一电极和第二电极并且形成有区块层的衬底、以及包括各自包括多个半导体层的发光元件和所述发光元件分散在其中的发光元件溶剂的发光元件墨(例如，发光元件墨组合物)，所述区块层具有在其上进行了疏水处理的表面并且围绕其中提供有所述第一电极和所述第二电极的区域；将所述发光元件墨喷射在所述衬底的被所述区块层围绕的所述区域上，并且在所述第一电极和所述第二电极上(或处)产生电场；以及将所述发光元件提供在所述第一电极和所述第二电极上，其中所述发光元件溶剂包含由式1表示的溶剂分子和由式2表示的离子去除剂，

49、式1

50、r1-(oh)n

51、式2

52、r1-(o-sir23)n

53、其中r1是选自式3至式5中的任一种，r2是选自氢(h)、c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团、c2-c15烯基醚基团和中的任一种，n是1或2的整数，x是杂原子，所述杂原子是选自氧(o)、氮(n)、硫(s)和磷(p)中的任一种，r3是选自c3-c13烷基基团、c4-c13烯基基团、c4-c13炔基基团、c3-c13烷基醚基团和c4-c13烯基醚基团中的至少一种，以及

54、式3

55、

56、式4

57、

58、式5

59、

60、其中r4是选自c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团和c2-c15烯基醚基团中的至少一种，以及式1至式5中的“*”是键合位点。

61、在25℃下测量的所述发光元件溶剂的粘度可以是18cp至22cp。

62、所述发光元件溶剂的介电常数可以是6.4至6.6。

63、所述发光元件溶剂的电导率可以是0至0.4μs/m。

64、相对于100wt％的所述发光元件溶剂，可以包含1wt％或小于1wt％的量的所述离子去除剂。

65、式1可以是选自式a1至式c1中的任一种，式2可以是选自式a2至式c2中的任一种，并且所述发光元件溶剂可以包含选自式a1至式c1中的至少一种和选自式a2至式c2中的至少一种，

66、式a1

67、

68、式b1

69、

70、式c1

71、

72、式a2

73、

74、式b2

75、

76、式c2

77、

78、其中r2是选自氢(h)、c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团和c2-c15烯基醚基团中的任一种，并且r4是选自c1-c15烷基基团、c2-c15烯基基团、c2-c15炔基基团、c1-c15烷基醚基团和c2-c15烯基醚基团中的任一种。

79、当所述发光元件墨被喷射时，所述离子去除剂可以与从所述区块层的所述表面洗脱的杂质离子反应。

80、所述制造显示装置的方法可以进一步包括提供所述发光元件和去除所述发光元件溶剂，其中可以通过热处理工艺在200℃至400℃的温度范围内进行所述发光元件溶剂的所述去除。

81、在将所述发光元件提供在所述第一电极和所述第二电极上时，所述发光元件的位置和取向方向可以通过所述电场改变。

82、所述多个发光元件可以具有在所述第一电极上的一个端部(例如，可以各自具有在所述第一电极上的一个端部)和在所述第二电极上的另一个端部(例如，可以各自具有在所述第二电极上的另一个端部，所述另一个端部与所述一个端部相对)，并且可以彼此间隔开。

83、在根据实施方案的发光元件墨中，发光元件溶剂可以包括具有与溶剂分子基本上相同的化学结构的离子去除剂。所述发光元件溶剂的所述离子去除剂可以去除在制造显示装置的工艺中无意地产生的杂质离子，并且可以防止或减少在制造所述显示装置的工艺期间与发光元件的对准相关的所述发光元件溶剂的物理性质的变化。根据实施方案，所述发光元件墨可以防止或降低在制造显示装置的工艺期间由于所述发光元件溶剂的物理性质的变化而引起的所述发光元件的对准程度的降低。

84、本公开内容的效果不限于上述效果，并且各种适合的其它效果包括在说明书中。