专利名称：磁致伸缩式转矩传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁致伸缩式转矩传感器。
背景技术：
机动车等车辆可以具备电动动力转向装置，电动动力转向装置产生对通过驾驶员向转向盘(方向盘)的操作而产生的旋转轴处的转向转矩进行辅助的辅助转矩。通过辅助转矩的产生，电动动力转向装置能够减轻驾驶员的负担。电动动力转向装置具有对转向转矩进行检测的转向转矩传感器，对转向转矩等作用在旋转轴上的转矩进行检测的转矩传感器可以分类为利用磁致伸缩效果来对转矩进行检测的转矩传感器(磁致伸缩式转矩传感器)、利用扭力杆来对转矩进行检测的转矩传感器等。
例如专利文献I公开了可利用在电动动力转向装置中的磁致伸缩式转矩传感器， 在该磁致伸缩式转矩传感器中，如专利文献I的图3所示那样的磁屏蔽件20a设置在盖体 (保持构件)43的附近。另外，在专利文献I的图5(b)中，盖体(保持构件)43自身兼作磁屏蔽件。具备这样的磁屏蔽件的磁致伸缩式转矩传感器难以受到来自外部的外部磁场噪声 (外部磁场噪声)的影响。因而，磁屏蔽件能够使磁致伸缩式转矩传感器的检测精度提高。
在先技术文献
专利文献
专利文献I日本特开2004-309184号公报
但是，在专利文献I的图3所示那样的励磁线圈20d'、20e'的附近配置有磁屏蔽件20a的情况下，本发明者们发现了磁致伸缩式转矩传感器的检测灵敏度发生降低的情况。即，在磁屏蔽件20a的影响下，如专利文献I的图7所示那样的直线LlO的倾斜变小。
此外，专利文献I的图3所示那样的转向轴12b向外部露出。因而，本发明者们发现了来自转向轴12b的上部的外部磁场噪声进入旋转轴12而使磁致伸缩式转矩传感器的检测精度降低的情况。发明内容
本发明的一个目的在于提供一种能够抑制检测灵敏度的降低的磁致伸缩式转矩传感器。本发明的另一目的在于提供一种能够抑制检测精度的降低的磁致伸缩式转矩传感器。本发明的其他目的通过参照以下例示出的形态、优选的实施方式以及附图，使本技术领域人员更加清楚。
以下，为了容易理解本发明的概况而例示出依据本发明的方式。
依据本发明的第一方式涉及一种磁致伸缩式转矩传感器，其具备
具有磁致伸缩部的旋转轴；
对所述磁致伸缩部进行励磁的励磁线圈；
对所述磁致伸缩部的磁特性的变化进行检测的检测线圈；
至少包围所述励磁线圈的周围的磁屏蔽件，
所述磁致伸缩式转矩传感器的特征在于，
所述旋转轴由磁性材料构成，
所述磁屏蔽件还包围不具有所述磁致伸缩部的所述旋转轴的部分的周围，
所述磁屏蔽件在与所述励磁线圈对应的部分上具有与所述旋转轴的中心轴平行的狭缝。
通过磁屏蔽件来包围不具有磁致伸缩部的旋转轴的部分的周围，由此从旋转轴的上部进入到旋转轴的内部的外部磁场噪声能够向磁屏蔽件侧转移。其结果是，旋转轴内的磁通(朝向线圈的外部磁场噪声)减少。由此，能够抑制磁致伸缩式转矩传感器的检测精度的降低。
另外，磁屏蔽件至少包围励磁线圈的周围，从而能够抑制来自旋转轴的上部以外的其他方向的外部磁场噪声。然而，由励磁线圈产生的磁通因流过磁屏蔽件的涡电流而减少，其结果是，使磁致伸缩式转矩传感器的检测灵敏度降低。对此，磁屏蔽件在与励磁线圈对应的部分上具有狭缝，从而通过狭缝来抑制检测灵敏度的降低。
需要说明的是，励磁线圈及检测线圈可以由兼用线圈构成，也可以由专用的励磁线圈和专用的检测线圈的组合来构成。
在第一方式中，磁屏蔽件可以具有圆筒状的形状。
通过磁屏蔽件具有圆筒状的形状,转移到磁屏蔽件侧的外部磁场噪声在具有圆筒状的形状的磁屏蔽件的整周上行进。因而，能够减少外部磁场噪声的影响。
在第一方式中，所述磁屏蔽件可以在与不具有所述磁致伸缩部的所述旋转轴的所述部分对应的部分上具有圆环部来代替所述狭缝，且与所述励磁线圈对置的所述磁屏蔽件的部分和所述中心轴之间的距离可以比所述圆环部和所述中心轴之间的距离长。
由于圆环部包围不具有磁致伸缩部的旋转轴的部分，因此从旋转轴的上部进入到旋转轴的内部的外部磁场噪声容易向圆环部(磁屏蔽件)侧转移。另外，从旋转轴侧转移到磁屏蔽件侧(圆环部侧)的磁通在磁屏蔽件内(与励磁线圈对置的磁屏蔽件的部分)穿过时，能够通过与励磁线圈对置的磁屏蔽件的部分使该磁通从励磁线圈远离。由此，能够减少在磁屏蔽件内穿过的外部磁场噪声的影响。
本技术领域人员能够容易地理解到，例示出的依照本发明的方式在不脱离本发明的精神的情况下能够进一步变更。
图1是具有磁致伸缩式转矩传感器的电动动力转向装置的示意图。
图2是图1所示的电动动力转向装置的整体结构图。
图3是图2的3-3线剖视图。
图4是图3的磁屏蔽件附近的放大图。
图5是图3的磁屏蔽件及传感器壳体的立体图。
图6是表示图3的磁屏蔽件的变形例的放大图。
符号说明
10…电动动力转向装置
20···转向系统
21..转向盘
22..转向轴
23..万向轴接头
24..旋转轴
24a——端
24b 另一端
24i 连结部
25..齿轮齿条机构
26..齿条轴
27..横拉杆
28..转向节
29..转向车轮
31..小齿轮
32..齿条
40..辅助转矩机构
41..转向转矩传感器
42..控制部
43..电动机
44..减速机构
45..蜗杆轴
46..蜗杆
47..蜗轮
51..壳体
51a 上部开口
52..球窝接头
53..防尘密封用护罩
54a 磁屏蔽件
54as…狭缝
54b 磁屏蔽件
55..传感器壳体
56..油封
57..螺钉
58..螺栓
61..第一轴承
62..第二轴承
70..齿条引导件
71..引导部
72..压缩弹簧
73..调整螺栓
74. 接抵构件(日语当t部材)
75. 锁紧螺母
81. 磁致伸缩部
82. 磁致伸缩部
83. 检测部
84. 线圈骨架
85. 线圈
92. 连接器具体实施方式
以下说明的优选的实施方式用于使本发明容易理解。因而，本技术领域人员应予以注意的是，本发明未由以下说明的实施方式来不合理地限定。
图1示意性地示出了装入有作为磁致伸缩式转矩传感器的转向转矩传感器41的电动动力转向装置10。电动动力转向装置10包括从车辆的转向盘21至车辆的转向车轮 (前轮)29、29的转向系统20 ;对该转向系统20施加辅助转矩、即附加转矩的辅助转矩机构 40。
在转向系统20中，在转向盘21上经由转向轴22及万向轴接头23、23而连结旋转轴24(也称之为“小齿轮轴、输入轴”)，在旋转轴24上经由齿轮齿条机构25而连结齿条轴 26，在齿条轴26的两端经由左右的横拉杆27、27及转向节28、28而连结左右的转向车轮 29、29。齿轮齿条机构25包括在旋转轴24上具有的小齿轮31 ;在齿条轴26上具有的齿条32。
根据转向系统20，通过驾驶员使转向盘21转向，从而能够通过该转向转矩而经由齿轮齿条机构25使转向车轮29、29转向。
辅助转矩机构40是如下这样的机构，即，通过转向转矩传感器41对施加给转向盘 21的转向系统20的转向转矩进行检测，根据该检测信号而通过控制部42产生控制信号，并根据该控制信号而通过电动机43产生与转向转矩对应的辅助转矩(附加转矩)，将辅助转矩经由减速机构44向旋转轴24传递，进而将辅助转矩从旋转轴24向转向系统20的齿轮齿条机构25传递。
电动机43例如由无刷电动机构成，其内置有分解器等旋转传感器。该旋转传感器对电动机43中的转子的旋转角进行检测。
对控制部42的概况进行说明，如下所述。
控制部42由电源电路、对电动机电流进行检测的电流传感器、输入接口电路、微处理器、输出接口电路、FET电桥电路等构成。输入接口电路从外部取入转矩信号、车速信号或电动机旋转信号等。微处理器根据由输入接口电路取入的转矩信号或车速信号等，对电动机43进行矢量控制。输出接口电路将微处理器的输出信号转换成向FET电桥电路的驱动信号。FET电桥电路是向电动机43 (无刷电动机)通入三相交流电流的开关元件。
这样的控制部42根据由旋转传感器检测到的电动机43的转子的旋转信号和由电动机电流传感器(内置在控制部42中)检测到的电流信号，来进行矢量控制。该矢量控制为d-q控制,对控制电动机43的转矩的q轴电流和控制磁场的d轴电流进行直流控制。
S卩，控制部42根据由转向转矩传感器41检测到的转向转矩信号、由未图示的车速传感器检测到的车速信号及由旋转传感器检测到的转子的旋转信号等，来设定目标q轴电流及目标d轴电流。
然后，控制部42根据由旋转传感器检测到的旋转信号和由电动机电流传感器检测到的电流信号，以使进行d-q转换后的实际q轴电流及实际d轴电流与上述目标q轴电流及目标d轴电流一致的方式进行PI控制。
根据电动动力转向装置10，通过在驾驶员的转向转矩上加上电动机43的辅助转矩(附加转矩)而得到的复合转矩，能够利用齿条轴26使转向车轮29、29转向。
减速机构44例如由蜗轮机构构成。以下，将减速机构44适当改称为“蜗轮机构 44”。
图2示出了图1所示的电动动力转向装置10的整体结构，其是将左端部及右端部剖开而示出的图。如图2所示，齿条轴26以能够沿着轴向滑动的方式收容在沿着车宽方向 (图2的左右方向)延伸的壳体51中。在齿条轴26中，在从壳体51突出的长度方向两端经由球窝接头52、52而连结有横拉杆27、27。齿条轴26的两端部由防尘密封用护罩53、53来覆盖。
如图2及图3所示，壳体51收纳旋转轴24的下半部分、齿轮齿条机构25及蜗轮机构44，且在上端形成的上部开口 51a上安装有磁屏蔽件54b。这样的壳体51的相对于上部开口 51a的相反侧、即底部被闭塞。
进一步详细叙述，如图3所示，旋转轴24以在壳体51的内部立起的方式配置，且从一端24a(下端面)朝向另一端24b(上端面)依次设有第一轴承61、小齿轮31、第二轴承62、磁致伸缩式转矩传感器41中的两个磁致伸缩部81、82。
旋转轴24在安装于壳体51的内部的状态下，上半部分从上部开口 51a贯通传感器壳体55而向上方延伸。两个磁致伸缩部81、82位于传感器壳体55内。
如图3所示，壳体51在内周面上经由第一轴承61及第二轴承62将旋转轴24支承为能够旋转。即，旋转轴24的下端部分经由第一轴承61而由壳体51支承为能够旋转。 在旋转轴24的中间部分的小齿轮31与蜗轮47之间的位置经由第二轴承62而由壳体51 支承为能够旋转。在图3中，CL为旋转轴24的中心线(轴心)。
传感器壳体55对转向转矩传感器41 (检测部83)进行收纳，且传感器壳体55由磁屏蔽件54a、54b包围。传感器壳体55由树脂等非磁性材料构成。旋转轴24贯通传感器壳体55的上下,且在传感器壳体55的上部设有用于对旋转轴24进行密封的油封56。在图3的例子中，磁屏蔽件54a (第一磁屏蔽件)例如形成为筒状，经由例如传感器壳体55及油封56而包围例如线圈85、85及磁致伸缩部82的周围，且也包围磁致伸缩部82与连结部 24i之间的旋转轴24 (没有磁致伸缩部82的旋转轴24的部分)的周围。在图3的例子中， 磁屏蔽件54b (第二磁屏蔽件)例如形成为筒状，且形成凸缘。磁屏蔽件54b包围例如线圈 85、85及磁致伸缩部81的周围。
在图3的例子中，磁屏蔽件由磁屏蔽件54a及磁屏蔽件54b这两个构件构成，但也可以例如由一个构件来构成。对于磁屏蔽件54a及磁屏蔽件54b,在后面叙述。
磁屏蔽件54a通过螺钉57固定在传感器壳体55上，磁屏蔽件54b (凸缘)通过螺栓58安装。相对于壳体51,传感器壳体55经由磁屏蔽件54b向径向的移动被限制。
在图3中，电动机43是未图示的电动机轴从纸面的对面侧到跟前侧在壳体51内水平地延伸的构件。电动机轴为连结了蜗轮机构44的蜗杆轴45的输出轴。蜗杆轴45具备一体形成的蜗杆46。蜗杆轴45的两端部经由轴承而由壳体5支承为能够旋转。
蜗轮机构44构成为，通过使从动侧的蜗轮47与驱动侧的蜗杆46啮合，而从蜗杆 46经由蜗轮47向负载侧传递转矩。
壳体51具备齿条引导件70。该齿条引导件70包括从齿条32的相反侧与齿条轴26相抵的引导部71 ;经由压缩弹簧72按压引导部71的调整螺栓73 ;供齿条轴26的背面滑动的接抵构件74 ;对调整螺栓73进行定位的锁紧螺母75。
转向转矩传感器41是磁致伸缩式转矩传感器，其包括旋转轴24 ;设置在该旋转轴24的表面上，根据转矩而磁致伸缩特性(磁特性)变化的上下一对的磁致伸缩部81、82 ； 配置在该磁致伸缩部81、82的附近而对在磁致伸缩部81、82上产生的磁致伸缩效果进行检测的线圈85、85、85、85。
换言之，转向转矩传感器41包括设置在旋转轴24上的一对磁致伸缩部81、82 ； 设置在磁致伸缩部81、82的周围的检测部83。
磁致伸缩部81、82例如由在旋转轴24的轴长度方向上被赋予了彼此反方向的残余变形的磁致伸缩膜构成。以下，将磁致伸缩部81、82适当改称为“磁致伸缩膜81、82”。
磁致伸缩膜81、82是由相对于变形的变化而磁通密度的变化大的材料构成的膜， 例如为通过气相沉积法形成在旋转轴24的外周面上的N1-Fe系的合金膜。该合金膜的厚度优选为30 50 μ m左右。需要说明的是，合金膜的厚度也可以是在该范围以下或者在该范围以上。第二磁致伸缩膜82的磁致伸缩方向相对于第一磁致伸缩膜81的磁致伸缩方向不同(具有磁致伸缩各向异性)。这样，两个磁致伸缩膜81、82为在旋转轴24的外周面上整周形成的大致固定的宽度且固定的厚度的膜。需要说明的是，两个磁致伸缩膜81、82在轴长度方向上具有规定的间隔而排列。
在N1-Fe系的合金膜大致含有50重量％的Ni的情况下，磁致伸缩常数变大，因此存在磁致伸缩效果变高的倾向，从而优选使用这样的Ni含有率的材料。例如，作为N1-Fe 系的合金膜，使用含有50 70重量％的Ni且剩余为Fe的材料。
需要说明的是，磁致伸缩膜81、82也可以是强磁性体的膜，并不局限于N1-Fe系的合金膜。例如，磁致伸缩膜81、82也可以是Co-Fe系的合金膜或Sm-Fe系的合金膜。
检测部83对在磁致伸缩膜81、82上产生的磁致伸缩效果进行电检测，并将其检测信号作为转矩检测信号输出，且该检测部83收纳在传感器壳体55内。该检测部83包括 旋转轴24贯通了的筒状的线圈骨架84 ;多层卷绕在线圈骨架84上的线圈85、85、85、85。 通过将四个线圈85、85、85、85分别作为检测线圈使用，由此检测信号不仅能够包含转矩检测信号，也能够包含故障检测信号。需要说明的是，来自四个检测线圈85、85、85、85的磁通对磁致伸缩膜81、82进行励磁，四个检测线圈85、85、85、85还作为四个励磁线圈而发挥作用。四个线圈85、85、85、85分别可以称为兼用检测线圈的励磁线圈。即，在图3的例子中， 四个线圈85、85、85、85分别为兼用线圈。
在O. 5 Imm左右的范围内设定磁致伸缩膜81、82与线圈骨架84的间隙。线圈 85、85、85、85在I IOOkHz的范围内被以适当的例如IOkHz左右的频率励磁，当转向转矩作用于旋转轴24时，被赋予了各向异性的磁致伸缩部81、82的导磁率发生变化，因而，线圈85、85、85、85的电感也发生变化。
在图3的例子中，与第一磁致伸缩膜81对置而配置两个励磁线圈(检测线圈)85、 85，与第二磁致伸缩膜82对置而配置两个励磁线圈(检测线圈)85、85，但这些励磁线圈 (检测线圈)85、85、85、85与图I所示的控制部42之间的配线及电子电路未进行图示。连接器92能够用于将励磁线圈(检测线圈)85、85、85、85侧的配线与控制部42侧的配线连接。图3中被省略的这些构件的配线及电子电路可以采用例如日本特开2009-264812号公报的图2所示那样的结构。
也可以对图3的例子进行变形，与第一磁致伸缩膜81及第二磁致伸缩膜82对置而配置一个独立专用的励磁线圈，还可以例如采用日本专利文献I的图6所示那样的结构。
连结部24i是经由图I所示的万向轴接头23、23及转向轴22而与转向盘21连结的轴端部分。连结部24i例如由用于连结万向轴接头23的细齿构成。连结部24i与旋转轴24—体形成。
图4示出了在图3的检测部83附近配置的磁屏蔽件54a、54b，图5示出了组装之前的磁屏蔽件54a、54b及传感器壳体55的立体图。
在图5的例子中，磁屏蔽件54a具有第一圆环部54al。如图4所不,第一圆环部 54al包围不具有磁致伸缩部82的旋转轴24的部分的周围，且与磁致伸缩部82和连结部 24i之间的旋转轴24的部分对置。磁屏蔽件54a(第一圆环部54al)与旋转轴24的间隙例如为O. 5 1mm，但未限定为该范围。第一圆环部54al包围旋转轴24且与其对置，因此， 从旋转轴24的上部(连结部24i侧)进入到旋转轴24的内部的外部磁场噪声容易向磁屏蔽件54a的第一圆环部54al侧转移。其结果是,旋转轴24内的磁通(朝向线圈85的外部磁场噪声)减少。由此，能够抑制磁致伸缩式转矩传感器41的检测精度的降低。在磁屏蔽件54a(第一圆环部54al)的导磁率比旋转轴24的导磁率高的情况下,磁通容易向磁屏蔽件54a移动。
磁屏蔽件54a还具有与传感器壳体55的上端对置的第二圆环部54a3，第二圆环部54a3经由中空的平板圆盘部54a2而与第一圆环部54al连接。第二圆环部54a3的直径 (内径)比第一圆环部54al的直径(内径)大，因此，第二圆环部54a3与旋转轴24的中心轴CL之间的距离比第一圆环部54al与中心轴CL之间的距离长。从旋转轴24侧转移到磁屏蔽件54a侧(第一圆环部54al侧)的磁通在磁屏蔽件54a的第二圆环部54a3内穿过时，能够使该磁通从线圈85远离。
磁屏蔽件54a还具有与传感器壳体55对置的第三圆环部54a5，第三圆环部54a5 经由中空的平板圆盘部54a4而与第二圆环部54a3连接。第三圆环部54a5的直径(内径) 比第二圆环部54a3的直径(内径)大，因此，第三圆环部54a5与旋转轴24的中心轴CL之间的距离比第二圆环部54a3与中心轴CL之间的距离长。换言之，与线圈85对置的磁屏蔽件54a的部分(第三圆环部54a5)和中心轴CL之间的距离比第一圆环部54al或第二圆环部54a3和中心轴CL之间的距离长。从旋转轴24侧转移到磁屏蔽件54a侧(第一圆环部 54al及第二圆环部54a3侧)的磁通在磁屏蔽件54的第三圆环部54a5内穿过时，能够使该磁通进一步从线圈85远离。在图5的例子中，磁屏蔽件54a整体由相同的材料单一地形成。
磁屏蔽件54b具有第四圆筒部54bI及凸缘54b2，磁屏蔽件54b的材料可以与磁屏蔽件54a的材料相同，也可以不同。磁屏蔽件54b (第四圆筒部54bl)与磁屏蔽件54a(第三圆环部54a5)对置,磁通从第三圆环部54a5侧进而向第四圆筒部54bl侧转移。磁屏蔽件54a(第三圆环部54a5)与磁屏蔽件54b (第四圆筒部54bl)的间隙例如为0.5 1mm，但未限定为该范围。转移到第四圆筒部54bl侧的磁通向凸缘54b2前进。这样，磁屏蔽件54a(54al 54a5)将从转向盘21侧向旋转轴24进入的外部磁场噪声向磁屏蔽件 54b(54bl、54b2)中继。
但是，由于旋转轴24通常需要机械性的扭转和弯曲强度，因此将铁合金作为母材，且还需要进行热处理。由于该热处理，在母材中会残留有碳。这样的含有碳等杂质的旋转轴24与不含有杂质的旋转轴相比，容易受到外部磁场噪声的影响。换言之，旋转轴24 由磁性材料构成。在第一圆环部54al或磁屏蔽件54a不与旋转轴24对置的情况下，由发动机、发电机、电动机等的交变磁场所引起的交变磁通从旋转轴24的上部进入，在来自转向转矩传感器41的检测信号中产生噪声，从而导致检测精度的降低。作为低通滤波器的代替，通过第一圆环部54al就能够使这样的噪声向磁屏蔽件54a侧移动。
磁屏蔽件54a能够对从转向盘21侧向旋转轴24进入的外部磁场噪声进行抑制。 从其他方向向线圈85、85或检测部83进入的外部磁场噪声也能够通过磁屏蔽件54a来进行抑制。磁屏蔽件54a、54b由磁性材料(包含非晶态磁性材料)构成，导磁率大且顽磁力小的优选，例如为铁、硅钢、强磁性铁镍合金、铁素体等。磁屏蔽件54a、54b的厚度例如为 Imm IOmm0
在图5的例子中，磁屏蔽件54a例如在与对磁致伸缩膜82进行励磁的线圈85、85 对应的部分上具有与旋转轴24的中心轴CL平行的狭缝54as。如上所述，磁屏蔽件54a的第三圆环部54a5包围线圈85、85的周围，从而能够抑制来自旋转轴24的上部以外的其他方向的外部磁场噪声。但是，同时在第三圆环部54a5中，由线圈(励磁线圈)85、85产生的磁通因流过磁屏蔽件54a(第三圆环部54a5)的涡电流而减少，其结果是，通过线圈(检测线圈)85、85经由磁致伸缩膜82而能够检测到的磁通也减少。这样，第三圆环部54a5使转矩传感器41的检测灵敏度降低。因此，依据本发明的磁屏蔽件54a在与线圈85、85对应的部分上具有狭缝54as。能够通过不具有狭缝54as的部分(第三圆环部54a5)使外部磁场噪声从线圈85、85远离，并且能够通过狭缝54as来抑制转矩传感器41的检测灵敏度的降低。
在图5的例子中，磁屏蔽件54b不具有与中心轴CL平行的狭缝，但磁屏蔽件54b 例如也可以在与对磁致伸缩膜81进行励磁的线圈85、85对应的部分上具有与旋转轴24的中心轴CL平行的狭缝。
图6是表示图3的磁屏蔽件54a、54b的变形例的放大图。在图6的例子中，磁屏蔽件54a的第三圆环部54a5能够包围四个线圈85、85、85、85及两个磁致伸缩部81、82的周围。在图6的例子中，磁屏蔽件54a的第三圆环部54a5在与四个线圈85、85、85、85对应的部分上具有狭缝54as。
本发明并不限定于上述例示的实施方式，并且，本技术领域人员也能够容易将上述例示出的实施方式在权利要求书所包含的范围内进行变更。
权利要求
1.一种磁致伸缩式转矩传感器，其具备 具有磁致伸缩部的旋转轴； 对所述磁致伸缩部进行励磁的励磁线圈； 对所述磁致伸缩部的磁特性的变化进行检测的检测线圈； 至少包围所述励磁线圈的周围的磁屏蔽件， 所述磁致伸缩式转矩传感器的特征在于， 所述旋转轴由磁性材料构成， 所述磁屏蔽件还包围不具有所述磁致伸缩部的所述旋转轴的部分的周围， 所述磁屏蔽件在与所述励磁线圈对应的部分上具有与所述旋转轴的中心轴平行的狭缝。
2.如权利要求I所述的磁致伸缩式转矩传感器，其特征在于， 所述磁屏蔽件具有圆筒状的形状。
3.如权利要求I或2所述的磁致伸缩式转矩传感器，其特征在于， 所述磁屏蔽件在与不具有所述磁致伸缩部的所述旋转轴的所述部分对应的部分上具有圆环部来代替所述狭缝， 与所述励磁线圈对置的所述磁屏蔽件的部分和所述中心轴之间的距离比所述圆环部和所述中心轴之间的距离长。
全文摘要
本发明提供一种能够抑制检测灵敏度的降低的磁致伸缩式转矩传感器。磁致伸缩式转矩传感器(41)具备具有磁致伸缩膜(82)等磁致伸缩部的旋转轴(24)；对磁致伸缩膜(82)进行励磁的励磁线圈(85、85)；对磁致伸缩膜(82)的导磁率等磁特性的变化进行检测的检测线圈(85、85)；至少包围励磁线圈(85、85)的周围的磁屏蔽件(54a)。旋转轴(24)由磁性材料构成。磁屏蔽件(54a)还包围不具有磁致伸缩部(82)的旋转轴(24)的部分的周围。磁屏蔽件(54a)在与励磁线圈(85、85)对应的部分上具有与旋转轴(24)的中心轴(CL)平行的狭缝(54as)。
文档编号B62M6/50GK102980698SQ20121028698
公开日2013年3月20日 申请日期2012年8月13日 优先权日2011年9月5日
发明者藤田浩壹, 清水康夫 申请人:本田技研工业株式会社