1.一种原盘的制造方法，其包括以下步骤：
在圆筒或圆柱形的基材的外周面形成薄膜层的步骤；
基于描画有对象物的输入图像，生成与所述对象物对应的控制信号的步骤；
基于所述控制信号对所述薄膜层照射激光，在所述薄膜层形成与所述对象物对应的薄膜图案的步骤；以及
将形成有所述薄膜图案的所述薄膜层用于掩模，在所述基材的所述外周面形成与所述对象物对应的图案的步骤。
2.根据权利要求1所述的原盘的制造方法，其特征在于，
将所述输入图像分割成多个小区域，根据所述小区域各自是否包含有所述对象物来决定是否对所述小区域照射所述激光，基于该决定结果生成所述控制信号。
3.根据权利要求2所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述小区域的尺寸小于所述激光的光斑的尺寸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的原盘的制造方法，其特征在于，
在所述薄膜层形成所述薄膜图案的步骤中，
以所述基材的中心轴作为旋转轴使所述基材旋转，同时对所述基材照射所述激光。
5.根据权利要求4所述的原盘的制造方法，其特征在于，
生成所述控制信号，以使其与控制所述基材旋转的信号同步。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述激光的光源为半导体激光器，
通过热光刻在所述薄膜层形成所述薄膜图案。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述薄膜层包含形成于所述外周面的中间层和形成于所述中间层上的抗蚀剂层，
在所述薄膜层形成所述薄膜图案的步骤包括：
通过对所述抗蚀剂层进行显影而在所述抗蚀剂层形成所述薄膜图案的步骤；以及
将所述抗蚀剂层作为掩模而对所述中间层进行蚀刻的步骤。
8.根据权利要求7所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述中间层的蚀刻速率比所述抗蚀剂层的蚀刻速率快，
所述中间层的蚀刻速率比所述基材的蚀刻速率慢。
9.根据权利要求7或8所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述中间层的导热率为200W/(m·K)以下。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述激光对直接形成在所述基材上的所述抗蚀剂层的反射率，与所述激光对隔着所述中间层而形成在所述基材上的所述抗蚀剂层的反射率之差是5％以下。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述抗蚀剂层包含金属氧化物。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的原盘的制造方法，其特征在于，
所述中间层包含类金刚石。
13.一种转印物，其特征在于，
其转印有通过权利要求1至12中任一项所述的制造方法所制造出的原盘的图案。
14.一种复制原盘，其特征在于，
其转印有权利要求13所述的转印物的图案。
15.一种转印物，其特征在于，
其转印有权利要求14所述的复制原盘的图案。