一种化纤生产切片结晶床的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及化纤生产领域，具体涉及一种化纤生产切片结晶床。
【背景技术】
[0002]在化纤生产系统中，造粒、切片后就是对切片的表面结晶，切片的表面结晶过程是将切片在大风量、一定温度下达到表面结晶的效果，表面结晶的作用是防止切片在下道工序高温干燥时产生粘连，从而影响挤出工序时的挤出质量，所以切片的表面结晶好坏至关重要，在结晶过程中对风量的控制和温度的控制以及切片的走向都有很高的要求，一般的缺陷是在表面结晶时切片易粘连。
【发明内容】
[0003]本发明针对以上缺陷，提供一种化纤生产切片结晶床。
[0004]为实现上述目的，本发明采用如下技术方式:一种化纤生产切片结晶床，包括预结晶床、结晶床，在预结晶床和结晶床的下部设置有送风室，送风室和进风管连接，在预结晶床上部设置有进料口，在结晶床的上部设置有出风口，在结晶床的下部设置有出料口，在结晶床的内部设置有卧式搅拌装置。
[0005]进一步所述，送风室内设置有预结晶床风向控制板和结晶床风向控制板。
[0006]进一步所述，预结晶床的一侧设置有预结晶床检测门。
[0007]进一步所述，预结晶床的一侧设置有结晶床检测门。
[0008]为了更好的达到预结晶效果，所述卧式搅拌装置包括搅拌轴、搅拌叶片。
[0009]为了达到最佳的送风效果，所述预结晶床风向控制板和结晶床风向控制板可以在水平方向到垂直方向90°范围内转动。
[0010]有益效果:本发明通过预结晶和结晶两级过程，并且在预结晶床中设置有搅拌装置，防止切片相互之间造成粘连；通过预结晶风向控制板和结晶风向控制板的组合使用，降低了设备造成成本，节约了设备占地面积。
【附图说明】
[0011]图1为本发明的结构示意图；
[0012]图2为搅拌装置局部示意图。
[0013]图中:1、预结晶床2、结晶床3、送风室4、进料口 5、出风口 6、出料口 7、进风管8、预结晶床检测门9、结晶床检测门10、预结晶床风向控制板11、结晶床风向控制板12、卧式搅拌装置13、搅拌轴14、搅拌叶片
【具体实施方式】
[0014]如图所示其结构:一种化纤生产切片结晶床，包括预结晶床1、结晶床2，在预结晶床I和结晶床2的下部设置有送风室3，送风室3和进风管7连接，在预结晶床上部设置有进料口 4，在结晶床2的上部设置有出风口 5，在结晶床2的下部设置有出料口 6，在结晶床I的内部设置有卧式搅拌装置12，所述送风室3内设置有预结晶床风向控制板10和结晶床风向控制板11，所述预结晶床I的一侧设置有预结晶床检测门8，所述预结晶床I的一侧设置有结晶床检测门9，所述卧式搅拌装置12包括搅拌轴13、搅拌叶片14，所述预结晶床风向控制板10和结晶床风向控制板11可以在水平方向到垂直方向90°范围内转动。工作过程:切片从进料口进入预结晶床，预结晶床风向控制板开启，结晶床风向控制板关闭，预结晶床内送风，切片进行预结晶，并且搅拌装置工作，达到更好的预结晶效果，然后切片进入结晶床进一步表面结晶，此时预结晶床风向控制板关闭，结晶床风向控制板开启，表面结晶后的切片从出料口进入下一道工序。
【主权项】
1.一种化纤生产切片结晶床，包括预结晶床(I)、结晶床(2)，在预结晶床(I)和结晶床(2)的下部设置有送风室(3)，送风室(3)和进风管(7)连接，在预结晶床上部设置有进料口(4)，在结晶床(2)的上部设置有出风口(5)，在结晶床(2)的下部设置有出料口(6)，在结晶床(I)的内部设置有卧式搅拌装置(12)。2.根据权利要求1所述的化纤生产切片结晶床，其特征在于:所述送风室(3)内设置有预结晶床风向控制板(10)和结晶床风向控制板(11)。3.根据权利要求1所述的化纤生产切片结晶床，其特征在于:所述预结晶床(I)的一侧设置有预结晶床检测门(8)。4.根据权利要求1所述的化纤生产切片结晶床，其特征在于:所述预结晶床(I)的一侧设置有结晶床检测门(9)。5.根据权利要求1所述的化纤生产切片结晶床，其特征在于:所述卧式搅拌装置(12)包括搅拌轴(13)、搅拌叶片(14)。6.根据权利要求2所述的化纤生产切片结晶床，其特征在于:所述预结晶床风向控制板(10)和结晶床风向控制板(11)可以在水平方向到垂直方向90°范围内转动。
【专利摘要】一种化纤生产切片结晶床，包括预结晶床、结晶床，在预结晶床和结晶床的下部设置有送风室，送风室和进风管连接，在预结晶床上部设置有进料口，在结晶床的上部设置有出风口，在结晶床的下部设置有出料口，在结晶床的内部设置有卧式搅拌装置。本发明通过预结晶和结晶两级过程，并且在预结晶床中设置有搅拌装置，防止切片相互之间造成粘连。
【IPC分类】F26B25/04, F26B21/00, F26B17/00
【公开号】CN105202889
【申请号】CN201410292894
【发明人】周鑫
【申请人】江苏天地化纤有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年6月26日