本发明涉及水处理系统的技术领域，尤其是一种水中放射性镭元素去除系统，特别涉及其系统连接结构。
背景技术：
世界上许多地区的饮用水源是地下水，部分地区水中含有高浓度的天然放射性元素，常规的处理采用曝气后采用硫酸钡共沉淀絮凝沉淀，再经过砂滤池进行过滤。
现有技术采用硫酸钡共沉淀加砂滤去除水中的镭，放射性镭元素在砂过滤池中会逐渐累积，一定时间后砂滤池内滤料必须完全更换，放射性废物需要进行特殊处理。砂滤池墙体含有有毒物质（氯化钡、硫酸钡等）及放射性物质，人工清洗会对工作人员造成不可逆的健康伤害。而且氯化钡是一种有毒盐类，会增加水中的氯化钡浓度，投加量稍有差错就会威胁到饮用者的安全。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种水中放射性镭元素去除系统。采用水合氧化锰吸附配合平板陶瓷膜过滤系统，克服了现有技术中存在的缺点和不足。
为了实现上述目的，本发明的技术方案为：一种水中放射性镭元素去除系统，所述系统包括自动投加单元、含镭地下水池、搅拌混合池、陶瓷膜过滤装置，所述自动投加单元与搅拌混合池的投料口连接，含镭地下水池通过管路与搅拌混合池的入水口连接，上述搅拌混合池的池体壁处设有溢流口，搅拌混合池通过溢流口与陶瓷膜过滤装置连接，陶瓷膜过滤装置的出水口通过第一管路与过滤产水泵的入水口连接，滤产水泵的出水口通过第二管路与产水池的入水口连接，反冲洗管路的一端与第二管路连接，的另一端与反冲洗产水池的出水口连接，反冲洗管路上设置有反冲洗泵,陶瓷膜过滤装置内设有一组曝气头，该组曝气头通过曝气管路与曝气风机的排风口连接，陶瓷膜过滤装置的底部设有废水排水口，废水排水口通过废水排水管与废水池的入水口连接。
本发明公开了一种水中放射性镭元素去除系统，系统通过自动投加装置将纳米级水合氧化锰加入水中，配合平板陶瓷膜，可以在陶瓷膜表面形成一层滤饼层，该滤饼层可以有效的吸附水中的镭，对镭的吸附拦截率在97%以上，当跨膜压差达到设定值后，对滤饼层进行曝气反洗收集，含镭废水再进行集中处理。
附图说明
图1为本发明系统原理图。
其中：
1、自动投加单元；
2、含镭地下水池；
3、搅拌混合池；
4、溢流口；
5、陶瓷膜过滤装置；
6、滤产水泵；
7、产水池；
8、反冲洗管路；
9、第一管路；
10、第二管路；
11、反冲洗产水池；
12、反冲洗泵；
13、曝气头；
14、曝气管路；
15、曝气风机；
16、废水排水口；
17、废水排水口；
18、废水池；
19、搅拌叶轮；
20、电机；
21、第一截止阀；
22、第二截止阀；
23、第三截止阀；
24、第一止回阀；
25、第四截止阀。
具体实施方式
下面参照附图，对本发明进一步进行描述。
本发明公开了一种水中放射性镭元素去除系统，其区别于现有技术在于：所述系统包括自动投加单元1、含镭地下水池2、搅拌混合池3、陶瓷膜过滤装置4，所述自动投加单元1与搅拌混合池3的投料口连接，含镭地下水池2通过管路与搅拌混合池3的入水口连接，上述搅拌混合池3的池体壁处设有溢流口4，搅拌混合池3通过溢流口4与陶瓷膜过滤装置5连接，陶瓷膜过滤装置5的出水口通过第一管路9与过滤产水泵6的入水口连接，滤产水泵6的出水口通过第二管路10与产水池7的入水口连接，反冲洗管路8的一端与第二管路10连接，的另一端与反冲洗产水池11的出水口连接，反冲洗管路8上设置有反冲洗泵12,陶瓷膜过滤装置5内设有一组曝气头13，该组曝气头13通过曝气管路14与曝气风机15的排风口连接，陶瓷膜过滤装置5的底部设有废水排水口16，废水排水口16通过废水排水管17与废水池18的入水口连接。
在具体实施时，所述搅拌混合池3内设有搅拌叶轮19，搅拌叶轮19有电机20驱动。
在具体实施时，第一管路处设有第一截止阀21，第二管路处设有第二截止阀22，反冲洗管路处依次设有第三截止阀23和第一止回阀24，第一止回阀24靠近反冲洗泵设置，反冲洗泵与反冲洗产水池之间的管路上设有第四截止阀25。
在具体实施时，所述陶瓷膜过滤装置5内设有平板陶瓷膜，该平板陶瓷膜为无机膜材质。无机膜是以三氧化二铝（al2o3）经高温烧结工艺制备而形成的非对称膜，膜孔径规格系列从50nm~200nm，膜的过滤出水水质稳定，膜体机械强度高，具有抗粘附特性，通过自动投加装置将纳米级水合氧化锰加入水中，通过水泵的负压抽吸，可以在陶瓷膜表面形成一层滤饼层，该滤饼层可以有效的吸附水中的镭，对镭的吸附拦截率在97%以上，当跨膜压差达到设定值后，对滤饼层进行曝气反洗收集，含镭废水再进行集中处理。
在具体实施时，含镭地下水进入陶瓷膜过滤装置内，进水管路上投加纳米级水合氧化锰，通过过滤产水泵的负压抽吸，水中的镭被吸附在膜表面形成的水合氧化锰滤饼层上，当跨膜压差达到设置值后，通过曝气风机和反洗水泵联合进行反洗恢复膜通量，反洗后的高浓度含镭废水再进行集中收集处理。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明具体实施只局限于上述这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。