利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法与流程

本发明公开一种覆膜剥离方法，特别是一种利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法。

背景技术：

随着半导体和液晶显示面板产业的不断发展，我国的半导体产业和液晶面板产业得到了很大提升，行业产能也越来越高。半导体和液晶显示面板等产业属于精细化产业，其对生产设备要求非常高，因此就要求设备的零部件需要进行定期维护，以保证生产精度。

由于有些工件要求比较特殊，工件自身母材采用铝、石英、陶瓷、树脂材质制成，为了达到某些特殊性能，其表面附着有光刻胶等材质的覆膜，以保持其性能。然而，在此种零部件维修维护时，需要对原有附着的膜进行去除，才能进行新的覆膜的操作，而现有技术中，去除工件表面附着的膜通常有化学溶液溶泡或采用机械剥离的方式去除等，去除效果不好，而且容易损伤工件本身。

技术实现要素：

针对上述提到的现有技术中的工件表面的膜去除时效果不好的缺点，本发明提供一种利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其利用丙酮进行化学反应的方法去除工件表面附着的膜，效果较好。

本发明解决其技术问题采用的技术方案是：一种利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，该方法包括下述步骤：

（1）、丙酮清洗剂浸泡处理：采用的丙酮清洗剂对工件进行浸泡处理，反应为在常温温度下进行浸泡反应，反应时间为8~14小时，直至目测工件表面无残留膜为止；

（2）、纯水浸泡：采用流动的水进行浸泡冲洗60分钟以上，浸泡时应保持超纯水的流动；

（3）、干燥：将浸泡清洗后的工件放在干燥炉的治具上进行干燥处理。

本发明解决其技术问题采用的技术方案进一步还包括：

所述的步骤（1）中丙酮清洗剂的丙酮纯度为大于或等于99.8%。

所述的步骤（1）中丙酮清洗剂浸泡时在半导体清洗房内进行，浸泡清洗前，半导体清洗房防爆排风应继续运转2小时以上，浸泡清洗过程中，半导体清洗房的防爆排风应当处于打开状态。

所述的步骤（1）中丙酮清洗剂使用3次过后，则报废。

所述的步骤（2）中采用的水为电阻率大于或等于12mω.cm的超纯水。

所述的步骤（3）中采用cda吹干，干燥温度为150±5°，干燥时间为6小时以上。

本发明的有益效果是：本发明利用丙酮进行化学反应的方法去除工件表面附着的膜，不仅效率高，而且去除的干净、彻底，对工件自身损伤小，效果较好。

下面将结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

附图说明

图1为本发明操作流程图。

具体实施方式

本实施例为本发明优选实施方式，其他凡其原理和基本结构与本实施例相同或近似的，均在本发明保护范围之内。

请参看附图1，本发明主要为一种利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其包括下述步骤：

（1）、工件（或称为部品）确认，对照工程表内容确认待加工工件的品种，主要包括：工件的母材是否为铝、石英、陶瓷或树脂，工件的数量与具体产品是否与清单一致、工件表面是否有划伤、破损等；

（2）、丙酮清洗剂浸泡处理：本实施例中，采用的丙酮清洗剂对工件进行浸泡处理，浸泡时，以丙酮没过工件为准，即保证工件全部浸泡入硝氟酸溶液中，本实施例中，反应为在常温温度下进行浸泡反应，反应时间为8~14小时，直至目测工件表面无残留膜为止，本实施例中，丙酮清洗剂采用市售的丙酮清洗剂，丙酮纯度为大于或等于99.8%；

本实施例中，丙酮清洗剂浸泡时在专用的半导体清洗房内进行，浸泡清洗前，半导体清洗房防爆排风应继续运转2小时以上，浸泡清洗过程中，半导体清洗房的防爆排风应当处于打开状态。

丙酮清洗剂使用3次过后，则报废，将使用后的丙酮清洗剂回收到专用密闭容器中。

（3）、纯水浸泡：采用流动的超纯水进行浸泡冲洗60分钟以上，浸泡时应保持超纯水的流动，本实施例中，采用的水为电阻率大于或等于12mω.cm的超纯水，超纯水的ph值应当为7；

（4）、干燥：将浸泡清洗后的工件放在干燥炉的治具上进行干燥处理，采用cda(去油去水压缩空气)吹干，干燥温度为150±5°，干燥时间为6小时以上。

（5）、确认：目测确认有无残留膜，如果有残留膜则需要再次进行处理，如果没有残留膜则确认为合格品。

本发明利用丙酮进行化学反应的方法去除工件表面附着的膜，不仅效率高，而且去除的干净、彻底，对工件自身损伤小，效果较好。

技术特征：

技术总结
本发明公开一种利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，该方法包括下述步骤：（1）、丙酮清洗剂浸泡处理：采用的丙酮清洗剂对工件进行浸泡处理，反应为在常温温度下进行浸泡反应，反应时间为8~14小时，直至目测工件表面无残留膜为止；（2）、纯水浸泡：采用流动的水进行浸泡冲洗60分钟以上，浸泡时应保持超纯水的流动；（3）、干燥：将浸泡清洗后的工件放在干燥炉的治具上进行干燥处理。本发明利用丙酮进行化学反应的方法去除工件表面附着的膜，不仅效率高，而且去除的干净、彻底，对工件自身损伤小，效果较好。

技术研发人员：熊志红;张远
受保护的技术使用者：深圳仕上电子科技有限公司
技术研发日：2018.05.16
技术公布日：2018.11.30