掩膜板异物清除方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜板异物清除方法。


背景技术：

2.现有的小尺寸掩膜板表面上附着异物的清洗沿用韩系清洗，包括：nmp药液溶解有机物
→
diw置换nmp
→
koh电解
→
diw
→
ipa置换diw
→
cda干燥；使用过程中存在清洗能力不足以及清洗药液残留问题，引起的问题主要有以下几点：掩膜板使用次数增加导致掩膜板上的颗粒增加从而导致产品出现不良；药液残留在掩膜板，进入蒸镀机后发生废气，影响腔体真空度；使腔体氛围恶化，造成器件异常。
3.因此，亟需提供一种掩膜板异物清除方法，可以提高掩膜板的清洗效果，以及避免清洗液残留在掩膜板上。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种掩膜板异物清除方法，可以增强掩膜板的清洗能力。
5.本技术实施例提供一种掩膜板异物清除方法，包括如下步骤：
6.去除掩模板上附着的有机物的步骤；
7.去除异物的步骤；其中，采用碱的醇溶液去除掩模板上残留的异物；
8.干燥掩模板的步骤。
9.可选的，在本技术的一些实施例中，所述碱的醇溶液中的碱液的体积分数为8～12％。
10.可选的，在本技术的一些实施例中，所述碱的醇溶液中的碱液的体积分数为9％。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述koh醇溶液中包括koh和乙醇。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述去除掩模板上附着的有机物的步骤包括：采用n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液溶解掩模板上的有机物；采用去离子水(diw)去除掩模板上残留的n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述采用n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液溶解掩模板上的有机物的具体操作为：将掩膜板置于n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液中，在45～55℃温度下进行超声清洗处理，超声波频率为40～120khz，干燥；
14.所述采用去离子水(diw)去除残留的n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液的具体操作为：将掩膜板置于去离子水中，在42～48℃温度下进行超声清洗处理，超声波频率为40～120khz，干燥。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述去除异物的步骤包括：采用所述碱的醇溶液电解去除掩模板上残留的异物；去除掩模板上残留的koh。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，所述电解的直流电压小于或等于15v，电流小于或等于500a。
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述干燥掩模板的步骤包括：采用干燥压缩空
气进行干燥；真空干燥。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，所述采用干燥压缩空气进行干燥的具体操作为：向所述掩膜板的表面吹干燥压缩空气，所述干燥压缩空气的流量小于等于3000lpm。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述干燥压缩空气的吹出方向与所述掩膜板之间的角度为0～35
°
。
20.本技术的有益效果在于：
21.本技术的掩膜板异物清除方法，可以增强对掩膜板的清洗能力，以及减少掩膜板清洗后残留物，如有机物和无机物等。本技术不仅可以增强对掩膜板(mask)的清洗能力，还可减少电力的，进而减少成本。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1是本技术实施例提供的掩膜板异物清除方法的流程示意图。
24.图2是本技术对比例1提供的掩膜板异物清除方法的流程示意图。
具体实施方式
25.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。另外，在本技术的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
26.本技术实施例提供一种掩膜板异物清除方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
27.本技术实施例提供一种掩膜板异物清除方法，包括如下步骤：去除掩模板上附着的有机物的步骤；去除异物的步骤；干燥掩模板的步骤。进一步地，在所述去除异物的步骤中，包括采用碱的醇溶液去除掩模板上残留的异物。
28.本技术实施例的清除方法中，采用碱的醇溶液可以增强对掩膜板的清洗能力，进而有助于减少掩膜板上的残留物。
29.进一步地，所述碱的醇溶液包括碱液和醇。所述碱的醇溶液中的碱液的体积分数为8～12％。例如，所述碱的醇溶液中的碱液的体积分数可以为8％、9％、10％、11％或12％。
例如，所述碱的醇溶液中的碱液的体积分数为10％，换句话说，所述碱的醇溶液中，所述碱液和所述醇的体积比为1：9。
30.在一些实施例中，所述碱液可以为氢氧化钾(koh)；所述醇可以为乙醇。也就是说，所述碱的醇溶液可以为koh醇溶液。例如，可以通过koh与乙醇以1：9的体积比制备得到koh醇溶液。
31.在本技术的一些实施例中，所述去除掩模板上附着的有机物的步骤包括：采用n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液溶解掩模板上的有机物；采用去离子水(diw)去除掩模板上残留的n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液。进一步地，所述n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液是采用相似相容的原理溶解掩模板上的有机物。
32.进一步地，所述采用n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液溶解掩模板上的有机物的具体操作为：将掩膜板置于n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液中，在45～55℃温度下进行超声清洗处理，超声波频率为40～120khz，干燥。也就是说，在所述n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液溶解有机物后，对掩膜板进行干燥，以进行后续处理。例如，所述干燥可以采用压缩干燥空气(cda)法对掩膜板进行干燥。例如，所述超声清洗处理的温度可以为45℃、46℃、48℃、49℃、50℃、51℃、52℃、53℃、54℃或55℃；例如，所述超声清洗处理的超声波频率可以为40khz、50khz、60khz、70khz、80khz、90khz、100khz、110khz或120khz。
33.进一步地，所述采用去离子水(diw)去除残留的n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液的具体操作为：将掩膜板置于去离子水中，在42～48℃温度下进行超声清洗处理，超声波频率为40～120khz，干燥。例如，所述干燥可以采用压缩干燥空气法对掩膜板进行干燥。该步骤采用超声清洗用以对上一步中使用的n-甲基吡咯烷酮进行去除。例如，所述超声清洗处理的温度可以为42℃、43℃、44℃、45℃、46℃、47℃或48℃。例如，所述超声清洗处理的超声波频率可以为40khz、50khz、60khz、70khz、80khz、90khz、100khz、110khz或120khz。
34.在本技术的一些实施例中，所述去除异物的步骤包括：采用碱的醇溶液电解去除掩模板上残留的异物；去除掩模板上残留的koh。可知利用碱的醇溶液去除掩模板上残留的异物的工作原理是电解。本实施例中，采用乙醇置换去除掩模板上残留的koh。
35.进一步地，所述电解的直流电压小于或等于15v，电流小于或等于500a。例如，直流电压可以为1v、2v、5v、8v、10v、12v、13v、14v或15v；例如电流可以为50a、100a、150a、200a、250a、300a、350a、400a、420a、450a、480a或500a。
36.进一步地，采用碱的醇溶液电解去除掩模板上残留的异物后，需进行干燥处理再进行后续的去除掩模板上残留的koh。该步骤中的干燥可以采用压缩干燥空气法对掩膜板进行干燥。
37.在本技术的一些实施例中，所述干燥掩模板的步骤包括：采用干燥压缩空气进行干燥；真空干燥(vcd)。本技术该步骤中，所述干燥掩模板为低温干燥。掩模板干燥的温度均较小，小于使掩模板发生形变或者掩模板发生形变后不能恢复的温度。可见，本技术可以避免因干燥对掩模板产生形变的现象。
38.进一步地，所述采用干燥压缩空气进行干燥的具体操作为：向所述掩膜板的表面吹干燥压缩空气。进一步地，所述干燥压缩空气的吹出方向与所述掩膜板之间的角度为0～35
°
，例如干燥压缩空气的吹出方向与所述掩膜板之间的角度可以为0、2
°
、5
°
、10
°
、15
°
、20
°
、25
°
、30
°
、33
°
或35
°
。所述干燥压缩空气的流量小于等于3000lpm，例如，干燥压缩空气
的流量可以为500lpm、1000lpm、1500lpm、2000lpm、2500lpm、2800lpm或3000lpm。
39.已知现有技术中的掩膜板表面清除方案包括：n-甲基吡咯烷酮溶解有机物、去离子水置换n-甲基吡咯烷酮、koh水溶液电解去异物、去离子水置换电解液、异丙醇(ipa)置换去离子水、干燥。本技术与现有技术相比较，本技术的方法可以更加有效地去除掩膜板表面的异物，且不易使掩膜板发生形变。
40.本技术先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
41.实施例1
42.本实施例提供一种掩膜板异物清除方法，包括如下步骤：
43.去除掩模板上附着的有机物的步骤：采用n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液溶解掩模板上的有机物；采用去离子水(diw)去除残留的n-甲基吡咯烷酮(nmp)溶液；
44.去除异物的步骤：采用koh醇溶液去除掩模板上残留的无机物；去除残留的koh；
45.干燥掩模板的步骤：采用干燥压缩空气进行干燥；真空干燥。
46.具体地，请参阅图1所示，所述掩膜板异物清除方法包括如下步骤：nmp溶解有机材料(残留在掩膜板上的有机物)
→
diw置换nmp
→
koh乙醇去异物
→
乙醇置换
→
cda干燥
→
vcd。
47.实施例2
48.本实施例提供一种掩膜板异物清除方法，请参阅图1所示，所述掩膜板异物清除方法包括如下步骤：nmp溶解有机材料(残留在掩膜板上的有机物)
→
diw置换nmp
→
koh乙醇去异物
→
乙醇置换
→
cda干燥。
49.对比例1
50.本实施例提供一种掩膜板异物清除方法，请参阅图2所示，包括如下步骤：nmp溶解有机材料
→
diw置换nmp
→
koh电解去异物
→
diw置换电解液
→
ipa置换diw
→
cda干燥。其中的koh采用的是koh水溶液。
51.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
52.以上对本技术实施例所提供的一种掩膜板异物清除方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。