本技术涉及多晶硅清洗,具体涉及一种清洗料篮。
背景技术:
1、多晶硅材料是晶圆片的生产原料,其产品纯度要达到13n以上,产品主要用于电子芯片、功率整流器件及功率晶体管等领域。气相沉积法生产的区熔多晶硅为棒状料,供给下游使用需要先破碎成多晶硅块,因为多晶硅产品纯度要求极高,所以破碎过程会造成很严重的污染。根据目前的破碎工艺,无论是人工破碎还是机械破碎,都不可避免地引入各种杂质,并且还有油脂污染的风险,想要去除后期引入的污染,便需要对硅料进行洁净清洗。
2、目前行业内,硅料清洗一般采用氢氟酸、硝酸等清洗液,通过对硅块表面进行刻蚀,将附着在表面上以及靠近内表面的各种杂质去除,但每次清洗的量需要限制,如果料篮过多的装载会造成硅块叠加的部分不能与酸液充分接触,因此传统的方形料篮只能装载8kg以下的硅料,如果只是加大料篮的载料量,现有的方形料篮由于中间料块接触面积大,最容易造成整个方形料篮中间的料块不能充分与酸液进行接触,从而达不到彻底清洗的效果。因此,现有的清洗料篮有待改进。
技术实现思路
1、本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种清洗料篮。该清洗料篮可以保证硅料的冲洗效果和洁净生产,且料篮载料量大,生产效率高。
2、本实用新型公开了一种清洗料篮。根据本实用新型的实施例,该清洗料篮包括:
3、镂空底板,所述镂空底板底部设有开口朝下的凹槽;
4、镂空侧板,所述镂空侧板沿所述镂空底板的周向设置并且所述镂空侧板与所述镂空底板共同限定出上端敞口的清洗空间。
5、根据本实用新型上述实施例的清洗料篮,包括镂空底板和镂空侧板,镂空侧板沿镂空底板的周向设置并且镂空侧板与镂空底板共同限定出上端敞口的清洗空间,硅料放入清洗空间中,清洗液可以通过镂空底板和镂空侧板实现清洗空间内外的清洗液流动,由于在镂空底板底部设有开口朝下的凹槽,增大了镂空底板与硅料的接触面积,从而使更多的硅料可以接触到清洗液,特别是对于清洗空间中间堆积的硅料,便于堆积的硅料可以与足够的清洗液接触,从而保证了冲洗效果和洁净生产,同时,在保证清洗效果的前提下,该清洗料篮相比于现有的清洗篮具有更大的载料量,从而提高了生产效率,节约了生产成本。由此,该清洗料篮可以保证硅料的冲洗效果和洁净生产,且料篮载料量大,生产效率高。
6、另外,根据本实用新型上述实施例的清洗料篮还可以具有如下技术特征:
7、在本实用新型的一些实施例中,所述凹槽从所述镂空底板的一端延伸至另一端。由此,可以保证硅料的冲洗效果。
8、在本实用新型的一些实施例中,所述凹槽呈倒v型或倒u型。
9、在本实用新型的一些实施例中,所述凹槽纵截面开口的最大长度与所述凹槽纵截面平行的镂空侧板的长度比为2:(2~3)。由此,可以保证硅料的冲洗效果。
10、在本实用新型的一些实施例中,所述凹槽纵截面的高度与所述凹槽纵截面平行的镂空侧板的高度比为1:(2~3)。由此,可以保证硅料的冲洗效果。
11、在本实用新型的一些实施例中,所述镂空侧板上的通孔为竖条状。由此,可以保证硅料的冲洗效果。
12、在本实用新型的一些实施例中,所述镂空底板上的通孔为竖条状。由此,可以保证硅料的冲洗效果。
13、在本实用新型的一些实施例中,所述通孔的宽度为3~5mm,长度为50~80mm。由此,可以保证硅料的冲洗效果。
14、在本实用新型的一些实施例中,相邻两个所述通孔的间距为5~8mm。由此,可以保证硅料的冲洗效果。
15、在本实用新型的一些实施例中,在相对的两个所述镂空侧板上端分别设有挂耳。由此,方便设备对清洗料篮的悬挂、移动。
16、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
1.一种清洗料篮,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的清洗料篮,其特征在于,所述凹槽从所述镂空底板的一端延伸至另一端。
3.根据权利要求1或2所述的清洗料篮,其特征在于,所述凹槽呈倒v型或倒u型。
4.根据权利要求1或2所述的清洗料篮,其特征在于,所述凹槽纵截面开口的最大长度与所述凹槽纵截面平行的镂空侧板的长度比为2:(2~3)。
5.根据权利要求1或2所述的清洗料篮,其特征在于,所述凹槽纵截面的高度与所述凹槽纵截面平行的镂空侧板的高度比为1:(2~3)。
6.根据权利要求1所述的清洗料篮,其特征在于,所述镂空侧板上的通孔为竖条状。
7.根据权利要求1所述的清洗料篮,其特征在于,所述镂空底板上的通孔为竖条状。
8.根据权利要求6或7所述的清洗料篮,其特征在于,所述通孔的宽度为3mm~5mm,长度为50mm~80mm。
9.根据权利要求6或7所述的清洗料篮,其特征在于,相邻两个所述通孔的间距为5mm~8mm。
10.根据权利要求1所述的清洗料篮,其特征在于,在相对的两个所述镂空侧板上端分别设有挂耳。