一种CVD半导体用单晶金刚石表面清洁装置的制作方法

本技术涉及清洁装置，具体为一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置。

背景技术：

1、金刚石俗称“金刚钻”，也就是我们常说的钻石的原身，它是一种由碳元素组成的矿物，是自然界由单质元素组成的粒子物质，是碳同素异形体，金刚石是自然界中最坚硬的物质，因此也就具有了许多重要的工业用途，如精细研磨材料、高硬切割工具、各类钻头、拉丝模，还被作为很多精密仪器的部件。

2、目前的单晶金刚石通过人工合成后，需要进行切削与打磨从而能够用于半导体行业，切削与打磨后的单晶金刚石表面会附着一些灰尘杂质，使用表面附着有灰尘杂质单晶金刚石会造成生产出来的产品出现质量问题。

技术实现思路

1、目前的单晶金刚石通过人工合成后，需要进行切削与打磨从而能够用于半导体行业，切削与打磨后的单晶金刚石表面会附着一些灰尘杂质，使用表面附着有灰尘杂质单晶金刚石会造成生产出来的产品出现质量问题的问题，本申请提供一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，包括箱体，所述箱体内腔的中部固定连接有隔板，所述箱体的内腔通过隔板分割为清洗仓与烘干仓两个空腔，所述箱体的顶部且位于隔板的左侧固定设有进料口，所述箱体的侧壁固定设有第一电机，所述第一电机的输出轴固定连接有转轴，且转轴远离第一电机的一端与隔板转动连接，所述转轴的外壁固定设有数量若干的搅拌杆，所述箱体的侧壁且位于第一电机的下方固定设有第二电机，所述第二电机的输出轴固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆的外壁螺纹连接有刮板，所述清洗仓的内腔固定设有隔网，所述隔网的底部设置有隔水板，且隔水板与箱体的内壁滑动连接，所述清洗仓的内腔贯穿设有排水管，所述隔板的内腔滑动连接有挡板，所述挡板的外端固定连接有第一把手，所述烘干仓的正面铰链连接有门板，所述箱体顶部且位于烘干仓的顶部固定设有暖风机，所述烘干仓的内壁固定连接有第一刷板，所述烘干仓的底部滑动连接有存放盒。

3、可选地，所述箱体的正面且位于清洗仓的一边设置有观察窗。

4、可选地，所述刮板的两侧与清洗仓的内壁贴合。

5、可选地，所述第一电机与第二电机的底部固定安装有与箱体侧壁固定连接的支撑板。

6、可选地，所述隔网的顶部固定设有海绵垫。

7、可选地，所述隔水板的顶部固定设有密封垫。

8、可选地，所述第一刷板的顶部固定设有吸水层，且第一刷板的开口端设置有与烘干仓内壁固定连接的第二刷板。

9、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

10、1、本申请通过转轴、搅拌杆、隔网等结构间的配合设置，将单晶金刚石通过进料口放入到清洗仓的内腔，通过第一电机带动转轴转动使搅拌杆对单晶金刚石进行搅拌，使得单晶金刚石能够清洗的更加充分，清洗后拉得动隔水板使污水通过海绵垫排入到清洗仓内腔的底部，并通过排水管排出，污水排放完毕后抽出挡板，通过第二电机带动螺纹杆旋转，使刮板推动单晶金刚石进入到烘干仓的内腔，通过第一刷板滚落到存放盒内进行收集。

11、2、本申请通过暖风机、第一刷板、存放盒等结构间的配合设置，单晶金刚石进入到烘干仓内后，会通过吸水层进行水份的吸收，并通过暖风机吹热风对单晶金刚石进行风干，使落入到存放盒内的单晶金刚石能够保持较为干燥的状态，避免后续需要再次对单晶金刚石进行烘干处理，提高了效率。

技术特征：

1.一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，包括箱体(1)，其特征在于：所述箱体(1)内腔的中部固定连接有隔板(2)，所述箱体(1)的内腔通过隔板(2)分割为清洗仓(3)与烘干仓(4)两个空腔，所述箱体(1)的顶部且位于隔板(2)的左侧固定设有进料口(5)，所述箱体(1)的侧壁固定设有第一电机(6)，所述第一电机(6)的输出轴固定连接有转轴(7)，且转轴(7)远离第一电机(6)的一端与隔板(2)转动连接，所述转轴(7)的外壁固定设有数量若干的搅拌杆(8)，所述箱体(1)的侧壁且位于第一电机(6)的下方固定设有第二电机(9)，所述第二电机(9)的输出轴固定连接有螺纹杆(10)，所述螺纹杆(10)的外壁螺纹连接有刮板(11)，所述清洗仓(3)的内腔固定设有隔网(12)，所述隔网(12)的底部设置有隔水板(14)，且隔水板(14)与箱体(1)的内壁滑动连接，所述清洗仓(3)的内腔贯穿设有排水管(16)，所述隔板(2)的内腔滑动连接有挡板(18)，所述挡板(18)的外端固定连接有第一把手(19)，所述烘干仓(4)的正面铰链连接有门板(20)，所述箱体(1)顶部且位于烘干仓(4)的顶部固定设有暖风机(17)，所述烘干仓(4)的内壁固定连接有第一刷板(21)，所述烘干仓(4)的底部滑动连接有存放盒(24)。

2.根据权利要求1所述的一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，其特征在于：所述箱体(1)的正面且位于清洗仓(3)的一边设置有观察窗(25)。

3.根据权利要求1所述的一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，其特征在于：所述刮板(11)的两侧与清洗仓(3)的内壁贴合。

4.根据权利要求1所述的一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，其特征在于：所述第一电机(6)与第二电机(9)的底部固定安装有与箱体(1)侧壁固定连接的支撑板。

5.根据权利要求1所述的一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，其特征在于：所述隔网(12)的顶部固定设有海绵垫(13)。

6.根据权利要求1所述的一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，其特征在于：所述隔水板(14)的顶部固定设有密封垫(15)。

7.根据权利要求1所述的一种cvd半导体用单晶金刚石表面清洁装置，其特征在于：所述第一刷板(21)的顶部固定设有吸水层(22)，且第一刷板(21)的开口端设置有与烘干仓(4)内壁固定连接的第二刷板(23)。

技术总结
本技术涉及清洁装置技术领域，具体涉及一种CVD半导体用单晶金刚石表面清洁装置，包括箱体，所述箱体内腔的中部固定连接有隔板，所述箱体的内腔通过隔板分割为清洗仓与烘干仓两个空腔。本申请通过转轴、搅拌杆、隔网等结构间的配合设置，将单晶金刚石通过进料口放入到清洗仓的内腔，通过第一电机带动转轴转动使搅拌杆对单晶金刚石进行搅拌，使得单晶金刚石能够清洗的更加充分，清洗后拉得动隔水板使污水通过海绵垫排入到清洗仓内腔的底部，并通过排水管排出，污水排放完毕后抽出挡板，通过第二电机带动螺纹杆旋转，使刮板推动单晶金刚石进入到烘干仓的内腔，通过第一刷板滚落到存放盒内进行收集。

技术研发人员：冯建伟
受保护的技术使用者：中科粉研（河南）超硬材料有限公司
技术研发日：20230825
技术公布日：2024/3/27