基于检测结果的半导体存储容器清洁方法、清洁单元及清洁系统与流程

本申请涉及半导体晶圆制造，特别是涉及一种基于检测结果的半导体存储容器清洁方法、清洁单元及清洁系统。

背景技术：

1、在半导体晶圆制造过程中，晶圆会被储存在foup(front opening unified pod，前开式晶圆存放盒)，进行不同工艺设备之间的传递。由于晶圆在经过不同工艺之后，会在晶圆表面产生amc(airborne molecular contaminants，气体分子污染物)，受污染的晶圆从foup进出可能会导致交叉污染，即从受污染的晶圆中排出的amc仍留在foup中，从而对同一foup中下一批储存的晶圆产生污染。

2、因此，foup会被定期送入专用的清洁系统进行清洁，来保证foup的洁净度。现有的foup清洁系统主要通过液体冲洗、干燥、真空处理等方式去除foup内部的颗粒、金属、湿度、amc等污染物。

3、一般利用固定的处理流程对foup进行清洁处理，然而每个foup在处理前污染物残留水平均不相同，在保证foup清洁效果的同时容易出现过度清洁的情况。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种基于检测结果的半导体存储容器清洁方法、清洁单元及清洁系统。

2、本申请提供了另一种基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，在上述步骤三还包括以下步骤：s41、将经过清洗的半导体存储容器置于第二清洁腔室内；

3、s42、在时长ts42内对第二清洁腔室抽真空；s43、向第二清洁腔室充入气体以使得第二清洁腔室内恢复常压，气体包括氮气和/或惰性气体；s44、检测第二清洁腔室内污染物水平得出检测结果，检测结果包括amc；s45、根据检测结果进行后续处理。

4、可选的，在上述步骤s44中，amc包括so2、无机氨、voc、有机氨、酸类中的一种或多种。

5、可选的，步骤s44包括通过检测设备检测步骤s42中第二清洁腔室排出的气体，得出检测结果。

6、可选的，步骤s44包括通过检测设备检测步骤s43中第二清洁腔室排出的气体，得出检测结果。

7、可选的，步骤s45还包括，根据工艺参数设定第三预设阈值，第三预设阈值根据第二清洁腔的清洁处理能力、容器类型，以及工艺要求的容器指标情况来综合设定；以及判断检测结果是否低于第三预设阈值，若检测结果低于第三预设阈值，将半导体存储容器移至下料单元；否则，循环步骤s42至s45。

8、可选的，步骤s45还包括，根据工艺参数设定第四预设阈值，第四预设阈值大于第三预设阈值，第四预设阈值根据第二清洁腔的清洁处理能力、容器类型，以及工艺要求的容器指标情况来综合设定。若检测结果高于第四预设阈值，与检测设备相连的控制单元发出警示信号。

9、可选的，步骤s45还包括，根据检测结果调整s42和/或s43中的工艺参数。

10、可选的，还包括在第二清洁腔室清洁容器前，检测第二清洁腔室内污染物残留水平，判断第二清洁腔室的环境中的污染物水平是否满足清洁半导体存储容器的需求。若不满足要求，与检测设备相连的控制单元发出警示信号。

11、可选的，步骤s43包括步骤s431在时长ts431内，向所述第二清洁腔室内以第一平均体积流量充入气体，并使所述第二清洁腔室内的压力值小于等于第三预设压力值，所述气体为洁净的干燥的压缩气体；s432、在时长ts432内，向所述第二清洁腔室内以第二体积流量充入气体，所述气体为洁净的干燥的压缩气体；

12、可选的，在所述步骤s431和所述步骤s432中，所述气体为氮气和/或惰性气体。

13、可选的，在步骤s431中，真空泵处于工作状态，保持对第二清洁腔室抽真空。

14、可选的，步骤s41还包括对检测未清洁容器内污染物残留水平，判断是否在第二清洁腔室内清洁半导体存储容器。

15、本申请还公开一种采用上述清洁方法的清洁单元。

16、本申请还公开了一种清洁系统，包括上述清洁单元。

17、基于容器种类的不同、容器清洗腔内部污染物水平的不同、不同工艺对容器清洁后污染物残留水平的要求不同，容器在经过固定工艺流程后，其内部污染物的残留水平也是不同的，本申请提供的清洁方法通过在容器清洁的过程中检测第二清洁腔室内环境的污染物水平对容器内部的污染物残留水平做出判断，从而调整清洁工艺，在保证清洁效果的同时，避免了过度清洁。

18、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

技术特征：

1.一种基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，步骤s45包括：

3.根据权利要求2所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，步骤s45还包括：

4.根据权利要求1所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，步骤s45还包括：

5.根据权利要求1所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，步骤s41包括：

7.根据权利要求1所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，步骤s44包括：

8.根据权利要求1所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法，其特征在于，步骤s44包括：

9.一种清洁单元，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的基于检测结果的半导体存储容器清洁方法。

10.一种清洁系统，其特征在于，包括权利要求9所述的清洁单元。

技术总结
本申请实施例涉及一种基于检测结果的半导体存储容器清洁方法、清洁单元及清洁系统。其中，清洁方法包括：S41、将经过清洗的半导体存储容器置于第二清洁腔室内；S42、在时长T<subgt;S42</subgt;内对第二清洁腔室抽真空；S43、向第二清洁腔室充入气体以使得第二清洁腔室内恢复常压，气体包括氮气和/或惰性气体；S44、检测第二清洁腔室内污染物水平得出检测结果，检测结果包括AMC；S45、根据检测结果进行后续处理。本申请实施例提供的半导体存储容器清洁方法通过在容器清洁的过程中检测第二清洁腔室内环境的污染物水平对容器内部的污染物残留水平做出判断，从而调整清洁工艺，在保证清洁效果的同时，避免了过度清洁。

技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名
受保护的技术使用者：江苏芯梦半导体设备有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/16