专利名称：利用等离子体处理室中的单频率rf功率处理晶片的系统、设备和方法
背景技术：
1、发明领域本发明涉及半导体器件的制造。更具体地，本发明涉及利用RF功率处理半导体晶片的等离子体处理系统。
2、现有技术的描述半导体处理系统用来处理半导体晶片以用于制造集成电路。具体地，在腐蚀、氧化、化学气相淀积(CVD)等等中通常采用基于等离子体的半导体处理。典型是利用等离子体处理系统来进行基于等离子体的半导体处理，该等离子体处理系统包括在等离子体处理室中用来提供受控设置的平行极板反应器。在这种等离子体处理系统中，平行极板反应器典型地采用两种不同的RF频率来产生用于各向异性腐蚀的足够的等离子体密度和用于各向同性腐蚀的离子轰击能量。
图1说明采用两种不同RF频率来处理半导体晶片102的常规的等离子体处理系统100。等离子体处理系统100包括等离子体处理室104、一对匹配网络106和108、以及一对RF发生器110和112。等离子体处理室104包括静电吸盘114和喷淋头(shower head)120。喷淋头120包括上电极122并适于将源气体释放入室104用于在晶片102上产生等离子体。静电吸盘114包括下电极124并用于在处理的位置固定晶片102。通过进出口128提供气体126例如氯以便控制晶片102的温度。等离子体处理系统100还可以包括将功率提供到吸盘114的静电吸盘电源(未示出)。静电吸盘在本领域中已熟知并被详细地描述，例如，共同拥有的Francois Guyot的标题为“大功率静电吸盘接触”的美国专利No.5789904、Jones等人的标题为“动态反馈静电晶片吸盘”的美国专利申请号No.08/624988、Castro等人的美国专利申请号No.08/550510、Kubly等人的标题为“在晶片处理系统中用于夹持和放松半导体晶片的方法和设备”的美国专利No.5793192。
典型地设置RF发生器110和112以便分别产生用于发送到静电吸盘114上的下电极124的高频RF功率和低频RF功率。来自RF发生器110的高频RF功率主要用于在喷淋头122和晶片102之间的空间中产生等离子体(即等离子体密度)。另一方面，来自RF发生器112的低频RF功率主要控制产生用于晶片102的各向异性腐蚀或定向腐蚀的离子轰击能量。然而，这两种频率并不独立地对等离子体起作用；相反，每一种频率产生等离子体并且同样对离子轰击能量有贡献。
耦合RF匹配网络106和108以便分别将来自RF发生器110和112的RF功率传送到静电吸盘114。通常，分别利用同轴电缆116和118将匹配网络106和108分别耦合到RF发生器110和112。在RF发生器110和112与等离子体处理室104之间分别设置RF匹配网络106和108以便使来自等离子体处理室104的RF功率的反射最小化。RF匹配网络110典型地包括一个或多个可变阻抗元件(例如，电容器，电感器)。可以调整RF匹配网络106和108中的可变阻抗元件以便提供分别与RF发生器110和112的阻抗相匹配的阻抗。本领域公知并描述了RF匹配网络电路，例如，Collins等人的美国专利申请No.5187454和由Arthur M.Howald在1998年12月22日提交的美国专利申请号No.09/218542。
设计利用来自RF发生器110和112的高频和低频RF功率以确保适合的等离子体和离子轰击能量的供应。具体地，当源气体130已经引入到反应室104之后、RF发生器110和112被激励时，来自RF发生器110和112的高频和低频RF功率就容易产生用于处理晶片102的等离子体132和离子轰击能量。来自RF发生器110的典型为4MHz至60MHz之间范围的高频RF功率就非常容易促使从源气体产生等离子体132。另一方面，来自RF发生器112的典型为100KHz至4MHz之间范围的低频RF功率就非常容易通过加大离子轰击能量促使对晶片102的离子轰击。
当提供RF功率时，在靠近电极122和124处就产生通常称作“表层电压(sheath voltages)”的偏压。图2A示出分别在靠近电极122和124表面处产生的等离子体表层(sheath)202和204的简图。在此结构中，越过表层202和204下降的表层电压对应于等离子体的浮置电位并且是不存在RF功率下的等离子体电子温度的大约四至五倍。当提供低频和高频RF功率时，RF电流i从下电极124流到上电极122。表层电压升高到接近RF电位的峰值。结果，表层扩展并且等离子体和电极122和124之间的平均电压降增加。电压降增加又导致朝向电极122和124的离子轰击能量的增加。
然而，不幸的是，利用两种频率方法的等离子体处理系统100的缺点之一是与低频RF功率相关的晶片腐蚀速度的不均匀性。通常，只利用高频RF功率会在晶片的表面上产生基本上均匀的腐蚀速度。然而，在此情况下，腐蚀速度趋于太低并且由于离子轰击能量的不足以致难于控制图案轮廓。利用低频RF功率就增加了离子轰击能量。
然而，在等离子体处理系统中同时采用低频RF功率和高频RF功率会导致晶片表面上的不均匀腐蚀。例如，图2B说明了作为距晶片中心的距离的函数的腐蚀速度曲线200。如图所示，当距晶片中心的距离增加时，晶片的腐蚀速度降低。因此，靠近晶片边缘的腐蚀速度就会与设计规范不符，由此导致较低的芯片产量。
根据上述观点，就需要一种用于处理晶片表面的系统和方法，该系统和方法在等离子体处理系统中不采用单独的低频RF功率发生器以至在不降低晶片的腐蚀速度下增强晶片处理结果的均匀性。
发明概述概括地讲，本发明通过提供一种在等离子体处理室中采用单一频率RF功率来处理晶片的系统、设备和方法来满足这些需要。应当理解，本发明可以按多种方式实施，包括例如工艺、设备、系统、装置、方法或计算机可读介质的不同方式。下面将描述本发明的几个发明实施例。
根据一个实施例，本发明提供一种利用单一频率的RF功率来处理晶片的等离子体处理系统。等离子体处理系统包括调制的RF功率发生器、等离子体处理室和匹配网络。设置调制的RF功率发生器以便产生经调制的RF功率(例如，能量)。设置等离子体处理室以便接收用于处理晶片的经调制的RF功率，处理室的特征在于在等离子体处理期间的内阻抗。等离子体处理室包括用于用静电吸盘将晶片固定在其位置的静电吸盘，该静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极。等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极。经调制的RF功率产生用于处理晶片的等离子体和离子轰击能量。在经调制的RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合匹配网络以便接收来自经调制的RF功率发生器的经调制的RF功率并将其传送到等离子体处理室。进一步配置匹配网络以便使经调制的RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的内阻抗相匹配。
在另一个实施例中，本发明提供一种用于腐蚀晶片的等离子体处理设备。等离子体处理设备包括经调制的RF功率发生器，等离子体处理室和匹配网络。配置经调制的RF功率发生器以便产生经调制的高频RF功率。设置等离子体处理室以便接收用于腐蚀晶片的经调制的高频RF功率。等离子体处理室的特征在于阻抗并且等离子体处理室包括用于将晶片固定在位置的静电吸盘。静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的高频RF功率的第一电极。等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极。响应经调制的高频RF功率，产生等离子体和离子轰击能量用于腐蚀晶片。在经调制的RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合匹配网络以便接收来自经调制的RF功率发生器的经调制的高频RF功率并将其传送到等离子体处理室。进一步配置匹配网络以便使经调制的RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的阻抗相匹配。
在另外一个实施例中，公开了一种在等离子体处理室中利用单频RF功率来处理晶片的方法。该方法包括(a)产生单一的经调制的RF功率；(b)在等离子体处理室中的静电吸盘之上提供晶片，该静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极，且等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极；(c)由等离子体处理室接收经调制的RF功率；以及(d)响应经调制的功率在等离子体处理室中产生等离子体和离子轰击能量用于处理晶片。
优选地，经调制的RF功率是高频RF功率，其包含用于提供高速的各向异性腐蚀速度的平均RF功率、用于提供高离子轰击能量的峰值RF功率和由配置为从离子轰击能量分离腐蚀速度的调制频率。有利地，利用经调制的RF功率提供高腐蚀速度和对腐蚀轮廓的高度控制。因此，本发明的等离子体处理系统400允许同时进行各向同性腐蚀和各向异性腐蚀的晶片优化处理。此外，调制高频RF功率就有效地从离子轰击能量分离离子流，允许更加精确地控制腐蚀轮廓和整体的等离子体密度。此外，利用经调制的高频RF功率能够扩大用于增强等离子体处理的电介质腐蚀的加工窗口。例如，等离子体处理系统允许在0.18μm下并低于0.18μm通过良好的轮廓控制来腐蚀氧化物层。通过阅读下面详细的说明书并研究各种附图、本发明的这些和其它优点将变得明显。
附图的简要描述通过下面的结合附图的详细描述，将易于理解本发明，且相同的参考数字表示相同的结构元件。
图1说明采用两种不同的RF频率来处理半导体晶片的常规等离子体处理系统。
图2A示出在等离子体侧上的电极表面附近产生的表层电压的简图。
图2B说明腐蚀速度与距晶片中心的距离的函数关系的曲线图。
图3示出根据本发明的一个实施例的用于将RF功率发送到等离子体处理室的示例性方法的流程图。
图4说明根据本发明的一个实施例的采用单一经调制的高频RF功率来处理半导体晶片的示例性等离子体处理系统。
图5A说明根据本发明的一个实施例的发送到等离子体处理室的经调制的高频RF功率信号的曲线图。
图5B示出根据本发明的一个实施例的具有50％正弦调制的高频RF功率信号曲线图。
图5C示出根据本发明的另一个实施例的具有20％占空比的经调制的高频RF功率信号曲线图。
图6示出根据本发明的一个实施例的高频RF功率的调制方法的流程图。
优选实施例的详细描述在此描述一个发明，该发明用于采用单频RF功率在等离子体处理室中处理晶片的系统、设备和方法。在下面的描述中，为了完整地理解本发明提出许多具体的细节。然而，显然对本领域的技术人员来讲不需要部分或所有这些具体细节就可以实现本发明。在其它情况下，为了使本发明更加清晰就没有详细地描述公知的工艺步骤。
本发明将经调制的高频RF功率提供到等离子体处理室以便克服传统的双频率系统的限制。通过调制单一的高频的RF幅度，传送到等离子体的平均RF功率控制等离子体密度并由此控制到达晶片的离子流。在另一方面，由调制深度确定的RF峰值功率控制离子轰击能量。在此方式下，可以采用单一调制的RF功率发生器来控制等离子体处理室中的等离子体密度和离子轰击能量，因此提高晶片处理结果的一致性。
图3示出根据本发明的一个实施例的用于将RF功率发送到等离子体处理室的示例性方法的流程图。在操作302中本方法在等离子体处理室中在平行的反应极板(例如，电极)之间提供晶片。在调制高频RF功率过程中，可以调制变量例如RF平均功率、RF峰值功率和RF功率调制频率以便获得最佳的等离子体密度和离子流。然后在操作304中，产生在等离子体处理室中使用的经调制的高频RF功率。优选地，调制高频RF功率以产生所需的等离子体密度和离子轰击能量。然后在操作306中，通过匹配网络将经调制的RF功率提供到等离子体处理室。在该操作中，匹配网络接收RF功率并产生阻抗，使经调制的RF功率发生器的阻抗与操作指令206中的等离子体处理室的阻抗相匹配。响应经调制的RF功率，在操作308中通过产生所需的等离子体密度和离子轰击能量利用调制的高频RF功率来处理晶片。然后该方法在操作310中结束。
图4说明根据本发明的一个实施例的采用单一调制的高频RF功率来处理半导体晶片402的示例性等离子体处理系统400。等离子体处理系统400包括等离子体处理室404、匹配网络406和经调制的高频RF功率发生器408。等离子体处理室404包括静电吸盘414和喷淋头420。喷淋头420包括优选接地的上电极422，并布置为将源气体424释放进入处理室404，用于在晶片402之上产生等离子体426。静电吸盘414包括下电极428并用于将晶片402固定在加工位置。通过进出口432提供气体430例如氦以便控制晶片402的温度。等离子体处理系统400还包括用于将功率提供到静电吸盘414的静电电源(未示出)。
经调制的RF功率发生器408包括高频RF功率发生器410和调制控制器412。设置高频RF功率发生器410以便产生高频RF功率，优选大于13MHz并且更加优选在4MHz和60MHz之间的范围。然而，它还可以产生适合于产生处理晶片的足够等离子体密度的任何其它频率。耦合调制控制器412以便将调制信号提供到高频RF功率发生器410。在一个实施例中，调制控制器412将信号提供到RF功率发生器410，用于调制平均RF功率、峰值RF功率和RF功率的调制频率。响应来自调制控制器412的调制信号，RF功率发生器410产生经调制的高频RF功率，该高频RF功率通过同轴电缆440被馈送到匹配网络。
耦合RF匹配网络406以便将来自经调制的RF功率发生器408的RF功率传送到静电吸盘414中的电极428。在经调制的高频RF功率发生器408和等离子体处理室404之间提供RF匹配网络406以使来自等离子体处理室404的RF功率的反射最小。现有技术公知RF匹配网络406并且其典型地包括多个可变阻抗元件，例如电容器、电感器等。可以调谐在RF匹配网络406中的这些变量阻抗元件以使经调制的RF功率发生器408的阻抗与等离子体处理室404的阻抗相匹配。优选地，配置RF匹配网络406以便提供增加的带宽以调节来自经调制的RF功率发生器408的经调制的高频RF功率。
匹配网络406将经调制的高频RF功率传输到等离子体处理室404并且电流i通过等离子体426从下电极402流到上电极422。作为响应，电极428将等离子体离子吸引朝向晶片402用于等离子体处理，该等离子体处理包括腐蚀、氧化、化学气相淀积(CVD)等。时间t对应于离子从等离子体区域的中心移动到电极422或428之一的离子传输时间。应当理解，在此详细地描述等离子体处理系统400以便易于理解本发明的优点。然而，本发明本身并不限制于晶片处理设备或系统的任何具体类型，并且本发明适合用于任何适合的晶片处理系统，包括但不限于适合于淀积、氧化、腐蚀(包括干法腐蚀、等离子体腐蚀、反应离子刻蚀(RIE)、磁性增强反应离子刻蚀(MERIE)、电子回旋加速器谐振(ECR))等的系统。
在此结构中，调制控制器412设置要被传送到等离子体处理室404的高频RF功率的所需调制参数。例如，调制控制器412可以设置将发送的RF功率的平均RF功率、峰值RF功率和RF功率调制频率。发送到等离子体426的经调制的高频RF功率的平均功率确定了到达等离子体处理室404中的晶片402的等离子体密度并由此确定离子流。在另一方面，由经调制的高频RF功率的调制深度确定的RF峰值功率控制偏压(即表层电压)。选择区别于传统频率调制的RF功率调制频率以致在调制峰值和优选大于100KHz之间等离子体密度几乎恒定。如果电子的温度也将是恒定，那么调制频率优选提高到大于1MHz。
来自经调制的RF功率发生器408的经调制的高频RF功率同时保证了等离子体处理室404中的适合的等离子体密度和离子轰击能量。具体地，当在源气体130已经引入到等离子体处理室404之后激励经调制的RF功率发生器408时，经调制的高频RF功率的平均RF功率就容易从源气体424产生高的等离子体密度。高的等离子体密度的产生又会允许各向异性腐蚀晶片402的高腐蚀速度。
在另一方面，经调制的高频RF功率的峰值RF功率提高了电极428上的偏压或表层电压以对晶片402提供最佳的离子轰击能量。因此，经调制的高频RF功率的峰值RF功率就易于在晶片402上各向同性腐蚀或定向腐蚀。利用峰值RF功率能够高度控制腐蚀轮廓。因此，本发明的等离子体处理系统400能够用于各向同性腐蚀和各向异性腐蚀晶片402的最佳处理。
此外，高频RF功率的调制有效地从离子轰击能量分离离子流，允许更加精确地控制腐蚀轮廓和整体的等离子体密度。此外，利用经调制的高频RF功率能够扩大用于增强等离子体工艺的电介质腐蚀的处理窗口。具体地，等离子体处理系统400允许在0.18μm和低于0.18μm以良好的轮廓控制腐蚀氧化物层。
图5A说明根据本发明的一个实施例的发送到等离子体处理室404的经调制的高频RF功率信号502的曲线图500。在该曲线图500中，高频RF功率信号502是100％调制的正弦波。因此，信号502的调制深度504为100％，该调制深度504定义为信号502的峰值和波谷之间的距离。在另一方面，调制频率定义为1/(T2-T1)或1/T。在另一个实施例中，图5B示出具有50％正弦调制的高频RF功率信号532的曲线图530。类似地，图5C示出根据本发明的另一个实施例的具有20％占空比的经调制的高频RF功率信号552的曲线图550。除了这些经调制的RF功率信号的实例之外，本领域技术人员知道，本发明可以采用能够提供足够的等离子体密度和离子轰击能量的任何高频调制。
图6示出根据本发明的一个实施例的高频RF功率的调制方法的流程图。该方法在操作602中开始，这里确定并设置将要传送的平均RF功率以便获得规定的各向异性腐蚀速度。在该操作中的平均RF功率定义为要传送到等离子体的RF功率的绝对幅度。一旦由此设置平均RF功率，那么等离子体密度就将在整个等离子体处理过程中保持恒定。
为了增加表层电压并由此提高离子轰击能量，确定并设置将要传送的峰值RF功率(例如，幅度)以便在操作604中获得规定的各向异性腐蚀轮廓。在一个实施例中，可以依据图5A中描述的调制深度来定义峰值RF功率。为了从离子轰击能量分离离子流，可以在操作606中确定并设置如图5A中所示的RF功率调制频率。这种调制频率就能够允许离子流和离子轰击能量被单独控制。优选地，调制频率足够高以致从等离子体区域的中心到达电极的离子传输时间大于调制频率。这就保证了等离子体密度基本上保持恒定。应当注意，在调制控制器412中可以人为地或者自动地设置平均RF功率、峰值RF功率和调制频率。然后该方法在操作608中结束。
虽然已经根据几个优选的实施例描述了本发明，但存在落入本发明范围的替换、变化和相同的发明。还应当注意，存在实施本发明的方法和设备的许多替换方式。因此，期望下面所附的权利要求将解释为包含落入本发明的实质精神和范围的所有这些替换、变化和相同的发明。
权利要求
1.利用单一频率的RF功率来处理晶片的等离子体处理系统，包括配置成产生经调制的RF功率的经调制RF功率发生器；等离子体处理室，设置成接收用于处理晶片的经调制的RF功率，等离子体处理室的特征在于在等离子体处理期间的内阻抗，等离子体处理室包括用于将晶片固定在其位置的静电吸盘，静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极，并且等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极，其中响应经调制的RF功率产生用于处理晶片的等离子体和离子轰击能量；以及在经调制的RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合的匹配网络，以从经调制的RF功率发生器接收经调制的RF功率并将其传输到等离子体处理室，进一步配置匹配网络以便使经调制的RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的内阻抗相匹配。
2.引用权利要求1的系统，其中经调制的RF功率是适合于产生各向异性腐蚀晶片的规定的腐蚀速度的经调制的高频RF功率。
3.引用权利要求2的系统，其中经调制的高频RF功率包括平均RF功率和峰值RF功率。
4.引用权利要求3的系统，其中响应经调制的高频RF功率的平均RF功率，等离子体处理室维持恒定的等离子体密度。
5.引用权利要求3的系统，其中峰值RF功率适合于增加等离子体处理室中的离子轰击能量用于各向同性处理晶片。
6.引用权利要求2的系统，其中经调制的高频RF功率包括适合于从离子轰击能量分离腐蚀速度的调制频率。
7.引用权利要求6的系统，其中经调制的高频RF功率的调制频率大于离子从等离子体的中心区域移动到电极之一的时间。
8.引用权利要求6的系统，其中经调制的RF功率的频率大于4MHz。
9.引用权利要求1的系统，其中经调制的RF功率发生器包括用于提供调制信号的调制控制器；和耦合以便接收调制信号并设置以便产生经调制的RF功率的RF发生器。
10.用于腐蚀晶片的等离子体处理设备，包括配置成产生经调制的高频RF功率的经调制RF功率的发生器；等离子体处理室，设置成接收用于腐蚀晶片的经调制的高频RF功率，等离子体处理室的特征在于阻抗，等离子体处理室包括用于将晶片固定在其位置的静电吸盘，静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的高频RF功率的第一电极，并且等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极，其中响应经调制的高频RF功率，产生用于腐蚀晶片的等离子体和离子轰击能量；以及在经调制的RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合的匹配网络，以从经调制的RF功率发生器接收经调制的高频RF功率并将其传输到等离子体处理室，进一步配置匹配网络以便使经调制的RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的阻抗相匹配。
11.引用权利要求10的设备，其中经调制的RF功率发生器产生适合于产生各向异性腐蚀晶片的规定的腐蚀速度的经调制的高频RF功率。
12.引用权利要求11的设备，其中来自经调制的RF功率发生器的经调制的高频RF功率包括平均RF功率和峰值RF功率。
13.引用权利要求12的设备，其中响应经调制的高频RF功率的平均RF功率，等离子体处理室维持恒定的等离子体密度。
14.引用权利要求13的设备，其中峰值RF功率适合于增加等离子体处理室中的离子轰击能量用于各向同性处理晶片。
15.引用权利要求14的设备，其中经调制的RF功率发生器产生经调制的高频RF功率，该经调制的高频RF功率包括适合于从离子轰击能量分离腐蚀速度的调制频率。
16.引用权利要求15的设备，其中经调制的高频RF功率的调制频率大于离子从等离子体的中心区域移动到电极之一的时间。
17.引用权利要求10的设备，其中经调制的RF功率的频率大于4MHz。
18.引用权利要求17的设备，其中经调制的RF功率发生器包括用于提供调制信号的调制控制器；和耦合以便接收调制信号并设置以便产生经调制的RF功率的RF发生器。
19.在等离子体处理室中利用单一频率的RF功率来处理晶片的方法，包括产生单一的经调制的RF功率；在等离子体处理室中的静电吸盘之上提供晶片，静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极，并且等离子体处理室还包括设置在晶片之上的第二电极；由等离子体处理室接收经调制的RF功率；以及响应经调制的RF功率，在等离子体处理室中产生用于处理晶片的等离子体和离子轰击能量。
20.引用权利要求19的方法，其中经调制的RF功率是一种适合于产生各向异性腐蚀晶片的规定的腐蚀速度的经调制的高频RF功率。
21.引用权利要求20的方法，其中经调制的高频RF功率包括平均RF功率和峰值RF功率。
22.引用权利要求21的方法，其中响应经调制的高频RF功率的平均RF功率，等离子体处理室维持恒定等离子体密度。
23.引用权利要求22的方法，其中峰值RF功率适合于提高等离子体处理室中的离子轰击能量用于各向同性腐蚀晶片。
24.引用权利要求23的方法，其中经调制的高频RF功率包括适合于从离子轰击能量分离腐蚀速度的调制频率。
25.引用权利要求24的方法，其中经调制的高频RF功率的调制频率大于离子从等离子体的中心区域移动到电极之一的时间。
26.引用权利要求26的方法，其中经调制的RF功率的频率大于4MHz。
全文摘要
本发明提供一种利用单一频率的RF功率在等离子体处理室中处理晶片的系统、设备和方法。等离子体处理系统包括调制RF功率发生器、等离子体处理室和匹配网络。设置调制RF功率发生器以便产生经调制的RF功率。设置等离子体处理室以便接收处理晶片的经调制的RF功率，等离子体处理室的特征在于在等离子体处理期间的内阻抗。等离子体处理室包括在具有静电吸盘的位置处支撑晶片的静电吸盘，静电吸盘包括在晶片之下设置的用于接收经调制的RF功率的第一电极。等离子体处理室还包括在晶片之上设置的第二电极。经调制的RF功率产生处理晶片的等离子体和离子轰击能量。在调制RF功率发生器和等离子体处理室之间耦合匹配网络以便接收经调制的RF功率并将其从调制RF功率发生器传输到等离子体处理室。匹配网络还构成以至使调制RF功率发生器的阻抗与等离子体处理室的内阻抗相匹配。
文档编号B01J19/08GK1468440SQ01816862
公开日2004年1月14日 申请日期2001年10月5日 优先权日2000年10月6日
发明者A·库蒂, A·费舍尔, A 库蒂, 岫 申请人:兰姆研究有限公司