专利名称：非蒸发型吸气剂及其制造方法、以及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及能吸附残留在真空中的气体、维持真空的吸气剂，尤其涉及即使吸气剂在其性能容易恶化的空气中也能长时间地维持性能的非蒸发型吸气剂、以及具备这样的非蒸发型吸气剂的显示装置。
背景技术：
通常，将能用物理方法和化学方法吸附在真空中存在的残留气体的物质叫做吸气剂，对于作为吸气剂使用的材料，为了尽可能长时期保持配置系列的真空，希望在真空中的残留气体的吸附速度高、而且能够长期保持这种高吸附速度的材料。
作为这样的吸气剂材料，以往人们知道Ba、Li、AI、Zr、Ti、Hf、Nb、Ta、Th、Mo以及V等金属单质或这些金属的合金，但在真空中对这些金属单质或金属合金进行加热、蒸发、露出洁净的金属表面后用化学方法吸附真空中的残留气体成分，将这样的吸气剂叫做蒸发型吸气剂，另一方面，通过在真空中加热、预先使在表面存在的氧化薄膜向内部扩散、每当加热时在最外层露出金属面、并吸附真空中的残留气体，将这样的吸气剂叫做非蒸发型吸气剂。
非蒸发型吸气剂主要由以Zr、Ti为主要成分的金属单质、或由包含这些金属的合金形成，通常，在不锈钢、镍铬铁合金等基片上使这些金属或合金成膜，用通电加热的设备连同基片一起加热，并在发现吸气剂能力后使用。
但是，当用一般所熟悉的真空蒸镀等设备在不锈钢、镍铬铁合金等基片上形成Zr、Ti等单质金属的薄膜的场合，在与大气曝露的同时在成膜表面形成非常稳定的氧化物，为要形成活性表面，在真空中必须加热到800～900℃的高温(Japan.J.Appl.Phys.Suppl.2，pt.1，49，1974)。并且，通常，由于在200℃以上，施行活性化处理后的这些单质金属薄膜和真空中的残留气体才起反应，因此，在室温附近几乎没有发挥吸气剂性能。
因此，直到现在即使在低温也实行了与真空中的残留气体发生反应、具有充分的吸气剂性能的吸气剂的各种改良。
但是，也存在这样的缺点，即，若首先从成本这一点考虑，在其制造过程中不希望费时费工夫，另外，所谓在接近室温的低温下发现充分的吸气剂性能，就是说吸气剂容易发生反应，即吸气剂的恶化快，根据使用环境不同不必长时间地维持所希望的特性。
发明内容
本发明的目的在于提供这样的非蒸发型吸气剂，即，该吸气剂能持续残留气体的吸附能力，而且，尤其经历显示装置的制造工艺过程中的高温低真空状态，也能确保充分的特性。
另外，本发明的目的在于使用干式而且简便地提供具有所述性能的非蒸发型吸气剂。
另外，本发明的目的在于提供内装具有所述性能的非蒸发型吸气剂、显示性能优良的显示装置。
本发明是这样的非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备没有作为吸气剂的功能的基体材料、以及被配置在该基体材料表面、以Ti为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。
另外，本发明是这样的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，在其表面具有凹凸同时不具有作为吸气剂的功能，在这样的基体材料的该凹凸面上形成Ti为主要成分的多晶膜。
另外，本发明是在封装外壳内部具备电子源和与它对向配置的荧光体的显示装置，其特征在于，在所述封装外壳内具备上述的非蒸发型吸气剂。
图1A、图1B是表示涉及本发明的图象显示装置的一个形态的图。
图2是表示涉及本发明的图象显示装置的其它形态的图。
图3是进一步表示涉及本发明的图象显示装置的其它形态的图。
图4A、4B是表示在涉及本发明的图象显示装置中使用的荧光膜的图。
图5是表示在制造涉及本发明的图象显示装置中使用的真空处理装置的概要的模式图。
图6A、6B、6C、6D、6E、6F是用于说明涉及本发明的图象显示装置的电子源基片的制造方法的图。
图7是用于说明用来制造涉及本发明的图象显示装置的制造评价装置的模式图。
具体实施例方式
首先，第1本发明是这样的非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备不具有作为吸气剂的功能的基体材料、以及被配置在该基体材料表面、以Ti为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。
另外，上述第1本发明作为理想的形态应包含如下内容所述基体材料在配置所述多晶膜的表面具有凹凸部分，所述凹凸的凸部分平均具有0.2μm～20μm范围内的高度，所述凹凸的凸部分的平均间距在0.5μm～20μm的范围内，所述多晶膜的晶粒的大小在100～2000的范围内，所述多晶膜由Ti组成。
另外，第2本发明是这样的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征为，在基体材料的表面具有凹凸部分，同时，在不具有作为吸气剂的功能的基体材料的凹凸面上形成以Ti作为主要成分的多晶膜。
另外，上述第2本发明作为理想的形态应包含如下内容所述凹凸用喷砂法形成，所述凹凸用印刷法形成，所述凹凸部分是平均具有0.2μm～20μm范围内的高度的凹凸，所述凹凸的凸部分的平均间距在0.5μm～20μm的范围内，所述基体材料是以镍铬铁合金作为主要成分的基体材料，所述基体材料是以银组为主要成分的基体材料，所述以Ti主要成分的薄膜的形成用溅射法进行。
另外，第3本发明是在封装外壳内具备电子源和与它对向配置的荧光体的显示装置，其特征在于，在所述封装外壳内具备上述的非蒸发型吸气剂。
此处，一种非蒸发型吸气剂，其特征在于，在本发明中它具备不具有作为吸气剂的功能的基体材料、以及配置在该基体材料表面、以Ti作为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜，这样的非蒸发型吸气剂通过在其表面具有凹凸的、不具有镍铬铁合金、银等吸气剂功能的基体材料的该凹凸面上形成由Ti组成的多晶膜而被制造。
另外，将本发明的非蒸发型吸气剂的所述多晶膜的晶粒的大小控制在100～2000的范围内的技巧是将所述基体材料的至少纵向方向的基体材料表面的凹凸的凸部分的高度假定平均在0.2μm～20μm的范围内，即，最好是再将基体材料的至少纵向方向的所述凹凸的凸部分的平均间距假定在0.5μm～20μm的范围内。
另外，这样的基体材料表面的凹凸的控制最好是使用喷砂法和印刷法进行，在这样的基体材料上的以Ti作为主要成分的薄膜的形成最好使用溅射法。
上述的本发明的非蒸发型吸气剂从以Ti作为主要成分这一点和是在其内部具有多个空隙的多晶膜这一点来看，与以以往的Ti作为主要成分薄膜的非蒸发型吸气剂比较，是经过更长时间使残留气体的吸附能力能持续的吸气剂。另外，由于通过在不具有作为吸气剂的功能的基体材料的表面，就是说不是具有特别功能的基体材料、而是在通常的基体材料表面设置凹凸、并在这样的凹凸面上成膜，如上所述，能形成在其内部具有多个空隙的多晶膜，因此，在电子源或图象显示装置的制造过程中能以极低的成本进行制造。
以下，关于本发明的非蒸发型吸气剂，以内装该吸气剂的显示装置为例，说明其实施形态。
在本发明中合适的形态的第1例应假定这样构成，即，在图象显示装置的图象显示区的外侧设置配置在镍铬铁合金板等基体材料上的非蒸发型吸气剂的Ti薄膜。
此处，Ti薄膜是在其内部具有多个空隙的Ti的多晶膜，其多晶膜的晶粒的大小假定在100～2000的范围内。
另外，在本实施形态中的这样的多晶膜在其表面是在平均为0.2μm～20μm的范围内的凹凸，并配置在具有其凸部的平均间距在0.5μm～20μm的范围内的凹凸的镍铬铁合金板上。
即，本发明的实施形态的Ti薄膜是通过喷砂法或印刷法等在其表面形成平均为0.2μm～20μm的范围内的凹凸，并预先在镍铬铁合金板表面形成其凸部的平均间距为0.5μm～20μm的范围内的凹凸后在这样的镍铬铁合金板的凹凸表面上用溅射法堆积Ti而形成。
图1A是配置了非蒸发型吸气剂的平面形状图象显示装置的模式图。在图1A中，电子源基片1具备多个电子放出元件13，形成支撑框3、以及与面板一起形成封装外壳5。此外，关于电子源基片1的构成在后面叙述。在面板4中，在玻璃基体6上形成荧光膜7和金属背8。在封装外壳5的外侧，变成使行选择用的端子11和信号输入端子12的构造，通过经由这些端子施加信号，使电子放出元件13的驱动成为可能，使放出的电子在高压端子Hv加速后冲击荧光膜、显示图象。面板4的、在存在荧光膜7和金属背8的范围中的电子冲击部分是所谓图象显示区。非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10如图1B所示那样、在镍铬铁合金基片2上被形成，每个这样的镍铬铁基片使用吸气剂支撑构件9被固定在支撑框3上。此外，在图1A中，非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10只在图象显示区外侧的一边被描绘，但也可以是图象显示区外侧的任何一边，另外，也可以设置在四边中任意的多边上。
另外，对于本发明所希望的第2形态，应在图象显示区内的构件上直接制作上述的Ti薄膜，但关于该形态将使用图2详述。
在图2中，附加与图1A、图1B相同的符号意味着同一构件。在图2中，在以图象显示区内的银作为主要成分的X方向布线Do×1～Do×m上形成Ti薄膜10后在这样的图象显示区内构成非蒸发型吸气剂。这时，与所述的镍铬铁合金基片相同，形成Ti薄膜的基体材料的X方向布线Do×1～Do×m在其表面是平均在0.2μm～20μm范围内的凹凸，其凸部的平均间距具有0.5μm～20μm范围内的凹凸。这样的凹凸在本形态中，在形成Ti薄膜10时也预先在X方向布线Do×1～Do×m表面被形成。在形成时，在X方向布线Do×1～Do×m的形成后用喷砂法处理其表面，或者在X方向布线Do×1～Do×m的形成时控制包含银的印刷浆的组成或烧成条件等。
另外，作为导电性物质的非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10若附着在所希望的场所(此处为布线部分以外)，那么由于短路的原因，在制作时必需注意。例如，在布线状况中准备具有开口的金属掩膜，在进行充分的位置配合后用溅射法等制作Ti薄膜10。
在本发明中所希望的第3形态是在图象显示装置的图象显示区内外配置非蒸发型吸气剂的Ti薄膜。图3中所例示的形态是在图象显示区的外侧的一边以及在图象显示区内的X方向布线Do×1～Do×m上配置了非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10的形态。在图3中，只在图象显示区外侧的一边描绘，但也可以是在图象显示区外侧的四边中任何一边，另外，也可以设置在四边中任意的多边上。另外，设置在图象显示区内的非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10，如所述那样，在制作时要充分注意以便不发生短路等。
接着，以图3所示的图象显示装置为代表例子，以下说明它的制造方法。
首先，制作图3所示的封装外壳5。
关于构成封装外壳5的电子源基片1的电子放出元件的排列，可以采用各种排列。在图3的电子源基片中作为电子放出元件的排列例示了单纯的矩阵配置。所谓单纯的矩阵配置就是在X方向和Y方向上使多个电子放出元件配置成行列形状，配置在相同一行的多个电子放出元件的电极的一方共同与X方向的布线连接，而配置在相同一列的多个电子放出元件的电极的另一方共同与Y方向的布线连接。
在图3的电子源基片1中，m根的X方向布线由Do×1～Do×m组成，并能够用使用真空蒸镀法、印刷法、溅射法等形成的导电性金属等构成。布线的材料、膜厚、宽度要设计适当。Y方向布线由Doy1～Doyn的n根布线组成，与X方向一样地被形成。在这些m根的X方向布线和n根的Y方向布线之间设置了未图示的层间绝缘层，并在电路上使两者分离(m、n都是正整数)。
未图示的层间绝缘层由使用真空蒸镀法、印刷法、溅射法等形成的SiO2等构成。例如，使形成X方向布线的电子源基片1全部或部分地形成所希望的形状，尤其是适当地设定膜厚、材料、制造方法以便能经得住X方向布线和Y方向布线的交叉部分的电位差。X方向布线和Y方向布线分别作为外部端子11、12被引出。
电子放出元件13是表面传导型电子放出元件，并具备在基片面上以一定的间隔并列设置的一对元件电极和设置在一对元件电极之间的包含电子放出部分的导电性膜。此处，一对元件电极(未图示)在电路上通过由导电性金属等组成的结线与m根X方向布线和n根Y方向布线连接。在以上的构成中，能够使用单纯的矩阵布线选择并能单独地驱动一个个的元件。
在X方向布线和Y方向布线上，配置第1非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10。在通过溅射法等使Ti成膜时，使用具有布线状况的开口的金属掩膜、充分关照不使在所希望的地方以外附着吸气剂。
接着，在图象显示区的外侧，设置作为第2非蒸发型吸气剂的、配置在镍铬铁合金基体材料上的Ti薄膜10。制作第2非蒸发型吸气剂的Ti薄膜的镍铬铁合金基剂按照基剂的大小剪裁、通过点焊接法等使吸气剂支撑构件9的一端和配置了镍铬铁基体材料固定、用玻璃料等将另一端固定在支撑框3上。
下面，说明关于在图3中所示的封装外壳5的面板4。
图4A、4B是在图3的图象显示装置中所使用的荧光膜的模式图。荧光膜7在单色的场合，能够只由荧光体构成。在彩色的荧光膜的场合，通过荧光体的排列可以由叫做黑色条纹或黑底等的黑色导电材料14和荧光体15构成。设置黑色条纹、黑底的目的在于，在彩色显示的场合、通过将必要的三原色荧光体的各荧光体15之间的涂抹分开部分变成黑色而不使混色等显眼，并控制荧光膜7中的外光反射的反差下降。作为黑色条纹的材料除了以通常使用的石墨作为主要材料之外，还能够使用有导电性、光的透过和反射小的材料。此外，在面板4中，由于能使荧光膜7的导电性再提高，因此在荧光膜7的外面一侧也可以设置透明电极(未图示)。
将这样制作的电子源基片1和面板4经由支撑框3用玻璃料等封装起来、制作封装外壳5。在进行封装时，在彩色的场合，必需使各色荧光体和电子放出元件对应，并且充分的位置配合不可缺少。此外，在面板4、电子源基片1之间，通过设置叫做隔片的未图示的支承体，也能够构成对大气压具有充分强度的封装外壳5。
接着，使用在图5中模式地表示的装置对封装外壳5施行必要的处理。
图象显示装置20经由排气管21与真空室22连接，而且经由闸门阀23与排气装置24连接。在真空室22中，为了测定内部压力和大气中的各成分的分压，安装了压力计25、四极质量分析器26等。由于很难直接测定图象显示装置20的封装外壳5内部的压力等，因此要测定该真空室22中的压力、并控制处理条件。在真空室22中，由于将必要的气体再输入真空室22内、并控制大气，因此连接气体输入管道27。输入物质源29与该气体输入管道的另一端连接，输入物质进入小玻璃瓶和高压储气瓶后被贮藏。在气体输入管道的途中，设置用于控制引进输入物质流量的输入控制设备28。作为高输入量控制设备，具体地说，根据输入物质的种类可以分别使用能控制慢速漏泄阀等放掉的流量的阀门和质量流控制器等。
由图5的装置使封装外壳5的内部排气，例如，通过进行施加通电，实施发泡后形成电子放出部分。通过在多个X方向布线中顺次施加(上卷)错开相位的脉冲，也能够集中与多个X方向布线连接的元件进行发泡。
发泡结束后，进行活性化工序。在封装外壳5内，在充分排气后，有机物质从气体输入管道27被输入。在包含有机物质的大气中，通过将电压施加给各电子放出元件，碳或炭化物、乃至两者的混合物堆积在电子放出部分后电子放出量急剧上升。这时的电压的施加方法也可以将同时的电压脉冲施加给用与上述发泡的场合相同的结线与一个方向的布线连接的元件。
在活性化工序结束后，最好与个别元件的场合一样进行稳定化工序。在加热封装外壳5、并保持在250～350℃的同时，经过根据不使用离子泵、吸附泵等的油的排气装置24的排气管21进行排气、变为有机物质充分少的大气。这时，就会使配置在图象显示装置20中的非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10也被加热后进行活性化、并发现(产生)排气能力。之后，使用喷枪将排气管加热、熔化后密封。
实施例以下举出具体的实施例详细说明本发明，但本发明并不受这些实施例的限制，也包含实行对在达到本发明的目的的范围内的各要素的置换和设计变更。
(实施例1)本实施例的图象显示装置具有与在图2中模式地表示的装置相同的构成，在用印刷法形成的X方向布线(上布线)上配置了非蒸发型吸气剂的Ti薄膜。另外，本实施例的图象显示装置具备这样的电子源，即，作为电子放出元件，使多个(100行×300行)表面传导型电子放出元件用单纯矩阵在基片上布线。首先，以下使用图6A、6B、6C、6D、6E、6F说明关于电子基片的制法。
工序-a使用清洗剂、纯水和有机溶剂充分洗净玻璃基片51。在其上使用溅射法形成厚度0.5μm的硅氧化膜作为电子源基片。
之后，在电子源基片上，用感光性树脂(RD-200N-41日立化成公司制造)形成应成为元件电极55、56和元件电极间间隙G的图案，用真空蒸镀法顺次堆积厚度为5nm的Ti、厚度为100nm的Ni。用有机溶剂溶解感光性树脂图案分离Ni/Ti堆积膜，假定元件电极间隔G为3μm，元件电极宽度为300μm，并形成元件电极55、56(图6A)。
工序-b之后，用丝网印刷法形成银布线以便与元件电极的单侧55接触，在400℃烧成后形成所希望的形状的下布线52(图6B)。
工序-c
之后，用丝网印刷法在上下布线的交叉部分印刷所希望的层间绝缘层58，并在400℃烧成后形成(图6C)。
工序-d用丝网印刷法印刷银布线以便与不与下布线一侧接触的元件电极56接触，在400℃烧成后形成上布线53(图6D)。
工序-e用真空蒸镀法堆积膜厚为100nm的Cr膜、并制作布线图案，在其上用旋转器旋转涂敷Pd胺络合物的溶液(ccp4230奥野制药(股份)公司制造)，在300℃进行10分钟的加热烧成处理。另外，由这样形成的、作为主要元素Pd组成的微粒、由该微粒构成的电子放出部分形成用的导电性膜54的厚度为8.5μm，薄片电阻值为3.9×104Ω/□。此外，这里所叙述的微粒膜是多个微粒集合的膜，作为该微细构造，形成微粒不仅是个别分散配置的状态、而且微粒是相互邻接或重叠的状态(也包含岛状)的膜，所谓粒子直径叫做关于在所述状态下粒子形状能够识别的微粒的直径。用酸腐蚀剂腐蚀Cr膜和烧成后的电子放出部分形成用的导电性膜54后形成所希望的图案(图6E)。
假定通过以上工序在电子源基片上使多个(100行×300行)电子放出部分形成用的导电性膜54与由下布线52和上布线53组成的单纯矩阵连接。
工序-f准备厚度为50μm、宽度2mm、长度100mm的镍铬铁合金基体材料，通过喷砂处理对该镍铬铁合金基体材料进行处理以便使其变成所希望的表面凹凸，接着，通过溅射法使Ti成膜为约2.5μm的厚度。这样，在镍铬铁合金基体材料的凹凸表面制作形成薄膜的非蒸发型吸气剂57，如在前面图1中所说明的那样，将该非蒸发型吸气剂57配置在X方向布线上，并使用固定吸气剂用的夹具安装在支撑框3上。
通过以上工序形成具备非蒸发型吸气剂的电子源基片。
工序-i下面，象以下那样制作图2所示的面板4。使用清洗剂、纯水和有机溶剂充分洗净玻璃基体6。在其上用印刷法涂敷荧光膜7，进行表面平滑处理(通常叫做摄制成膜)后，形成荧光体部分。此外，将荧光膜7假定为使条纹形状的荧光体(R，G，B)14和黑色导电材料(黑色条纹)15交互地排列的、图4A所示的荧光膜。而且，在荧光膜7上，用溅射法使由AI薄膜组成的金属背8形成为0.1μm的厚度。
工序-j接着，象以下那样制作图2所示的封装外壳5。
在将由所述的工序制作的电子源基片1固定在加强板(未图示)上之后，将安装了非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10的支撑框3、以及上述面板4组合起来，并将电子源基片1的下布线和上布线分别与行选择用的端子和信号输入端子连接，严密调整电子源基片1和面板4的位置，密封后形成封装外壳5。密封的方法是在接合部分涂敷玻璃料，在Ar气体中进行450℃、30分钟的热处理后进行接合。此外，电子源基片1和加强板的固定也用同样的处理进行。
接着，使用图5所示的真空装置进行下面的工序。
工序-k该工序进行以下处理(叫做发泡)，该处理用来对封装外壳5的内部排气，并使压力在1×10-3Pa以下，在排列在电子源基片1上的所述多个电子放出部分形成用的导电性膜54上形成电子放出部分。
如图7所示那样，共同连接X方向布线2后接地。71是控制装置，它控制脉冲发生器72和行选择装置74。73是电流计。通过行选择装置74从Y方向布线3选择1行，并将脉冲电压施加在它的上面。发泡处理对于Y方向的元件行在每1行(300个元件)上进行。所施加的脉冲波形用三角波脉冲，使波峰值缓缓上升。假定脉冲幅度T1＝1毫秒，脉冲间隔T2＝10毫秒。另外，在三角波脉冲之间，插入波峰值为0.1伏的矩形波脉冲，通过测量电流测定各行的电阻值。在电阻值超过3.3kΩ(每个元件为1MΩ)时，将结束该行的发泡，转移到下一行的处理。所有的行都进行该处理，结束所有的所述导电性膜(电子放出部分形成用的导电性膜54)的发泡，在各导电性膜上形成电子放出部分，多个表面传导型电子放出元件生成布线在单纯矩阵中的电子源基片1。
工序-l在图5的真空容器22内引进预先送进物质源29中的氰化苯，将压力调整到1.3×10-3Pa，在测定元件电流If的同时、在上述电子源中施加脉冲，进行各电子放出元件的活性化处理。由脉冲发生器生成的脉冲波形是矩形波，波峰值为14V、脉冲宽度T1＝100μsec，脉冲间隔为167μsec。由行选择装置74每167μsec从D1×1到D×100顺次更换选择行，结果，T1＝100μsec、T2＝16.7msec的矩形波每行使相位少许移位后被施加在各元件行中。
电流计73以检测矩形波脉冲在接通状态(电压为14V时)的电流平均值的方式使用，当该值达到600mA(每个元件2mA)时，结束活性化处理，使封装外壳5内排气。
工序-m一边继续排气，一边使整个图象显示装置20和真空容器22在300℃保持10小时。根据该处理，认为被封装外壳5和真空容器22的内壁等吸附的氰化苯及其分解物被除去。它通过Q-mass的观察被确认。
在该工序中，通过保持图象显示装置的加热/排气，不仅从内部进行气体的除去，而且兼有进行具有Ti薄膜的非蒸发型吸气剂的活性化处理。这时的加热在300℃进行10小时，但不受此限制，不言而喻在对构件没有不良影响的范围内，即使更高温实施，也能得到同样的效果。另外，即使是300℃以下的低温，通过延长加热时间，在氰化苯的除去和非蒸发型吸气剂的活性化的同时也能得到同样的效果。
工序n在确认压力达到1.3×10-5Pa以下后，用喷灯将排气管21加热后密封。
通过以上工序制成本实施例的图象显示装置。
(比较例1)
制成与实施例1类似的图象显示装置。本比较例的图象显示装置是与图2的图象显示装置相同的构成，但没有配置非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10。
(比较例2)制成与实施例1类似的图象显示装置。本比较例的图象显示装置是与图2的图象显示装置相同的构成，但它是代替非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10，配置了市场上出售的非蒸发型吸气剂的构成。
(实施例2)与实施例1不同的是在X方向布线上和Y方向布线上形成非蒸发型吸气剂的Ti薄膜。
实施例2除代替实施例1的工序-f进行以下的工序-f-2以外与实施例1是共同的。
工序-f-2准备使开口保持成X方向布线(上布线)和Y方向布线(下布线)的形状的金属掩膜，在进行充分的位置配合后，用溅射法在X方向布线(上布线)上和Y方向布线(下布线)上使Ti薄膜成膜为约2.5μm的厚度。X方向布线(上布线)和Y方向布线(下布线)的表面粗糙度选择具有与实施例1同样所希望的表面粗糙度那样的银布线材料、以及丝网印刷的条件。由以上工序制成本实施例的图象显示装置。
(实施例3)在图3中示出最好地表示本实施例的特征的图。
与实施例1和实施例2不同的是在图象显示区的外侧、以及在图象显示区内侧的X方向布线上和Y方向布线上也形成非蒸发型吸气剂的Ti薄膜。
在本实施例中，由实施例1的工序-f在图象显示区外、以及由实施例f-2在图象显示区内的X方向布线上和Y方向布线上分别形成非蒸发型吸气剂的Ti薄膜。
进行以上所述的实施例1～3以及比较例1～2的图象显示装置的比较评价。
评价是进行单纯的矩阵驱动，使图象显示装置全面发光，并测定辉度的经时变化。初期的辉度因实施例不同而异，相对地说，若继续发光，辉度就慢慢地下降。这种状况因测定的象素的位置不同而不同，没有配置非蒸发型吸气剂的Ti薄膜10的周边象素的辉度下降得快，辉度不均匀变大。尤其，在比较例1中，辉度下降显著，与实施例1～3的场合比较，当然比较例2的场合更明显地恶化。另外，实施例1～3的各图象显示装置比起比较例2的图象显示装置明显地恶化的程度小，长时间全都能显示高品质的图象。
本发明能持续保持残留气体的吸附能力，而且，尤其经历显示装置的制造工艺过程中的高温低真空状态，也能提供能确保充分特性的非蒸发型吸气剂。
另外，本发明能干式而且简便地提供具有上述性能的非蒸发型吸气剂。
另外，本发明能提供内装具有上述性能的非蒸发型吸气剂、并在显示性能方面优良的显示装置。
权利要求
1.一种非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备没有具有作为吸气剂的功能的基体材料、以及配置在该基体材料表面的、以Ti作为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。
2.如权利要求1记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述基体材料在配置了所述多晶膜的表面具有凹凸。
3.如权利要求2记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述凹凸的凸部具有平均在0.2μm～20μm的范围内的高度。
4.如权利要求3记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述凹凸的凸部的平均节距在0.5μm～20μm的范围内。
5.如权利要求1记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述多晶膜的晶粒的大小在100～2000的范围内。
6.如利要求1记载的非蒸发型吸气剂，其特征在于，所述多晶膜由Ti组成。
7.一种非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，在基体材料表面具有凹凸、同时具有作为吸气剂的功能，在这样的基体材料的该凹凸表面形成以Ti为主要成分的多晶膜。
8.如权利要求7记载的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，所述凹凸用喷砂法形成。
9.如权利要求7记载的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，所述凹凸用印刷法形成。
10.如权利要求7记载的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，所述凹凸的凸部是具有平均在0.2μm～20μm范围内的高度的凹凸。
11.如权利要求10记载的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，所述凹凸的凸部的平均间距在0.5μm～20μm的范围内。
12.如权利要求记载的非蒸发型吸气剂的制造方法，其特征在于，以所述Ti为主要成分的多晶膜的形成用溅射法进行。
13.一种显示装置，是在封装外壳5内具备电子源和与它对向配置的荧光体的显示装置，其特征在于，在所述封装外壳5内具备如权利要求1记载的非蒸发型吸气剂。
全文摘要
本发明的目的在于提供这样的非蒸发型吸气剂，该吸气剂能持续残留气体的吸附能力，而且，尤其经历在显示装置的制造工艺过程中的高温低真空状态，也能确保充分的特性。本发明是这样的非蒸发型吸气剂，其特征在于，它具备没有具有作为吸气剂的功能的基体材料，以及被配置在该基体材料表面的、以Ti为主要成分、并在其内部具有多个空隙的多晶膜。通过在其表面具有凹凸、同时在没有具有作为吸气剂的功能的基体材料的该凹凸表面上形成以Ti为主要成分的多晶膜，使得非蒸发型吸气剂的制造变成可能。
文档编号B01J20/30GK1401419SQ0214220
公开日2003年3月12日 申请日期2002年8月23日 优先权日2001年8月23日
发明者时冈正树, 长谷川光利, 重冈和也, 荒井由高 申请人:佳能株式会社