1.一种差温反应芯片，其特征在于：包括，
一容置空间（100），设置于第一基材（800）内，所述第一基材（800）包括第一主面（M）和第二主面（S），该容置空间（100）具有能够对流入其内的溶液在不同高度位置进行不同温度加热的着温端（101），使得所述溶液在容置空间（100）内部产生对流；
一第二基材（900），设置于所述第一基材（800）的第一主面（M）上，对所述容置空间（100）进行密封。
2.如权利要求1所述的差温反应芯片，其特征在于：所述容置空间（100）自所述第一主面（M）向第二主面（S）形成，还形成有，
一进液端（200），与所述容置空间（100）相连通，溶液自所述进液端（200）加入至所述容置空间（100）内；以及，
一排气端（300），与所述容置空间（100）相连通，所述容置空间（100）内部的空气通过所述排气端（300）排出。
3.如权利要求2所述的差温反应芯片，其特征在于：所述进液端（200）通过第一流路（500）与所述容置空间（100）相连通，所述第一流路（500）上设置有第一稀释池（502），且所述第一稀释池（502）内溶液的最低位置高于所述容置空间（100）内溶液的最高位置。
4.如权利要求3所述的差温反应芯片，其特征在于：所述排气端（300）通过第二流路（600）与所述容置空间（100）相连通。
5.如权利要求4所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第二流路（600）上设置有第一存储池（601），所述第一存储池（601）对溢出所述容置空间（100）的溶液进行存储。
6.如权利要求5所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第二流路（600）上还设置有第一显色池（602），所述溶液充满所述第一存储池（601）后，进入所述第一显色池（602）。
7.如权利要求3~6任一所述的差温反应芯片其特征在于：所述第一流路（500）上设置有第一拐点（501），溶液在进入所述容置空间（100）后在所述第一拐点（501）处形成连通器式溶液存留。
8.如权利要求4~6任一所述的差温反应芯片其特征在于：所述第二流路（600）上设置有第二拐点（603），溶液在流出所述容置空间（100）后在所述第二拐点（603）处形成连通器式溶液存留。
9.如权利要求3~6任一所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第一流路（500）与所述容置空间（100）竖直方向的底端相连通。
10.如权利要求4或5所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第二流路（600）与所述容置空间（100）竖直方向的顶端相连通。
11.如权利要求6所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第二流路（600）上还设置有第一缓冲池（604），所述溶液充满所述第一显色池（602）后，进入所述第一缓冲池（604）。
12.如权利要求4~6任一所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第二流路（600）上还设置有第一吸收池（605），所述溶液充满所述容置空间（100）后进入所述第一吸收池（605）。
13.如权利要求12所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第二流路（600）上还设置有第一试纸仓（606），所述溶液充满所述容置空间（100）后从一端进入所述第一试纸仓（606），所述第一试纸仓（606）的另一端与所述排气端（300）相连接。
14.如权利要求13所述的差温反应芯片，其特征在于：所述第一吸收池（605）与第一试纸仓（606）相连通。
15.如权利要求1~6或14任一所述的差温反应芯片，其特征在于：还包括，
一第三基材（700），设置于所述第一基材（800）的第二主面（S）上，与所述对所述第二基材（900）一起完成对容置空间（100）进行密封。
16.一种控温金属浴，其特征在于：包括加热单元（1000），包括通电模块（1001）和接触模块（1002），所述接触模块（1002）能够区分为与如权利要求1所述差温反应芯片的着温端（101）形成有高度差的接触，所述通电模块（1001）通过向所述接触模块（1002）通电进而将电能转化为热能；以及，控温单元（2000），通过对所述通电模块（1001）的控制，使得所述接触模块（1002）分别形成不同温度的控制。
17.如权利要求16所述的控温金属浴，其特征在于：还包括，
入口单元（3000），形成能够容置所述差温反应芯片的空间，使得所述接触模块（1002）能够区分为与所述差温反应芯片的着温端（101）形成有高度差的接触。