本发明涉及晶浆增稠的装置的技术领域，特别是涉及一种稠厚器。
背景技术：
众所周知，稠厚器是一种利用结晶颗粒重力沉降原理从低稠度的半成品晶浆中分离出固体，并通过母液溢流装置，提高晶浆固/液比，增加物料稠度的初级晶浆分离设备。现有的稠厚器一般包括一个封闭的筒体，该筒体分为两部分，上部为圆柱体，下部为锥体，圆柱体上部设有进料口，锥体下部的侧面设有出料口，圆柱体上部的侧面设有溢流口。在初级晶浆增稠的过程中，晶粒向下部的锥体沉降，较清的母液通过溢流口流出。这种结构的稠厚器，当母液出入不平衡时，溢流口易出现虹吸现象，把晶粒带走，从而存在溢流液带晶多的缺陷，同时锥体的底部易堵塞，物料难以排出，且晶粒的大小也不易控制，从而严重制约后续分离机的生产能力。因此，需要一种能够克服现存缺陷的稠厚器。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本发明克服了传统稠厚器技术中溢流液带晶多、底部易堵塞和晶粒大小不易控制的缺陷，提供一种减少溢流液带晶、底部不易堵塞并且晶粒大小易控制的稠厚器。
本发明的一种稠厚器，包括支撑架、溢流筒、澄清筒、稠厚筒、溢流管、进料管和出料管，所述稠厚筒安装在支撑架上，出料管安装在稠厚筒的底端，澄清筒安装在稠厚筒的上方，溢流筒安装在澄清筒的上方，并且澄清筒顶端和底端分别与溢流筒和稠厚筒相通，出料管与稠厚筒相通，溢流管安装在溢流筒侧壁上，并且溢流管与溢流筒相通，所述进料管的底端穿过溢流筒和澄清筒并伸入至稠厚筒内，并且进料管的输出端与澄清筒相通；还包括电机、搅拌轴和搅拌轴桨叶，所述电机安装在溢流筒的上方，搅拌轴安装在电机的底部输出端，搅拌轴桨叶位于稠厚筒内，搅拌轴的底端穿过溢流筒和澄清筒后伸入至稠厚筒内与搅拌轴桨叶连接。
本发明的一种稠厚器，还包括夹套，所述夹套安装在稠厚筒和澄清筒的外壁上，并且所述夹套与稠厚筒和澄清筒之间形成保温腔，所述夹套的外壁上设置有蒸汽输入管和冷凝水输出管。
本发明的一种稠厚器，所述支撑架顶端与夹套底端连接。
本发明的一种稠厚器，所述澄清筒顶端设置有溢流齿堰，并且所述溢流齿堰位于澄清筒与溢流筒的连通处。
与现有技术相比本发明的有益效果为：通过上述设置，首先晶浆液从进料管打入稠厚筒内，待晶浆液达到指定液位后，搅拌系统开始运行，搅拌轴在电机的带动下，搅拌轴桨叶低速转动，同时晶浆液在澄清筒内自动沉降，顶部清液由澄清筒顶端进入溢流筒，之后从溢流管排出稠厚系统；底部较稠厚的晶浆液在稠厚筒堆积，由底部出料口管排出稠厚系统即可，从而达到减少溢流液带晶、底部不易堵塞并且晶粒大小易控制的效果。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，本发明的一种稠厚器，包括支撑架、溢流筒9、澄清筒5、稠厚筒6、溢流管10、进料管3和出料管13，稠厚筒安装在支撑架上，出料管安装在稠厚筒的底端，澄清筒安装在稠厚筒的上方，溢流筒安装在澄清筒的上方，并且澄清筒顶端和底端分别与溢流筒和稠厚筒相通，出料管与稠厚筒相通，溢流管安装在溢流筒侧壁上，并且溢流管与溢流筒相通，进料管的底端穿过溢流筒和澄清筒并伸入至稠厚筒内，并且进料管的输出端与澄清筒相通；还包括电机1、搅拌轴2和搅拌轴桨叶7，电机安装在溢流筒的上方，搅拌轴安装在电机的底部输出端，搅拌轴桨叶位于稠厚筒内，搅拌轴的底端穿过溢流筒和澄清筒后伸入至稠厚筒内与搅拌轴桨叶连接；通过上述设置，首先晶浆液从进料管打入稠厚筒内，待晶浆液达到指定液位后，搅拌系统开始运行，搅拌轴在电机的带动下，搅拌轴桨叶低速转动，同时晶浆液在澄清筒内自动沉降，顶部清液由澄清筒顶端进入溢流筒，之后从溢流管排出稠厚系统；底部较稠厚的晶浆液在稠厚筒堆积，由底部出料口管排出稠厚系统即可，从而达到减少溢流液带晶、底部不易堵塞并且晶粒大小易控制的效果。
本发明的一种稠厚器，还包括夹套12，夹套安装在稠厚筒和澄清筒的外壁上，并且夹套与稠厚筒和澄清筒之间形成保温腔，夹套的外壁上设置有蒸汽输入管11和冷凝水输出管8；晶浆液在稠厚筒内的同时，夹套同时工作，饱和鲜蒸汽由蒸汽输入管通入保温腔，在保温腔换热后，由冷凝水输出管排出鲜蒸汽冷凝水即可，达到更好的保温效果。
本发明的一种稠厚器，支撑架顶端与夹套底端连接。
本发明的一种稠厚器，澄清筒顶端设置有溢流齿堰4，并且溢流齿堰位于澄清筒与溢流筒的连通处。
本发明的一种稠厚器，其具有以下效果：1、与传统的稠厚器相比，搅拌的转速很低，对晶体粒度保护更好，可得到粒度更加完整的晶体；2、与传统的稠厚器相比，搅拌的转速很低，对晶体粒度保护更好，可得到粒度更加完整的晶体；3、与传统的稠厚器相比，稠厚效果很好，减小后期分离设备的工作量；4、与传统的稠厚器相比，固液分离效果很好，溢流液不携带晶体，保证固体产量。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。