一种三维球状In2S3-SnS2复合物的制备方法与流程

文档序号:16382804发布日期:2018-12-22 09:38阅读:857来源:国知局
技术简介:
本发明针对SnS2纳米片尺寸过大难以与In2S3复合的问题,提出通过水热法调控SnS2尺寸并实现与In2S3的三维球状复合。首先制备三维球状In2S3,再利用SnCl4、硫脲、乙二胺在水热条件下合成小尺寸SnS2纳米片,使其均匀嵌入In2S3孔道,提升复合物的光电转换与催化性能。
关键词:三维球状复合物,水热合成法

本发明涉及一种三维球状in2s3-sns2复合物的制备方法。

背景技术

in2s3是一种新型光电材料,已有报道通过水热合成能得到三维球状in2s3。这种in2s3具有较大比表面积,表现出一定的光电转换和催化性能,这种三维球状结构还是一种很理想的复合载体,因为其表面具有很多几十纳米的孔道,能比较容易复合其他纳米颗粒材料,其复合物往往具有更好的光电转换和催化性能。sns2是一种片状纳米材料,未有报道能得到三维球状in2s3-sns2复合物,申请人发现主要是因为sns2纳米片边长在50-100nm,难以进入in2s3孔道,所以想要得到sns2与in2s3的复合物,必须得到尺寸较小的sns2纳米片。三维球状in2s3-sns2复合物可以提高光电转换性能及光催化性能,能够用于光催化剂,太阳能电池等领域。然而,sns2合成条件和三维球状in2s3差别较大,兼容这两种纳米材料得到复合物存在一定困难,故而本发明提供了一种成熟可靠的方法制备出三维球状in2s3-sns2复合物。



技术实现要素:

本发明的一个目的在于克服现有技术的不足,提供一种三维球状in2s3-sns2复合物的制备方法。

本发明为解决上述技术问题所提供的技术方案是:

先制备三维球状in2s3,再对三维球状in2s3中加入sncl4、硫脲、乙二胺和水,水热反应即可得到三维球状in2s3-sns2复合物,其纳米片状sns2均匀分布在三维球状in2s3空隙中;具体包括如下步骤:

步骤(1).将硝酸铟、l-异亮氨酸、硼氢化钠和水按照质量比1:(2~4):(1~2):60混合,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为160~200℃,恒温时间为8~12小时;

步骤(2).将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在70~80℃下烘干5~8小时;

步骤(3).将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3;

步骤(4).将上述三维球状in2s3、sncl4、硫脲、乙二胺和水按照质量比10:(1~3):(2~4):(1~3):50混合成前驱液,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为160~200℃,恒温时间为20~30小时;

步骤(5).将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在80~90℃下烘干8~10小时;

步骤(6).将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3-sns2复合物。

本发明的有益效果是:采用硝酸铟,l-异亮氨酸,硼氢化钠制备出三维球状in2s3,其三维球状结构易于与纳米片状sns2进行复合;采用sncl4,硫脲,乙二胺作为前驱体制备纳米片状sns2;硫脲,乙二胺不会对三维球状in2s3结构进行破坏,同时可以缩小sns2尺寸,可以保证纳米片状sns2均匀分布在三维球状in2s3空隙中,保证复合效果。

附图说明

图1为实施例1制备的三维球状in2s3-sns2复合物的扫描电镜图(sem);

图2为实施例2制备的三维球状in2s3-sns2复合物的x射线衍射图谱(xrd);

图3为实施例3制备的三维球状in2s3-sns2复合物的透射电镜图(tem)。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步阐述,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之内。

实施例1:

将10g硝酸铟,20gl-异亮氨酸,10g硼氢化钠和600g水按照质量比1:2:1:60混合,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为160℃,恒温时间为8小时;将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在70℃下烘干5小时;将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3;将100g三维球状in2s3,10gsncl4,20g硫脲,10g乙二胺和500g水按照质量比10:1:2:1:50混合成前驱液,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为160℃,恒温时间为20小时;将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在80℃下烘干8小时;将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3-sns2复合物。

图1为实施例1制备的三维球状in2s3-sns2复合物的扫描电镜图(sem);从中可以看出,实施例1制备的三维球状in2s3-sns2复合物具有三维球状结构,纳米片状sns2均匀分布在三维球状in2s3空隙中。x射线衍射图谱(xrd)显示三维球状in2s3-sns2复合物中含有in2s3和sns2结构,结晶良好。

实施例2:

将10g硝酸铟,30gl-异亮氨酸,10g硼氢化钠和600g水按照质量比1:3:1:60混合,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为180℃,恒温时间为10小时;将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在80℃下烘干6小时;将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3;将100g三维球状in2s3,20gsncl4,30g硫脲,20g乙二胺和500g水按照质量比10:2:3:2:50混合成前驱液,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为180℃,恒温时间为24小时;将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在90℃下烘干9小时;将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3-sns2复合物。

图2为实施例2制备的三维球状in2s3-sns2复合物的x射线衍射图谱(xrd);从中可以看出,实施例2制备的三维球状in2s3-sns2复合物中含有in2s3和sns2结构,结晶良好。扫描电镜图(sem)显示三维球状in2s3-sns2复合物具有三维球状结构,纳米片状sns2均匀分布在三维球状in2s3空隙中。

实施例3:

将10g硝酸铟,40gl-异亮氨酸,20g硼氢化钠和600g水按照质量比1:4:2:60混合,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为200℃,恒温时间为12小时;将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在80℃下烘干8小时;将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3;将100g三维球状in2s3,30gsncl4,40g硫脲,30g乙二胺和500g水按照质量比10:3:4:3:50混合成前驱液,置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应温度为200℃,恒温时间为30小时;将水热反应后的固液混合物进行固液离心分离,倒出液态产物,将固态产物取出,用去离子水洗涤3次后在90℃下烘干10小时;将烘干后产物研磨成粉末,得到三维球状in2s3-sns2复合物。

图3为实施例3制备的三维球状in2s3-sns2复合物的透射电镜图(tem);从中可以看出,纳米片状sns2与in2s3空复合在一起。扫描电镜图(sem)显示三维球状in2s3-sns2复合物具有三维球状结构,纳米片状sns2均匀分布在三维球状in2s3空隙中。

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