本发明涉及氧化钛薄膜工艺的技术领域，尤其涉及一种基于钛网的氧化钛薄膜电极的制备方法。
背景技术：
氧化钛薄膜电极作为光电催化技术中常用和效果较好的光催化剂，能有效地降解有机污染物，而目前现有技术的氧化钛薄膜电极一般采用阳极氧化法、气相沉积法或者溶胶凝胶法来制备氧化钛薄膜电极，上述的各种方法各自存在一定的缺陷，如工艺复杂、成型形状不规则统一、制得的氧化钛薄膜电极化学活性不足、降解效果差、反应速度慢等缺陷。因此，需要采用一种新的方法制备具有高效催化活性的氧化钛薄膜电极。
技术实现要素：
本发明的目的是为了克服上述现有技术的缺点，提供一种基于钛网的氧化钛薄膜电极的制备方法，该基于钛网的氧化钛薄膜电极的制备方法采用直流磁控溅射法在钛网上制备了tio2薄膜电极，具有极高的催化活性，且反应发生容易，生成的tio2薄膜电极的形貌规则统一整齐，提高了降解率；其整体工艺简单，所需设备不复杂，操作简单，降低了成本。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种基于钛网的氧化钛薄膜电极的制备方法，包括如下步骤：
(1)将钛网切割成7.5cm×2.8cm，用砂纸打磨，打磨之后用蒸馏水冲洗，再用丙酮作超声波清洗20min；
(2)然后用乙醇、蒸馏水各清洗钛网20min，最后将钛网吹干；
(3)以纯ti为靶,预先用ar对ti靶进行预溅射，以除去靶表面的氧化物；
(4)把钛网置于高真空磁控溅射镀膜设备内采用高真空直流磁控溅射方法在钛网表面生成薄膜；高真空直流磁控溅射方法的制备条件为：纯ti为靶，钛网作为基片，基片温度控制在280℃，靶基距为8.0cm；工作气体为氩气，反应气体为氧气，流量比15：20；真空度为5.0×10－4pa，工作气压为1.0pa，溅射功率为100w，溅射时间为60min；
(5)最后把钛网和薄膜在400-900℃恒温退火1小时，得到氧化钛薄膜电极。
进一步的，所述纯ti的纯度为99.9％。
进一步的，所述钛网厚度为0.1cm。
综上所述，本发明的基于钛网的氧化钛薄膜电极的制备方法采用直流磁控溅射法在钛网上制备了tio2薄膜电极，具有极高的催化活性，且反应发生容易，生成的tio2薄膜电极的形貌规则统一整齐，提高了降解率；其整体工艺简单，所需设备不复杂，操作简单，降低了成本。
具体实施方式
实施例1
本实施例1所描述的一种基于钛网的氧化钛薄膜电极的制备方法，包括如下步骤：
(1)将钛网切割成7.5cm×2.8cm，用砂纸打磨，打磨之后用蒸馏水冲洗，再用丙酮作超声波清洗20min；
(2)然后用乙醇、蒸馏水各清洗钛网20min，最后将钛网吹干；
(3)以纯ti为靶,预先用ar对ti靶进行预溅射，以除去靶表面的氧化物；
(4)把钛网置于高真空磁控溅射镀膜设备内采用高真空直流磁控溅射方法在钛网表面生成薄膜；高真空直流磁控溅射方法的制备条件为：纯ti为靶，钛网作为基片，基片温度控制在280℃，靶基距为8.0cm；工作气体为氩气，反应气体为氧气，流量比15：20；真空度为5.0×10－4pa，工作气压为1.0pa，溅射功率为100w，溅射时间为60min；
(5)最后把钛网和薄膜在400-900℃恒温退火1小时，得到氧化钛薄膜电极。
在本实施例中，所述纯ti的纯度为99.9％。
在本实施例中，所述钛网厚度为0.1cm。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术方案作任何形式上的限制。凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明的技术方案的范围内。