一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置的制作方法

1.本实用新型涉及芯片处理领域，具体是指一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置。


背景技术：

2.硅基氮化镓半导体芯片的突出特点是能够最终集成芯片级的增强功能，可能实现额外的性能优势和空间优化，其硅基底支持氮化镓器件和基于cmos的器件未来在单一芯片上均匀集成(由于固有工艺限制，氮化硅基氮化镓不具备该能力)，硅基氮化镓这一特性为多功能数字辅助射频mmic集成片上数字控制和校准以及片上配电网络等奠定了基础。
3.硅基氮化镓半导体芯片在进行销毁处理后会进行回收其中的重要金属，常用手段是将半导体芯片粉碎后进行回收，然后再进行提取重要金属，但是现有技术中，半导体芯片经过粉碎销毁后，通过出料口回收，但是这种回收方式无法将碎块和碎屑进行分离收集，操作人员还需要进行再次筛分，进行处理，整个过程较为繁琐，因此需要一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置以解决上述问题。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本实用新型采用了以下技术方案：
5.一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，包括处理箱、出料口、分离斗、复位机构、承接箱，所述处理箱底部中心处连通有出料口，所述出料口正下方设置有分离斗，所述分离斗一侧为斜坡，截面为直角梯形结构，所述分离斗斜坡侧面上开设有槽口，所述分离斗底部开设有通孔，所述分离斗斜坡侧面和底部连接处设置有限位条，所述分离斗两侧轴接有竖直向上的侧板，两个侧板顶部设置有水平放置的顶板，所述顶板固定于所述处理箱底部，所述分离斗与所述处理箱底部通过复位机构连接，所述分离斗正下方设置有承接箱，所述承接箱内设置有挡板，所述挡板顶部轴接有转动板。
6.进一步的，所述复位机构为两个，两个所述复位机构分别与两个侧板同侧，所述复位机构由第一连接块、弹簧、第二连接块组成，所述第一连接块设置于所述处理箱底部，所述第二连接块设置于所述分离斗侧边外壁上，所述第一连接块和所述第二连接块通过弹簧连接。
7.进一步的，所述处理箱底部四个边角处均设置有竖直向下的支撑腿。
8.进一步的，所述出料口上设置有开关阀。
9.进一步的，所述转动板顶部设置有缓冲垫。
10.采用以上技术方案，本实用新型具有以下有益效果：
11.(1)该硅基氮化镓半导体芯片回收装置，通过在处理斗正下方设置分离斗，分离斗将粉碎后的半导体芯片进行分离，碎屑从通孔排出，碎块通过槽口排出，分别进入承接箱中挡板的两侧，相较于现有技术中直接通过出料口收集，然后还需要操作人员进行再次筛分，本实用新型在半导体芯片回收时效率更高，速度更快，对操作人员而言，工作量更小。
附图说明
12.图1为一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置侧视图；
13.图2为一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置后视图；
14.图3为分离斗的结构示意图；
15.图4为挡板和转动板的连接示意图；
16.图5为一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置工作状态侧视图；
17.如图所示：
18.1、处理箱；2、出料口；3、分离斗；31、限位条；32、侧板；33、顶板；301、槽口；302、通孔；4、复位机构；41、第一连接块；42、第二连接块；43、弹簧；5、承接箱；6、挡板；7、转动板；11、支撑腿。
具体实施方式
19.为了更好地解释本实用新型，下面将结合实施例对本实用新型作进一步阐述，需要声明的是，以下内容仅是为了更好地说明本实用新型，并非是限制本实用新型权利要求书的保护范围；
20.在本实用新型的描述中，需要声明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶侧”、“底侧”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
21.实施例一：
22.一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，包括处理箱1、出料口2、分离斗3、复位机构4、承接箱5，处理箱1底部四个边角处均设置有竖直向下的支撑腿11，用于支撑本装置，处理箱1底部中心处连通有出料口2，出料口2上设置有开关阀(未画出)，在半导体芯片经过处理箱1处理后，打开开关阀进行出料，出料口2正下方设置有分离斗3，分离斗3一侧为斜坡，截面为直角梯形结构，分离斗3斜坡侧面上开设有槽口301，分离斗3底部开设有通孔302，分离斗3斜坡侧面和底部连接处设置有限位条31，处理后的半导体碎屑从通孔302排出，在分离斗3转动，倒出处理后的半导体碎块时，防止碎屑沿分离斗底3部从槽口301处倒出，分离斗3两侧轴接有竖直向上的侧板32，两个侧板32顶部设置有水平放置的顶板33，顶板33固定于处理箱1底部，分离斗3与处理箱1底部通过复位机构4连接，复位机构4为两个，两个复位机构4分别与两个侧板32同侧，复位机构4由第一连接块41、弹簧43、第二连接块42组成，第一连接块41设置于处理箱1底部，第二连接块42设置于分离斗3侧边外壁上，第一连接块41和第二连接块42通过弹簧43连接，在出料时，分离斗3受粉碎的芯片重量作用，带动弹簧43伸长，在出料结束后，分离斗3在复位机构4的作用下复位，分离斗3正下方设置有承接箱5，承接箱5内设置有挡板6，挡板6顶部轴接有转动板7，转动板7顶部设置有缓冲垫，在出料时，分离斗3受重力影响，向下转动，防止分离斗3斜坡侧边底部直接撞击到转动板7上，造成损坏。
23.在使用本实用新型时，半导体芯片经过处理箱1处理，再经过出料口2出料，处理后的半导体芯片从出料口2倒在分离斗3上，碎屑从通孔302处进入承接箱5，受处理的半导体芯片的重量影响，分离斗3向下偏移转动，使半导体芯片的碎块从槽口301处进入承接箱5中
挡板6的另一侧，在出料结束后，分离斗3不在受半导体芯片的重力影响，在复位机构4的作用下复位。
24.以上即为本实用新型的实施例内容，在未对本实用新型做出任何创造性的改进的前提下，皆属于本实用新型权利要求书保护范围内。


技术特征：
1.一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，其特征在于：包括处理箱(1)、出料口(2)、分离斗(3)、复位机构(4)、承接箱(5)，所述处理箱(1)底部中心处连通有出料口(2)，所述出料口(2)正下方设置有分离斗(3)，所述分离斗(3)一侧为斜坡，截面为直角梯形结构，所述分离斗(3)斜坡侧面上开设有槽口(301)，所述分离斗(3)底部开设有通孔(302)，所述分离斗(3)斜坡侧面和底部连接处设置有限位条(31)，所述分离斗(3)两侧轴接有竖直向上的侧板(32)，两个侧板(32)顶部设置有水平放置的顶板(33)，所述顶板(33)固定于所述处理箱(1)底部，所述分离斗(3)与所述处理箱(1)底部通过复位机构(4)连接，所述分离斗(3)正下方设置有承接箱(5)，所述承接箱(5)内设置有挡板(6)，所述挡板(6)顶部轴接有转动板(7)。2.根据权利要求1中所述的一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，其特征在于：所述复位机构(4)为两个，两个所述复位机构(4)分别与两个侧板(32)同侧，所述复位机构(4)由第一连接块(41)、弹簧(43)、第二连接块(42)组成，所述第一连接块(41)设置于所述处理箱(1)底部，所述第二连接块(42)设置于所述分离斗(3)侧边外壁上，所述第一连接块(41)和所述第二连接块(42)通过弹簧(43)连接。3.根据权利要求1中所述的一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，其特征在于：所述处理箱(1)底部四个边角处均设置有竖直向下的支撑腿(11)。4.根据权利要求1中所述的一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，其特征在于：所述出料口(2)上设置有开关阀。5.根据权利要求1中所述的一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，其特征在于：所述转动板(7)顶部设置有缓冲垫。

技术总结
本实用新型公开了一种硅基氮化镓半导体芯片回收装置，包括处理箱、出料口、分离斗、复位机构、承接箱，所述处理箱底部中心处连通有出料口，所述出料口正下方设置有分离斗，所述分离斗一侧为斜坡，截面为直角梯形结构，所述分离斗斜坡侧面上开设有槽口，所述分离斗底部开设有通孔，所述分离斗斜坡侧面和底部连接处设置有限位条，所述分离斗两侧轴接有竖直向上的侧板，两个侧板顶部设置有水平放置的顶板，所述顶板固定于所述处理箱底部，所述分离斗与所述处理箱底部通过复位机构连接，所述分离斗正下方设置有承接箱，所述承接箱内设置有挡板，所述挡板顶部轴接有转动板。所述挡板顶部轴接有转动板。所述挡板顶部轴接有转动板。


技术研发人员：白俊春 平加峰 王晨宁
受保护的技术使用者：江苏芯港半导体有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/5/25