氟化氢气体去除装置和氟化氢气体的去除方法与流程

本发明涉及一种氟化氢气体去除装置和氟化氢气体的去除方法。

背景技术：

1、制造半导体时使用的氟气、三氟化氯、制造核能发电的铀燃料所使用的六氟化铀有时含有氟化氢气体作为杂质，因此使用去除剂去除氟化氢气体。例如专利文献1、2、3中公开了通过使氟化氢气体吸附在氟化钠上，而从氟气中去除氟化氢气体的技术。随着氟化氢的吸附，氟化钠的氟化氢气体去除性能降低，因此实施再生处理来提高氟化钠的氟化氢气体去除性能。

2、现有技术文献

3、专利文献1：日本专利公开公报2011年第208276号

4、专利文献2：日本专利公报第5757168号

5、专利文献3：日本专利公开公报2009年第215588号

技术实现思路

1、但是，在专利文献1、2、3公开的技术中，需要从氟化氢气体去除装置取出氟化钠后实施再生处理，或者停止氟化氢气体的去除处理后在氟化氢气体去除装置内对氟化钠实施再生处理，所以存在无法长时间地连续进行氟化氢气体的去除处理而不使其停止的问题。

2、本发明的课题在于提供一种氟化氢气体去除装置和氟化氢气体的去除方法，其能够长时间地连续进行从含有氟化氢气体的混合气体中去除氟化氢气体的去除处理而不用使其停止。

3、为了解决前述课题，本发明的一方式如以下的[1]～[17]所述。

4、[1]一种氟化氢气体去除装置，是从含有氟化氢气体和其他种类气体的混合气体中去除所述氟化氢气体的氟化氢气体去除装置，其具备氟化氢气体去除处理机、去除剂供给机、去除剂再生处理机和再生处理完毕去除剂输送机，

5、所述氟化氢气体去除处理机能够收纳用于从所述混合气体中去除所述氟化氢气体的去除剂，并且具有导入所述混合气体的气体导入口、和排出实施了去除所述氟化氢气体的处理的所述混合气体的气体排出口，所述氟化氢气体去除处理机实行通过使所述混合气体与所述去除剂接触而从所述混合气体中去除所述氟化氢气体的处理，

6、所述去除剂供给机向所述氟化氢气体去除处理机供给所述去除剂，

7、所述去除剂再生处理机能够收纳在所述氟化氢气体去除处理机中用于从所述混合气体中去除所述氟化氢气体处理的、使用完毕的所述去除剂，对使用完毕的所述去除剂实施使所述去除剂的氟化氢气体去除性能提高的再生处理，

8、所述再生处理完毕去除剂输送机输送在所述去除剂再生处理机中使氟化氢气体去除性能提高了的再生处理完毕的所述去除剂，并将其向所述去除剂供给机供给。

9、[2]根据[1]所述的氟化氢气体去除装置，所述去除剂是吸附所述氟化氢气体的吸附剂。

10、[3]根据[2]所述的氟化氢气体去除装置，所述吸附剂是选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氟化镁、氟化钙和氟化钡中的至少1种。

11、[4]根据[2]或[3]所述的氟化氢气体去除装置，具备氟化氢气体去除处理机用温度控制部，所述氟化氢气体去除处理机用温度控制部将所述氟化氢气体去除处理机内的所述去除剂的温度控制在-30℃以上且100℃以下。

12、[5]根据[2]～[4]中任一项所述的氟化氢气体去除装置，具备去除剂再生处理机用温度控制部，所述去除剂再生处理机用温度控制部将所述去除剂再生处理机内的所述去除剂的温度控制在150℃以上且400℃以下。

13、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的氟化氢气体去除装置，所述去除剂是平均粒径为10μm以上且10mm以下的粉粒体。

14、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的氟化氢气体去除装置，所述其他种类气体是选自氟气、一氟化氯、三氟化氯、五氟化氯、三氟化溴、五氟化溴、七氟化溴、三氟化碘、五氟化碘、七氟化碘、四氟化铀、六氟化铀、六氟化钨、四氟化硅、三氟化氮和四氟化硫中的至少一种。

15、[8]根据[1]～[7]中任一项所述的氟化氢气体去除装置，所述去除剂供给机能够向所述氟化氢气体去除处理机连续地供给所述去除剂，所述氟化氢气体去除处理机能够连续地排出使用完毕的所述去除剂。

16、[9]根据[1]～[8]中任一项所述的氟化氢气体去除装置，所述去除剂再生处理机能够连续地导入使用完毕的所述去除剂，并且能够连续地排出再生处理完毕的所述去除剂。

17、[10]根据[1]～[9]中任一项所述的氟化氢气体去除装置，所述再生处理完毕去除剂输送机能够连续地导入再生处理完毕的所述去除剂，并且能够将再生处理完毕的所述去除剂向所述去除剂供给机连续地供给。

18、[11]一种氟化氢气体的去除方法，是从含有氟化氢气体和其他种类气体的混合气体中去除所述氟化氢气体的氟化氢气体的去除方法，其具备去除剂供给工序、氟化氢气体去除处理工序、去除剂再生处理工序和再生处理完毕去除剂输送工序，

19、在所述去除剂供给工序中，将用于从所述混合气体中去除所述氟化氢气体的去除剂，向实行从所述混合气体中去除所述氟化氢气体的处理的氟化氢气体去除处理机供给，

20、在所述氟化氢气体去除处理工序中，向收纳有所述去除剂的所述氟化氢气体去除处理机的气体导入口导入所述混合气体，在使所述混合气体与所述氟化氢气体去除处理机内的所述去除剂接触后，将其从所述氟化氢气体去除处理机的气体排出口排出，实行从所述混合气体中去除所述氟化氢气体的处理，

21、在所述去除剂再生处理工序中，将在所述氟化氢气体去除处理工序中用于从所述混合气体中去除所述氟化氢气体处理的、使用完毕的所述去除剂，从所述氟化氢气体去除处理机向对所述去除剂实施使氟化氢气体去除性能提高的再生处理的去除剂再生处理机转移，对使用完毕的所述去除剂实施所述再生处理，

22、在所述再生处理完毕去除剂输送工序中，输送通过所述去除剂再生处理工序而使氟化氢气体去除性能提高了的再生处理完毕的所述去除剂，并将其向所述去除剂供给工序供给。

23、[12]根据[11]所述的氟化氢气体的去除方法，所述去除剂是吸附所述氟化氢气体的吸附剂。

24、[13]根据[12]所述的氟化氢气体的去除方法，所述吸附剂是选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氟化镁、氟化钙和氟化钡中的至少1种。

25、[14]根据[12]或[13]所述的氟化氢气体的去除方法，在所述氟化氢气体去除处理工序中，将所述氟化氢气体去除处理机内的所述去除剂的温度设为-30℃以上且100℃以下。

26、[15]根据[12]～[14]中任一项所述的氟化氢气体的去除方法，在所述去除剂再生处理工序中，将所述去除剂再生处理机内的所述去除剂的温度设为150℃以上且400℃以下，对所述去除剂实施所述再生处理。

27、[16]根据[11]～[15]中任一项所述的氟化氢气体的去除方法，所述去除剂是平均粒径为10μm以上且10mm以下的粉粒体。

28、[17]根据[11]～[16]中任一项所述的氟化氢气体的去除方法，所述其他种类气体是选自氟气、一氟化氯、三氟化氯、五氟化氯、三氟化溴、五氟化溴、七氟化溴、三氟化碘、五氟化碘、七氟化碘、四氟化铀、六氟化铀、六氟化钨、四氟化硅、三氟化氮和四氟化硫中的至少一种。

29、根据本发明，能够长时间地连续进行从含有氟化氢气体的混合气体中去除氟化氢气体的去除处理而不用使其停止。