一种半导体快速涂胶方法及系统与流程

本发明涉及半导体，具体涉及一种半导体快速涂胶方法及系统。

背景技术：

1、在半导体的制造过程中，光刻胶的涂覆是关键步骤之一。目前的涂胶过程中，主要存在涂胶利用率不高，均匀程度不能满足要求的情况。虽然现在也有技术人员利用人工智能的方法通过对涂胶的经验参数选择进行学习，但是由于学习数据过于片面，且忽略了涂胶环境对涂胶效果的影响，因此，导致涂胶效率仍不能满足要求。现有技术中半导体涂胶效率低，涂胶质量不稳定的技术问题。

技术实现思路

1、本申请提供了一种半导体快速涂胶方法及系统，用于针对解决现有技术中半导体涂胶效率低，涂胶质量不稳定的技术问题。

2、鉴于上述问题，本申请提供了一种半导体快速涂胶方法及系统。

3、本申请的第一个方面，提供了一种半导体快速涂胶方法，所述方法包括：

4、获取目标半导体的预设涂胶要求，生成第一涂胶约束条件；

5、采集预设监测窗口内y个涂胶设备的y个设备参数集合，对所述y个设备参数集合进行密集偏离分析，生成y个密集偏离系数；

6、利用所述y个密集偏离系数对所述第一涂胶约束条件进行补偿，获得第一补偿约束条件；

7、调取涂胶控制模块的历史涂胶记录数据，构建历史参数记忆库，其中，所述历史参数记忆库中具有多个涂胶工艺参数集合，每个涂胶工艺参数集合中包括q个涂胶工艺参数；

8、基于所述第一补偿约束条件，构建参数选择阈值库，其中，所述参数选择阈值库为涂胶工艺参数集合中涂胶工艺参数的选择区间；

9、构建y个涂胶设备与q个涂胶工艺参数的映射影响关系，基于映射影响关系和y个密集偏离系数生成q个参数微调步长，其中，q个参数微调步长与q个涂胶工艺参数一一对应；

10、生成p个随机步调阈值，分别判断所述p个随机步调阈值是否大于预设步调阈值，若是，则根据q个参数微调步长在历史参数记忆库中进行参数寻优，获得l个局部涂胶工艺参数，其中，l+m=p；

11、若否，则根据q个参数微调步长在参数选择阈值库中进行参数寻优，获得m个全局涂胶工艺参数；

12、根据l个局部涂胶工艺参数和m个全局涂胶工艺参数进行合格率分析，获得最优涂胶工艺参数，按照所述最优涂胶工艺参数进行目标半导体的涂胶。

13、本申请的第二个方面，提供了一种半导体快速涂胶系统，所述系统包括：

14、涂胶约束条件生成模块，用于获取目标半导体的预设涂胶要求，生成第一涂胶约束条件；

15、密集偏离系数生成模块，用于采集预设监测窗口内y个涂胶设备的y个设备参数集合，对所述y个设备参数集合进行密集偏离分析，生成y个密集偏离系数；

16、补偿约束条件获得模块，用于利用所述y个密集偏离系数对所述第一涂胶约束条件进行补偿，获得第一补偿约束条件；

17、参数记忆库构建模块，用于调取涂胶控制模块的历史涂胶记录数据，构建历史参数记忆库，其中，所述历史参数记忆库中具有多个涂胶工艺参数集合，每个涂胶工艺参数集合中包括q个涂胶工艺参数；

18、选择阈值库构建模块，用于基于所述第一补偿约束条件，构建参数选择阈值库，其中，所述参数选择阈值库为涂胶工艺参数集合中涂胶工艺参数的选择区间；

19、微调步长生成模块，用于构建y个涂胶设备与q个涂胶工艺参数的映射影响关系，基于映射影响关系和y个密集偏离系数生成q个参数微调步长，其中，q个参数微调步长与q个涂胶工艺参数一一对应；

20、局部涂胶工艺参数获得模块，用于生成p个随机步调阈值，分别判断所述p个随机步调阈值是否大于预设步调阈值，若是，则根据q个参数微调步长在历史参数记忆库中进行参数寻优，获得l个局部涂胶工艺参数，其中，l+m=p；

21、全局涂胶工艺参数获得模块，用于若否，则根据q个参数微调步长在参数选择阈值库中进行参数寻优，获得m个全局涂胶工艺参数；

22、涂胶模块，用于根据l个局部涂胶工艺参数和m个全局涂胶工艺参数进行合格率分析，获得最优涂胶工艺参数，按照所述最优涂胶工艺参数进行目标半导体的涂胶。

23、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

24、本申请通过获取目标半导体的预设涂胶要求，生成第一涂胶约束条件，然后采集预设监测窗口内y个涂胶设备的y个设备参数集合，对y个设备参数集合进行密集偏离分析，生成y个密集偏离系数，利用y个密集偏离系数对第一涂胶约束条件进行补偿，获得第一补偿约束条件，然后调取涂胶控制模块的历史涂胶记录数据，构建历史参数记忆库，其中，历史参数记忆库中具有多个涂胶工艺参数集合，每个涂胶工艺参数集合中包括q个涂胶工艺参数，基于第一补偿约束条件，构建参数选择阈值库，其中，参数选择阈值库为涂胶工艺参数集合中涂胶工艺参数的选择区间，进而构建y个涂胶设备与q个涂胶工艺参数的映射影响关系，基于映射影响关系和y个密集偏离系数生成q个参数微调步长，其中，q个参数微调步长与q个涂胶工艺参数一一对应，然后生成p个随机步调阈值，分别判断p个随机步调阈值是否大于预设步调阈值，若是，则根据q个参数微调步长在历史参数记忆库中进行参数寻优，获得l个局部涂胶工艺参数，其中，l+m=p，若否，则根据q个参数微调步长在参数选择阈值库中进行参数寻优，获得m个全局涂胶工艺参数，进而根据l个局部涂胶工艺参数和m个全局涂胶工艺参数进行合格率分析，获得最优涂胶工艺参数，按照最优涂胶工艺参数进行目标半导体的涂胶。达到了优化涂胶过程中的各项参数，提升半导体涂胶质量和速度的技术效果。

技术特征：

1.一种半导体快速涂胶方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.一种半导体快速涂胶系统，其特征在于，所述系统包括：

技术总结
本发明公开了一种半导体快速涂胶方法及系统，涉及半导体技术领域，该方法包括：生成Y个密集偏离系数；获得第一补偿约束条件；构建历史参数记忆库；基于第一补偿约束条件，构建参数选择阈值库；构建Y个涂胶设备与Q个涂胶工艺参数的映射影响关系，生成Q个参数微调步长；生成P个随机步调阈值，分别判断所述P个随机步调阈值是否大于预设步调阈值，若是，获得L个局部涂胶工艺参数；若否获得M个全局涂胶工艺参数；获得最优涂胶工艺参数，按照最优涂胶工艺参数进行目标半导体的涂胶。本发明解决了现有技术中半导体涂胶效率低，涂胶质量不稳定的技术问题，达到了优化涂胶过程中的各项参数，提升半导体涂胶质量和速度的技术效果。

技术研发人员：郑剑华,苏建国,张元元,孙彬,朱建
受保护的技术使用者：南通华隆微电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16