一种稠厚器的制造方法

文档序号:8272566阅读:162来源:国知局
一种稠厚器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种稠厚器。
【背景技术】
[0002]真空制盐是指卤水在不同“真空”状态下的蒸发罐组中进行蒸发,由于各罐间的压降差,形成沸点递降,从而使热量依次传递,“二次蒸汽”能多次利用的一种现代化制盐生产方法。该方法具有机械化和自动化程度高,热能消耗少,生产成本低等优点。整个真空制盐生产,分为卤水处理、蒸发制盐、脱水干燥、包装仑贮等工序。目前真空制盐、蒸发结晶系统的稠厚器普遍存在出料浓度不好控制、易堵塞、占地尺寸大、动力消耗大等问题。现有技术急需一种结构紧凑、增稠效果好、操作简单、不易堵塞结垢且清洗方便的稠厚器。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种结构紧凑、增稠效果好、操作简单、不易堵塞结垢且清洗方便的稠厚器。
[0004]为实现上述目的,本发明的技术方案是提供了一种稠厚器,包括圆柱形的内筒体和沿内筒体下端向下延伸且半径逐渐减小的内锥体;所述内锥体下端设有出料口 ;所述内筒体上端设有与内筒体密闭连接的上盖体,所述上盖体上端设有二次蒸汽出口 ;所述内筒体上设有用于将晶浆沿内筒体内壁切线方向高速射入的进料口,所述进料口围绕内筒体上部均布,所述进料口的进料方向沿内筒体的切线方向。本专利所述的稠厚器结构紧凑,操作简单,拆卸清洗方便,去除现有设备中大功率的变频搅拌装置,可以收到既节省投资又取得较好的节能效果。
[0005]作为优选地,所述内筒体内设有防止晶浆入射时飞溅被二次蒸汽带走的遮挡筒,所述遮挡筒设置于进料口所在高度区域以及进料口所在高度区域的上下延伸区域。这样的设计可以防止晶浆流失。
[0006]作为优选地,所述遮挡筒呈圆筒形、倒锥形或者喇叭筒形,所述遮挡筒上端与上盖体连接,所述二次蒸汽出口与遮挡筒中心轴线相重合。这样的设计是对方案的一种丰富。
[0007]作为优选地,所述内筒体外部设有夹套筒体,所述内锥体外部设有夹套锥体,所述夹套筒体和夹套锥体一体成型,所述夹套筒体和夹套锥体与内筒体和内锥体密闭围合形成冷却空腔。这样的设计是对方案的进一步优化。
[0008]作为优选地,所述夹套锥体上设有冷却水进口,所述夹套筒体上设有冷却水出口。这样的设计使得晶浆在内筒体和内锥体螺旋下滑的过程中温度逐步降低了 15°C?25V,高固液比、低温的晶浆对于降低后面固液分离设备的腐蚀和提高分离效率非常有利。
[0009]作为优选地,所述夹套锥体上设有热蒸气进口,所述夹套筒体上设有热蒸气出口。这样的设计拓展了本专利的使用范围,把夹套换成蒸汽加热,可以当作蒸发结晶器来使用。
[0010]作为优选地,所述二次蒸汽出口下端设有用于拦截液滴的捕沫器。这样的设计是对方案的进一步优化。
[0011]作为优选地,所述上盖体与内筒体之间通过连接法兰可拆卸密闭连接。这样的设计便于拆卸清洗。
[0012]作为优选地,所述内筒体和内锥体用钛合金制造而成,且内壁光滑。这样的设计使得内筒体和内锥体耐腐蚀且不易出现堵塞结垢。
[0013]作为优选地,所述二次蒸汽出口与真空系统连通,所述进料口与高速晶浆泵连接。这样的设计是对方案的进一步优化。
[0014]本发明的优点和有益效果在于:本专利所述的稠厚器结构紧凑,操作简单,拆卸清洗方便,去除现有设备中大功率的变频搅拌装置,可以收到既节省投资又取得较好的节能效果。
【附图说明】
[0015]图1为本发明结构示意图;
图2为本发明进料口结构示意图。
[0016]图中:1、出料口;2、内锥体;3、夹套锥体;4、内筒体;5、夹套筒体;6、冷却水出口 /热蒸气出口 ;7、进料口 ;8、连接法兰;9、遮挡筒;10、二次蒸汽出口 ;11、捕沫器;12、冷却水进口 /热蒸气进口 ;13、上盖。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图和实施例,对本发明的【具体实施方式】作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
[0018]如图1-图2所示,一种稠厚器,包括圆柱形的内筒体4和沿内筒体4下端向下延伸且半径逐渐减小的内锥体2 ;所述内锥体2下端设有出料口 I ;所述内筒体4上端设有与内筒体4密闭连接的上盖13体,所述上盖13体上端设有二次蒸汽出口 10 ;所述内筒体4上设有用于将晶浆沿内筒体4内壁切线方向高速射入的进料口 7,所述进料口 7围绕内筒体4上部均布,所述进料口 7的进料方向沿内筒体4的切线方向。
[0019]所述内筒体4内设有防止晶浆入射时飞溅被二次蒸汽带走的遮挡筒9,所述遮挡筒9设置于进料口 7所在高度区域以及进料口 7所在高度区域的上下延伸区域。
[0020]所述遮挡筒9呈圆筒形、倒锥形或者喇叭筒形,所述遮挡筒9上端与上盖13体连接,所述一.次蒸汽出口 10与遮挡1? 9中;L.、轴线相重合。
[0021]所述内筒体4外部设有夹套筒体5,所述内锥体2外部设有夹套锥体3,所述夹套筒体5和夹套锥体3 —体成型,所述夹套筒体5和夹套锥体3与内筒体4和内锥体2密闭围合形成冷却空腔。
[0022]所述夹套锥体3上设有冷却水进口 12,所述夹套筒体5上设有冷却水出口 6。
[0023]所述夹套锥体3上设有热蒸气进口 12,所述夹套筒体5上设有热蒸气出口 6。
[0024]所述二次蒸汽出口 10下端设有用于拦截液滴的捕沫器11。
[0025]所述上盖13体与内筒体4之间通过连接法兰8可拆卸密闭连接。
[0026]所述内筒体4和内锥体2用钛合金制造而成,且内壁光滑。
[0027]所述二次蒸汽出口 10与真空系统连通,所述进料口 7与高速晶浆泵连接。
[0028]在使用时,加入冷却水从冷却水进口 12进,从冷却水出口 6出,二次蒸汽出口 10与多效蒸发结晶装置的冷凝真空系统相连,来自多效蒸发结晶装置的过饱和晶浆通过晶浆泵由四个进料口 7切线高速进入稠厚器内,晶浆成膜状沿内筒体4壁和遮挡筒9之间的环形通道内高速运行,有效地防止了晶浆的飞溅被二次蒸汽带走;稠厚器内真空度高,晶浆中的水分急速闪蒸,其传热系数可达到1000?2000kcal/m2.h.°C ;
二次蒸汽先进入遮挡筒9,再经过捕沫器11拦截液滴后,由二次蒸汽出口 10进入多效蒸发结晶装置的真空系统,增稠和降温后的晶浆由出料口 I排出进入固液分离装置;晶浆因水分不断被蒸发,达到出料口 I时固液比浓度可提高5%?10%,同时温度也降低了15°C?25°C,高固液比、低温的晶浆对于降低后面固液分离设备的腐蚀和提高分离效率非常有利,同时由于稠厚器内没有机械搅拌对晶体的二次破碎,对保持晶形非常有利。
[0029]本专利所述的稠厚器节省场地及投资、有效减少堵塞和结垢、操作及维护简便。不仅可以实现对晶浆增稠降温的目的,如果把夹套换成蒸汽加热,还可以当作蒸发结晶器来使用;传统稠厚器清洗不方便,由于器形大,耗用清洗水量大,而本专利所述的稠厚器打开连接法兰8就可以彻底清洗,它的结构使得不容易结垢,即使有少量的垢层,清洗也非常方便。
[0030]以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为发明的保护范围。
【主权项】
1.一种稠厚器,其特征在于:包括圆柱形的内筒体和沿内筒体下端向下延伸且半径逐渐减小的内锥体;所述内锥体下端设有出料口 ;所述内筒体上端设有与内筒体密闭连接的上盖体,所述上盖体上端设有二次蒸汽出口 ;所述内筒体上设有用于将晶浆沿内筒体内壁切线方向高速射入的进料口,所述进料口围绕内筒体上部均布,所述进料口的进料方向沿内筒体的切线方向。
2.如权利要求1所述的稠厚器,其特征在于:所述内筒体内设有防止晶浆入射时飞溅被二次蒸汽带走的遮挡筒,所述遮挡筒设置于进料口所在高度区域以及进料口所在高度区域的上下延伸区域。
3.如权利要求2所述的稠厚器,其特征在于:所述遮挡筒呈圆筒形、倒锥形或者喇叭筒形,所述遮挡筒上端与上盖体连接,所述二次蒸汽出口与遮挡筒中心轴线相重合。
4.如权利要求3所述的稠厚器,其特征在于:所述内筒体外部设有夹套筒体,所述内锥体外部设有夹套锥体,所述夹套筒体和夹套锥体一体成型,所述夹套筒体和夹套锥体与内筒体和内锥体密闭围合形成冷却空腔。
5.如权利要求4所述的稠厚器,其特征在于:所述夹套锥体上设有冷却水进口,所述夹套筒体上设有冷却水出口。
6.如权利要求4所述的稠厚器,其特征在于:所述夹套锥体上设有热蒸气进口,所述夹套筒体上设有热蒸气出口。
7.如权利要求5或6所述的稠厚器,其特征在于:所述二次蒸汽出口下端设有用于拦截液滴的捕沫器。
8.如权利要求7所述的稠厚器,其特征在于:所述上盖体与内筒体之间通过连接法兰可拆卸密闭连接。
9.如权利要求8所述的稠厚器,其特征在于:所述内筒体和内锥体用钛合金制造而成,且内壁光滑。
10.如权利要求9所述的稠厚器,其特征在于:所述二次蒸汽出口与真空系统连通,所述进料口与高速晶浆泵连接。
【专利摘要】本发明公开了一种稠厚器,包括圆柱形的内筒体和沿内筒体下端向下延伸且半径逐渐减小的内锥体;所述内锥体下端设有出料口;所述内筒体上端设有与内筒体密闭连接的上盖体,所述上盖体上端设有二次蒸汽出口;所述内筒体上设有用于将晶浆沿内筒体内壁切线方向高速射入的进料口,所述进料口围绕内筒体上部均布,所述进料口的进料方向沿内筒体的切线方向。本发明所述的稠厚器结构紧凑,操作简单,拆卸清洗方便,去除现有设备中大功率的变频搅拌装置,可以收到既节省投资又取得较好的节能效果。
【IPC分类】B01D1-00, B01D9-02
【公开号】CN104587700
【申请号】CN201510062554
【发明人】胡继忠
【申请人】江阴市江中设备制造有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年2月6日
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