一种硅烷生产塔的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于硅烷的制备领域，特指一种新型的硅烷生产塔。
【背景技术】
[0002]硅烷是生产多晶硅的基本原料，广泛应用电子及半导体工业中。
[0003]传统硅烷生产塔内部从上往下依此设置为填料压圈、填料、支撑栅栏、液体再分布器、填料压圈、填料、支撑栅栏。传统硅烷塔的填料及进料结构存在反应速度慢、反应效率低和原材料利用率低的缺点。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的是提供一种结构简单，安全可靠，反应效率高的新型的硅烷生产塔。
[0005]本实用新型的目的是这样实现的:
[0006]—种硅烷生产塔，包括塔身，所述塔身内部从上往下依次设有冷凝器、填料压圈、上填料层、叔胺类催化剂层、下填料层、支撑栅栏和再沸器，所述塔身的中部一侧设有进气管路，塔身上部和下部分别设有出气管路，所述进气管路导通至上填料层，所述上部的出气管路导通至冷凝器上部，所述下部的出气管路导通至再沸器下方，这样的设计使得原料和在催化剂的作用下，大大提高反应效率，使得原材料得到充分利用，符合绿色环保的理念。
[0007]所述填料压圈压紧上填料层，所述支撑栅栏托住下填料层；上填料层、叔胺类催化剂层和下填料层紧密压实，这样的设计使得原料和叔胺类催化剂接触的更加充分，从而让反应效率提高，使得原材料得到充分利用，符合绿色环保的理念。
[0008]所述塔身底部设有固定底座，固定底座侧边设有加强筋，使得生产塔在加工过程中塔身更加的稳定，不易出现意外。
[0009]所述进气管路6通入SiCl4、SiHCl3、SiH2CV混合物，并控制混合物的压力0.1-0.6MPa，温度 30-100。。。
[0010]反应完成后，SiH2Cl2W上部的出气管路输出；SiCl 4从下部的出气管路输出；
[0011]本实用新型的原料和叔胺类催化剂接触的更加充分，从而让反应效率提高，使得原材料得到充分利用，符合绿色环保的理念。
【附图说明】
[0012]图1是硅烷生产塔的结构示意图。
[0013]1-塔身；2_冷凝器；3_上填料层；4_叔胺类催化剂层；5_再沸器；6_进气管路；7-出气管路(上部)；8_出气管路(下部)；9_填料压圈；10_支撑栅栏；11-底座；12-加强筋；13-下填料层。
【具体实施方式】
[0014]下面结合附图以具体实施例对本实用新型作进一步描述:
[0015]—种硅烷生产塔，包括塔身1，所述塔身1内部从上往下依次设有冷凝器2、填料压圈9、上填料层3、叔胺类催化剂层4、下填料层13、支撑栅栏10和再沸器5，所述塔身1的中部一侧设有进气管路6，塔身1上部和下部分别设有出气管路7，所述进气管路6导通至上填料层3，所述上部的出气管路7导通至冷凝器2上部，所述下部的出气管路8导通至再沸器5下方。
[0016]所述填料压圈9压紧上填料层3，所述支撑栅栏10托住下填料层13 ;上填料层3、叔胺类催化剂层4和下填料层紧密13压实。
[0017]所述塔身1底部设有固定底座11，固定底座11侧边设有加强筋12。
[0018]所述进气管路6通入SiCl4、SiHCl3、SiH2CV混合物，并控制混合物的压力0.l-ο.6MPa，温度30-100°C。反应完成后，SiH2Cl2W上部的出气管路输出；SiCl 4从下部的出气管路输出。
[0019]本实用新型有结构简单，安全可靠，反应效率高的特点。
[0020]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种硅烷生产塔，包括塔身，其特征在于，所述塔身内部从上往下依次设有冷凝器、填料压圈、上填料层、叔胺类催化剂层、下填料层、支撑栅栏和再沸器，所述塔身的中部一侧设有进气管路，塔身上部和下部分别设有出气管路，所述进气管路导通至上填料层，所述上部的出气管路导通至冷凝器上部，所述下部的出气管路导通至再沸器下方。2.根据权利要求1所述的一种硅烷生产塔，其特征在于，所述填料压圈压紧上填料层，所述支撑栅栏托住下填料层；上填料层、叔胺类催化剂层和下填料层紧密压实。3.根据权利要求1所述的一种硅烷生产塔，其特征在于，所述塔身底部设有固定底座，固定底座侧边设有加强筋。
【专利摘要】本实用新型属于硅烷制备领域，特指一种硅烷生产塔，包括塔身，所述塔身的中部一侧设有与进气管路，所述塔身上部和下部分别设有出气管路，所述塔身内部从上往下依此设有冷凝器、填料压圈、填料、叔胺类催化剂、填料、支撑栅栏、再沸器，所述填料压圈、填料、叔胺类催化剂、填料、支撑栅栏紧密的层叠，所述冷凝器设置在上部出气管路下方，所述再沸器设置在下部出气管路上方；采用此结构，实现了反应物充分接触反应，使得反应效率高，原材料充分的使用。
【IPC分类】B01J8/00, C01B33/04
【公开号】CN204952856
【申请号】CN201520677954
【发明人】陶刚义
【申请人】内蒙古兴洋新材料科技有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年9月1日