一种采用三级蒸馏的蜡切分装置的制作方法

文档序号:14026332阅读:659来源:国知局

一种采用三级蒸馏的蜡切分装置,属于液体石蜡切分设备技术领域。



背景技术:

现有技术的液体石蜡切分工艺为:将液体物料通过管道输送到经过导热油加热的分子蒸馏器,再通过真空泵作功达到高真空的条件下,使液体物料中的轻相物质蒸发,从而达到轻相物质与重相物质分离的目的,之后轻相物质通过冷凝成为液体,进入轻相物质收集系统,作为低指标产品,重相物质进入重相物质收集系统成为高指标产品。

此技术目前存在的问题为:一、发现轻相蜡进入真空机组,进而导致真空机组发热严重,真空机组抽真空能力降低,甚至出现毁坏真空机组现象,从而影响产品质量。二、采用一级薄膜蒸发器和一级短程蒸馏器,切分出来的产品种类少,切分不完全,影响产品质量,不能满足市场要求。我们公司设计了一种采用三级短程蒸馏器的蜡切分装置,能够得到多种类的、切分完全的产品,但是由于液体物料在高温系统停留时间长,导致三级重相物质颜色发黄,严重影响产品质量。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种避免三级重相物质颜色发黄、同时又避免轻相蜡进入真空机组的三级蒸馏蜡切分装置。

为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案:一种采用三级蒸馏的蜡切分装置,包括一级分子蒸馏系统、二级分子蒸馏系统、三级分子蒸馏系统、反应釜和过滤机,并且一级分子蒸馏系统、二级分子蒸馏系统、三级分子蒸馏系统结构相同;

所述一级分子蒸馏系统包括一级分子蒸馏器、冷阱、缓冲罐、真空机组、轻相收集系统和重相收集系统,所述轻相收集系统和重相收集系统均设置在一级分子蒸馏器下方,在所述一级分子蒸馏器和真空机组之间设置冷阱和缓冲罐,并且所述冷阱的入口与一级分子蒸馏器的侧面连通、冷阱的出口与缓冲罐的入口连通,所述缓冲罐的出口与真空机组的入口连通;

所述一级分子蒸馏系统的一级分子蒸馏器的重相收集系统与二级分子蒸馏系统的二级分子蒸馏器的入口连通,所述二级分子蒸馏系统的二级分子蒸馏器的重相收集系统与三级分子蒸馏系统的三级分子蒸馏器的入口连通,所述三级分子蒸馏器的重相收集系统与反应釜入口连通,所述反应釜出口与过滤机入口连通,并且在反应釜上部设有氮气输送管道及脱色剂输送管道。

液体石蜡通过进料管道进入一级分子蒸馏器。

本实用新型和现有技术相比具有以下有益效果。

一、本实用新型首先通过增加冷阱,二次冷却轻相物质,减少了轻相物质进入真空机组的量;其次又在在真空机组入口增加缓冲罐,彻底将轻相物质分离,使其无法进入真空机组。与现有技术相比,本实用新型通过增加冷阱、缓冲罐,确保了真空机组的长周期稳定运行,大大降低了真空机组带油带蜡问题,也有效保证了最终的产品质量。

二、本实用新型通过增加带有脱色剂的反应釜和去除脱色剂的过滤机,先将发黄的三级重相物质进入反应釜通过脱色剂脱色,然后将脱色后的三级重相物质进入过滤机使得物料颜色脱去,从而得到合格的三级重相产品。

附图说明

图1为本实用新型的示意图。

图中,1为进料管道,2为一级分子蒸馏器,3为冷阱,4为缓冲罐,5为真空机组,6为轻相收集系统,7为重相收集系统,8为二级分子蒸馏器,9为三级分子蒸馏器,10为反应釜,11为过滤机,12为氮气输送管道,13为脱色剂输送管道。

具体实施方式

如图1所示,一种采用三级蒸馏的蜡切分装置,包括包括一级分子蒸馏系统、二级分子蒸馏系统、三级分子蒸馏系统、反应釜和过滤机,并且一级分子蒸馏系统、二级分子蒸馏系统、三级分子蒸馏系统结构相同;

所述一级分子蒸馏系统包括一级分子蒸馏器2、冷阱3、缓冲罐4、真空机组5、轻相收集系统6和重相收集系统7,所述轻相收集系统6和重相收集系统7均设置在一级分子蒸馏器2下方,在所述一级分子蒸馏器2和真空机组5之间设置冷阱3和缓冲罐4,并且所述冷阱3的入口与一级分子蒸馏器2的侧面连通、冷阱3的出口与缓冲罐4的入口连通,所述缓冲罐4的出口与真空机组5的入口连通;

所述一级分子蒸馏系统的一级分子蒸馏器2的重相收集系统7与二级分子蒸馏系统的二级分子蒸馏器8的入口连通,所述二级分子蒸馏系统的二级分子蒸馏器8的重相收集系统7与三级分子蒸馏系统的三级分子蒸馏器9的入口连通,所述三级分子蒸馏器9的重相收集系统7与反应釜10入口连通,所述反应釜10出口与过滤机11入口连通,并且在反应釜10上部设有氮气输送管道12及脱色剂输送管道13。

液体石蜡通过进料管道1进入一级分子蒸馏器2。

所述真空机组5、轻相收集系统6、重相收集系统7与一级分子蒸馏器2、二级分子蒸馏器8、三级分子蒸馏器9均为现有技术,并且轻相收集系统6和重相收集系统7与一级分子蒸馏器2、二级分子蒸馏器8、三级分子蒸馏器9的连接也为现有技术。

所述氮气输送管道13为反应釜10送入氮气进行氮气保护。

上述实施例是对本实用新型结构的解释而非限制,在不脱离本实用新型原理前提下所作的变形也在本实用新型的保护范围之内。

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