一种焦炉烘炉通道结构的制作方法

本发明涉及焦炉，尤其涉及一种焦炉烘炉通道结构。

背景技术：

1、焦炉砌筑完成后，砌体内含有大量水分，为了排除这些水分，并使炭化室炉墙的温度提高到满足装煤温度要求，必须有计划的加热升温即进行烘炉操作。烘炉时气体的流动途径为：烘炉炉灶-炭化室-烘炉孔-水平烟道-燃烧室-斜道-蓄热室-小烟道-废气盘-烟道，最后由烟囱排出。其中，烘炉孔是指焦炉热态烘炉期间炭化室和燃烧室之间连接的通道，烘炉时燃料在炭化室两侧的烘炉炉灶内燃烧，产生的热废气经过炭化室、烘炉孔进入燃烧室。待焦炉的烘炉操作完成转正常加热后，将炭化室顶部和燃烧室顶部之间的烘炉孔通道用塞子砖封堵，以保证炭化室和燃烧室的严密性。

2、传统的烘炉炉均为水平结构，如申请公布号为cn 114736693 a的中国专利申请公开的“一种焦炉炉顶区烘炉孔结构”，包括烘炉孔顶部空间、烘炉孔水平道及塞子砖；所述烘炉孔水平道由同轴相连的圆柱体通道及圆台体通道组成。

3、而在焦炉实际生产过程中，由于焦炉炭化室和燃烧室中的气流波动，或者焦炉装煤推焦时产生的震动，很容易造成烘炉孔两端塞子砖的松动，进而引起焦炉荒煤气窜漏。

技术实现思路

1、本发明提供了一种焦炉烘炉通道结构，在现有水平烘炉通道的基础上进行改进，在烘炉通道两端设置倾斜段，烘炉结束后放置塞子砖时，塞子砖会在自身重力作用下自然滑落至封堵位置，并在焦炉生产过程中对烘炉通道进行可靠、有效的密封。

2、为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案实现：

3、一种焦炉烘炉通道结构，包括设于焦炉炉顶区的烘炉通道及用于烘炉后封堵烘炉通道的塞子砖；所述烘炉通道对应设于装煤孔及上升管孔底部的炉顶砌体中，两端分别连通对应的炭化室及燃烧室；所述烘炉通道由水平段通道及倾斜段通道组成，烘炉通道靠近燃烧室的一端水平设置形成水平段通道，烘炉通道靠近炭化室的一端朝外上方延伸形成倾斜段通道；塞子砖设于倾斜段通道中。

4、进一步的，所述倾斜段通道的横截面形状为圆形、椭圆形或正多边形，塞子砖具有与倾斜段通道相配合的形状。

5、进一步的，所述倾斜段通道为自内向外逐渐扩大的圆台孔道，塞子砖为对应的圆台体。

6、进一步的，所述倾斜段通道的轴线与水平面的夹角为2°～75°。

7、进一步的，所述倾斜段通道的长度不小于80mm。

8、进一步的，所述塞子砖的长度小于倾斜段通道的长度。

9、进一步的，所述塞子砖的外端设钩孔，所述钩孔的横截面为圆形，且横截面面积自内向外逐渐缩小。

10、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

11、1)本发明所述烘炉通道的结构简单，与传统的水平烘炉通道相比，在保留烘炉功能的同时，降低了烘炉后放置塞子砖时的难度，减少封堵过程中塞子砖意外掉落的风险，提高了封堵效率。

12、2)封堵烘炉通道时，塞子砖能够在自身重力作用下自然滑落至封堵位置，在焦炉生产过程中，利用塞子砖自身重力能够有效增加密封的稳定性，减少由于炭化室和燃烧室中的气流波动或者焦炉装煤推焦时产生的震动而引起的塞子砖松动甚至脱落的风险，工作更加可靠，有效的保证了焦炉的严密性。

技术特征：

1.一种焦炉烘炉通道结构，包括设于焦炉炉顶区的烘炉通道及用于烘炉后封堵烘炉通道的塞子砖；所述烘炉通道对应设于装煤孔及上升管孔底部的炉顶砌体中，两端分别连通对应的炭化室及燃烧室；其特征在于，所述烘炉通道由水平段通道及倾斜段通道组成，烘炉通道靠近燃烧室的一端水平设置形成水平段通道，烘炉通道靠近炭化室的一端朝外上方延伸形成倾斜段通道；塞子砖设于倾斜段通道中。

2.根据权利要求1所述的一种焦炉烘炉通道结构，其特征在于，所述倾斜段通道的横截面形状为圆形、椭圆形或正多边形，塞子砖具有与倾斜段通道相配合的形状。

3.根据权利要求1所述的一种焦炉烘炉通道结构，其特征在于，所述倾斜段通道为自内向外逐渐扩大的圆台孔道，塞子砖为对应的圆台体。

4.根据权利要求1所述的一种焦炉烘炉通道结构，其特征在于，所述倾斜段通道的轴线与水平面的夹角为2°～75°。

5.根据权利要求1所述的一种焦炉烘炉通道结构，其特征在于，所述倾斜段通道的长度不小于80mm。

6.根据权利要求1所述的一种焦炉烘炉通道结构，其特征在于，所述塞子砖的长度小于倾斜段通道的长度。

7.根据权利要求1所述的一种焦炉烘炉通道结构，其特征在于，所述塞子砖的外端设钩孔，所述钩孔的横截面为圆形，且横截面面积自内向外逐渐缩小。

技术总结
本发明涉及一种焦炉烘炉通道结构，烘炉通道由水平段通道及倾斜段通道组成，烘炉通道靠近燃烧室的一端水平设置形成水平段通道，烘炉通道靠近炭化室的一端朝外上方延伸形成倾斜段通道；塞子砖设于倾斜段通道中。本发明在现有水平烘炉通道的基础上进行改进，在烘炉通道两端设置倾斜段，烘炉结束后放置塞子砖时，塞子砖会在自身重力作用下自然滑落至封堵位置，并在焦炉生产过程中对烘炉通道进行可靠、有效的密封。

技术研发人员：钱启,肖长志,张天宇
受保护的技术使用者：中冶焦耐（大连）工程技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/7