技术特征：
技术总结
一种能抑制光噪声的微电极、采用其的电路及其制备方法。在以硅为支撑材料的微电极结构中，作为衬底的硅会因光照产生非平衡载流子，继而对其上层的电极信号造成扰动。将作为电极支撑的硅衬底通过掺杂、生长金属层并在其上的绝缘层上刻出通孔接地，可以大幅降低或消除硅衬底中光生载流子对上层神经电极的信号干扰，有效地解决了光对硅基微电极、特别是轻掺杂的硅衬底造成的噪声干扰。
技术研发人员：裴为华;王飞;刘智多;邢潇;陈弘达
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2017.12.12
技术公布日：2019.06.21