技术特征：
技术总结
本发明提供一种高深宽比中阻P型宏孔硅结构及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按1:1的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的腐蚀速率下制备具有高深宽比值的宏孔硅结构，且所制备的宏孔硅结构形貌规则，孔壁光滑，壁厚均匀，无明显分叉现象。
技术研发人员：葛道晗;李文兵;张立强;马超;杨宁
受保护的技术使用者：江苏大学
技术研发日：2019.05.22
技术公布日：2019.10.01