技术总结
本公开涉及一种硅基底超疏水超亲水区域分布表面及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：对硅基底的表面进行激光加工，得到具有微米‑亚微米级粗糙结构的第一表面；对第一表面进行羟基化处理，得到第二表面；在缩合反应的条件下，使第二表面与有机溶液进行缩合反应，得到第三表面；对第三表面进行选区紫外照射处理，得到硅基底超疏水超亲水区域分布表面。本公开的方法制备得到的硅基底表面具有优良的超亲水/超疏水区域分布特性。
技术研发人员：李杰;吴昊晨
受保护的技术使用者：北京工商大学
技术研发日：2019.05.31
技术公布日：2019.09.20